集成电路行业人才招聘必备专业知识讲座

培训集成电路行业人才招聘必备专业知识讲座主讲：刘海川刘小勇肥乡人才网介绍刘海川复旦大学，E.E.，MS，9年行业经验士兰、IDT－新涛、澜起刘小勇西安电子科技大学，BS，7年行业经验士兰、泰鼎、澜起纲要行业背景知识集成电路的生产制造过程集成电路的设计集成电路的封装以及测试集成电路的市场以及销售集成电路行业人才及招聘第一部分行业背景知识集成电路的生产制造过程集成电路的设计集成电路的封装以及测试集成电路的市场以及销售集成电路行业人才及招聘概述行业背景知识什么是微电子技术和集成电路？集成电路的基本概念集成电路的起源集成电路的发展及ITRSInternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors我国集成电路行业现状什么是微电子技术？芯片制造技术超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术计算机辅助设计与计算机辅助测试技术掩膜制造技术材料加工技术可靠性技术封装技术和辐射加固技术什么是集成电路？集成电路的基本概念常用术语晶圆（WAFER）前、后道工序光刻特征尺寸（即线宽）集成电路的起源晶体管的发明，BellLab,1947年集成电路概念，杰克-基尔比（JackKilby），TI，1958年集成电路的发展第一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代IC设计是附属部门。人工设计为主。第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。80年代集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专用IC（ASIC）第三次变革：“四业分离”的IC产业。90年代形成了设计业、制造业、封装业、测试业独立成行InternationalTechnologyRoadmapforSemiconductors（ITRS）莫尔定律（Moore‘sLaw)半导体国际技术发展蓝图－ITRS路线图协作组（RoadmapCoordinatingGroup，RCG）成立于1992年(网址：)“每节点实现大约0.7倍的缩小”或“每两个节点实现0.5倍的缩小”我国集成电路行业现状集成电路设计、芯片制造与封装测试三业竞相发展“以IC设计业为先导，IC制造业为主体”在规模快速扩大的同时，技术水平迅速提高自主开发和产业化取得了突破性的进展第二部分行业背景知识集成电路的生产制造过程集成电路的设计集成电路的封装以及测试集成电路的市场以及销售集成电路行业人才及招聘TransistorWorking在数字电路应用中，晶体管就像机械开关一样扮演者开关的角色。也就是存贮0或者1的关键部件State1State0我们利用固体和量子物理的技术实现的固体开关–在半导体工业里的晶体管有着比机械开关更小的尺寸、更快的速度、更加低的能量损耗State1State01.什么是晶体管?TransistorWorkingGateOxide0.25umlogicTi-SalicideProcessPolyTiSi2SpacerSourceDrainChannelLengthLDDPOLY晶体管也像机械开关一样有三个端点:1.多晶栅极扮演了控制按键的角色,漏极和源极分别扮演了输入与输出端的角色.2.晶体管的结构是怎样的?TransistorWorkingState1DrainBias(charge)TimesLevel(V)State0GateBias(discharge)TimesLevel(V)State1DrainBias(recharge)TimesLevel(V)VoltageontheDrainterminal(output)=在数字应用中，晶体管的行为类似于一个电容器1.漏极偏置(电容充电):电荷存储在漏极一端.2.栅极偏置(电容放电):存储的电荷从漏极流向源极3.漏极再偏置(栅极悬空,电容重新充电):电荷重新存储.3.晶体管是如何工作的?P-sub(Siliconwafer)SiN(Nitrid)Padoxide1.1.WaferStart1.2.PADOxidation(stressbuffer)1.7.SiN(Nitrid)Deposition1.8.DiffusionLithography:1.8.1P.R.coating1.8.2StepperExposure1.8.3DevelopmentPhotoResistorcoatingDiffusionmaskStepperExposureDiffusionP.R.P-sub(Siliconwafer)SiN(Nitrid)Padoxide简单的工艺流程–第一层(Diffusion)简单的工艺流程–第一层(Diffusion)cont.DiffusionP.R.P-sub(Siliconwafer)SiN(Nitrid)PadoxideSTISTI1.7.Trench(STI)PlasmaEtching1.7.1SiNEtching1.7.2SiliconEtching1.8.PhotoResistorremove简单的工艺流程–第一层(Diffusion)cont.1.7.APCVDSTIrefill1.7.1LinerOxideGrowth1.7.2APCVDOxidedeposition1.7.3STIFurnaceDensify1.8.STICMP1.9.SiNremoveDiffusionP.R.P-sub(Siliconwafer)SiN(Nitrid)PadoxideSTISTISTI简单的工艺流程–阱的形成N-WELLMaskP.R.CoatingN-WELLP.R.StepperExposure2.1N-WELLFormation:2.1.1N-WELLPRcoating2.1.2N-WELLLithography2.1.3Development2.1.4N-WELLimplant2.1.5PRstripping2.2P-WELLFormation:2.2.1P-WELLPRcoating2.2.2P-WELLLithography2.2.3Development2.2.4P-WELLimplant2.2.5PRstrippingP-sub(Silicon)Sac.oxideSTIPWELLN-WELLP.R.CoatingP-WELLMaskStepperExposureN-WELLImplant1.N-WELL-12.N-WELL-27.PMOS-VT8.PMOSanti-punchP-WELLImplant1.P-WELL-12.P-WELL-27.NMOS-VT8.NMOSanti-punch简单的工艺流程–栅氧化和多晶PRcoatingP-sub(Silicon)NWELLPWELLGateOxideTGMaskStepperExposureGateOxide2UPOLYgrowth3GateOxideFormation:3.1ThickGateOxideGrowth3.2PRcoating3.3TGLithography3.4Development3.5RCA-AWetetching3.6PRstripping3.7ThinGateOxideGrowth4.PolyGrowth4.1undope.POLYgrowth4.2N+POLYPRcoating4.3N+POLYLithography4.4Development4.5N+POLYimplantandPRStripPRCoatingN+POLYMaskN+POLYPRN+POLYimplantStepperExposure简单的工艺流程－栅极工程P-subNWELLSTIPWELLPolyPRcoatingPolyMaskNLDDN-LDDN-PKTN-LDDN-PKTP-LDDPRP-LDDP-PKTStepperExposureN-LDDImplantP-LDDimplant5PolyGateFormation:5.1Polyannealing5.2PRcoating5.3POLYLithography5.4Development5.5POLYGateetching5.6PRstripping5.7ThinOxideGrowth6.LDD(LightDopeDrain)implant6.1N-LDDLithography(ellipsis)6.2NLDD/N-PKTimplant6.3P-LDDLithography(ellipsis)6.4PLDD/P-PKTimplant简单的工艺流程－漏极工程P-subNWELLSTIPWELLPolyPRcoatingPolyMaskNLDDN-LDDN-PKTN-LDDN-PKTP-LDDPRP-LDDP-PKTN+PRN+N+P+PRP+P+ImplantN+implantGateOxide0.25umlogicTi-SalicideProcessPolyTiSi2SpacerSourceDrainChannelLength7PolyGateFormation:7.1Polyannealing7.2PRcoating7.3POLYLithography7.4Development7.5POLYGateetching7.6PRstripping7.7ThinOxideGrowth8.LDD(LightDopeDrain)implant8.1N-LDDLithography(ellipsis)8.2NLDD/N-PKTimplant8.3P-LDDLithography(ellipsis)8.4PLDD/P-PKTimplant简单的工艺流程－ILD钝化P-subNWELLSTIPWELLPolyPRcoatingPolyMaskNLDDN-LDDN-PKTN-LDDN-PKTP-LDDPRP-LDDP-PKTN+PRN+N+P+PRP+SABPSGUSG9.SalicideFormation:9.1PETEOS-CapOxidedep.9.2SAB(Salicide-Block)Lithography(ellipsis)9.3Ti/Cosputtering9.4SalicidationRTPannealing9.5SalicidationRTPannealing9.6TiresidualSemi-toolwetclean10.ILDPassivation10.1SiNdeposition(Moistureandsodiumblock)10.2AP-USGdeposition(GapfillingandB,Ptrap)10.3TEOS-BPSG-14Kdeposition(re-flowandplanarization)10.4ILDCMP简单的工艺流程－ContactPlugP-subNWELLSTIPWELLPolyPRcoatingPolyMaskNLDDN-LDDN-PKTN-LDDN-PKTP-LDDPRP-LDDP-PKTN+PRN+N+P+PRP+SABPSGUSGPRCoatingContactMaskPRcoatingContactPRMetal1DUVStepperExposure11.ContactPlugFormation:11.1ContactLithography11.2ContactPlasmaEtching11.3PRstrip11.4Barrierlayerdeposition(Ti+TiNforwellcontact)11.5RTPannealing11.6GlueLayerdeposition(Ti+TiNforplugadhesion)11.5WCVDfilling11.6WCMP11.7MetalLinerdeposition(Ti+TiNforMetaladhesion