联合证券--公司研究--科达股份IGBT：开启电力和汽车节能

谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。1/12最近52周股价表现-90%-80%-70%-60%-50%-40%-30%-20%-10%0%10%Mar-08Apr-08Jun-08Jul-08Aug-08Sep-08Oct-08Nov-08Jan-09Feb-09Mar-09科达股份上证指数分析师卢山[e-mail]公司研究深度研究建筑业/铁路、公路、隧道、桥梁建筑业公司控股孙公司科达半导体的主营业务为绝缘栅双极晶体管（IGBT）、金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）的生产。从技术上看，三极管经历了可控硅、晶闸管、MOSFET、IGBT四个阶段，其中MOSFET、IGBT基本依赖于进口。MOSFET的技术难度已经很大，目前华微电子和中环股份正努力实现国产化，IGBT在国内基本还处于高校的试验阶段。可以说IGBT是开启电力和汽车节能的钥匙，其国产化进程意义重大。IGBT作为新型电力电子器件的代表，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品；IGBT在汽车电子上的应用也十分广泛，并且要求颇高。同时，IGBT在国防电子设备上用途广泛，对我国国防工业的发展具有十分重要的意义。MOSFET的国内市场09年预计有300亿元，IGBT的市场09年预计有60亿元，国产化替代的空间巨大。公司已经生产出MOSFET、IGBT的样片，目前正致力于关键工艺的自制和量产。国家、省、市对该项目给予了1795万元的政府补贴，从样片到量产技术上存在一定的不确定性，公司对技术能力较有信心。如果IGBT项目顺利，则10年的业绩有可能做到0.65元，并且IGBT项目一旦量产，公司就掌握了半导体功率器件行业最核心的竞争力，未来成长性很大，给予增持评级。2009/03/23经营预测与估值2007A20081-3Q2008E2009E2010E营业收入(百万元)657.3407.4584.4787.31503.9(+/-%)32.0-13.3-11.134.791.0归属母公司净利润(百万元)8.07.915.231.1109.3(+/-%)30.8-27.989.5104.4251.8EPS(元)0.050.050.090.190.65P/E(倍)276.7281.4124.661.017.3股价2009/03/23RMB13.24基础数据总股本（百万股）168流通A股（百万股）105流通B股（百万股）0.00可转债（百万元）N/A流通A股市值（百万元）1390财务数据市净率(X)3.79TRACINGP/E(X)*446.46EPS（元）0.05股息率（%）0.00*最近四季盈利计算。相关研究科达股份600986增持/首次评级IGBT：开启电力和汽车节能的钥匙Sep-2019谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。2/12科达半导体资产注入科英电子根据公司08年11月25日公告，公司控股子公司科英电子收购二股东科达实业持有的科达半导体60%的股权，收购价格为3000万元。截至2008年10月31日，科达半导体经审计的总资产为4706万元，净资产为4664万元，净利润为-318万元。科达半导体的主营业务为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）的生产。科达半导体是与美国STP技术公司共同投资设立的具有自主知识产权的高科技公司，目前该公司已在半导体元器件生产方面拥有4项专利技术。科英电子获得1795万元的政府补贴根据相关公司公告，科英电子的绝缘栅双极晶体管产业化项目列入国家高技术产业发展项目计划及国家资金补助计划，并获得国家补助资金1500万元。此笔资金主要用于该公司绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片的设计和整体器件的工艺集成，建设功率半导体设计实验室、性能测试实验室和可靠性实验室，购买目前国内功率半导体加工中所缺少的超薄晶片研磨设备、湿法刻蚀设备、背面多金属离子注入设备、高温退火设备等专用生产设备和附属设备。山东省发展和改革委员会“科英公司的绝缘栅双极晶体管项目获得195万元的专项扶持资金”。东营市科学技术局、东营市财政局“科英公司的绝缘栅双极晶体管项目获得100万元的项目经费”。依此计算，目前公司已经获得总共1795万元的政府补贴。股权关系公司第一大股东金润投资的股权属于镇政府，第二大股东科达实业为实际控制人，最终控制人为刘双珉。图1、公司的控股股东数据来源：上市公司公开资料。联合证券研究所.公司占科英电子47.89%的股权，其它股权为科达实业所有。