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基于3300V牵引级IGBT的新一代高压变频器第六图书馆IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术,取得巨大的进展。依据电压等级划分,当前国内主要应用的IGBT分为600V(1985年)、1200V(1990年)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。各大半导体厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠技术,取得巨大的进展。依据电压等级划分,当前国内主要应用的IGBT分为600V(1985年)、1200V(1990年)、IGBT高压变频器功率MOSFET绝缘栅双极晶体管牵引电压控制半导体厂商低饱和压降变频器世界无北京康得环保科技股份有限公司2007第六图书馆第六图书馆第六图书馆