mos

一、反应时间T(nS)：分为：T(nS)Td(on)(nS)Tr(nS)1461859二、驱动功率P(mW)：P=驱动功率P（mW）栅源电荷Q（nC）14.529三、热效应E(J)：相关：通态电阻RDS（ON）通态漏极电流ID（ON）MOSFET选用原则开启时间Ton导通延迟时间Td(on)+上升时间TrWF=0.5CU2F=0.5*U2*F*Q/U=0.5*F*QUontTd(off)(nS)Tf(nS)1158栅源电压U（V）驱动信号频率F（KHz）10100MOSFET选用原则判断延迟时间Td(off)+下降时间Tf关断时间Toff