科达半导体的IGBT和MOSFET已经试制成功国家、省、市三级政府均给予公司补贴公司占科达半导体的权益是28.7％Sep-2019谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。3/12图2、科英电子的控股股东数据来源：上市公司公开资料。联合证券研究所.科达半导体是IGBT项目的落实方，其股权目前已经由科英电子控制，项目合作方STP公司为技术的来源方。图3、科达半导体的控股股东数据来源：上市公司公开资料。联合证券研究所.依此计算，公司占科达半导体的权益是47.89%×60%＝28.734％。IGBT：半导体行业中最具核心竞争力的产品科达半导体的主营产品为MOSFET、IGBT，二者兼为半导体功率器件。半导体功率器件的国内市场有1000亿功率器件包括功率IC和功率分立器件，功率分立器件主要包括MOSFET、IGBT、大功率晶体管、达林顿管等半导体器件。图4、2006年中国功率器件市场按产品分销售额亿元数据来源：赛迪顾问，联合证券研究所.未来IBGT增长率将能达到30%，MOSFET增长率将能达到20%Sep-2019谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。4/12功率器件能起到有效的节能作用。因此，除了保证电子设备的正常运行以外，由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。图5、中国功率器件市场现状及预测02004006008001,0001,2001,4001,6001,80020032004200520062007E2008E2009E2010E2011E亿元0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%销售额增长率数据来源：赛迪顾问，联合证券研究所.在功率分立器件中，相较于大功率晶体管、达林顿管以及晶闸管的低增长率，MOSFET和IGBT保持了较快的发展。MOSFET已经广泛应用在主板、镇流器、笔记本电脑、计算机类电源适配器、液晶电视等产品中，凭借着较快的市场增长率以及广阔的市场发展空间，MOSFET成为中国分立功率器件市场发展亮点。根据赛迪顾问的统计，2007年中国MOSFET市场需求量达到171.2亿个，市场需求额为220.5亿元。2005年国内IGBT市场超过5亿只，06年国内销售收入为28亿元。预计“十一五”期间IGBT的复合增长率将保持30%以上。IGBT是半导体行业中的最高端产品功率半导体器件的发展经历了四个发展阶段。图6、功率半导体器件发展的四个阶段数据来源：南京电子器件研究所，联合证券研究所.MOSFET的国内市场09年预计有300亿元，IGBT的市场09年预计有60亿元IGBT是半导体功率器件的皇冠Sep-2019谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。5/12IGBT的发展经历了6个时代。表1、IGBT发展的六个阶段代别技术特点芯片面积(相对值)设计规划/μmUce(sat)/Vtr/μs功率损耗(相对值)出现时间/年第1代平面穿透型(P.PT)10053.00.501001988第2代改进的平面穿透型(P.PT)5652.80.30741990第3代沟槽型(trench)4032.00.25511992第4代非穿透型(NPT)3111.50.25391997第5代电场截止型(FS)270.51.30.19332001第6代沟槽型电场2截止型(FS-Trench)240.31.00.15292003数据来源：南京电子器件研究所，联合证券研究所.国内IGBT的研究开发工作迟于国外十多年，虽然也曾研制出1000V/20ASDB2IGBT、1200V/20ASDB/IGBT、1050V/20APT2IGBT等样品，但至今尚未有IGBT产品投放市场。MOSFET和IGBT的应用领域功率器件几乎用于所有的电子产品，包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。图7、按应用领域分中国功率器件市场销售额亿元数据来源：赛迪顾问，联合证券研究所.功率MOSFET的应用十分广泛，20V产品主要用于手机、数码相机；30V产品主要用于计算机主板、显卡；40V产品主要用于机顶盒和电动自行车；60V产品主要用于UPS、汽车雨刷、汽车音响、马达控制；80V以上产品主要用于LCDTV、LCD显示器和其他仪器仪表等；而150V-400V的产品主要用于照明、CRT电视、CRT显示器、背投电视、电热水器和洗衣机等；400V-800V产品主主要应用在汽车电子、计算机、网络通信、工业控制和消费电子MOSFET依难度不同使用在不同领域Sep-2019谨请参阅尾页重要申明及联合证券股票和行业评级标准。6/12要用于发动机启动器、车灯控制、电机控制、嵌入式电源和电源适配器等；800V-1000V的产品主要用于风力发电、电焊机和中低压变频器等；1000V以上产品主要用于高压变频器、发电和变电设备等。由于手机、数码相机、计算机主板、显卡、LCD显示器等产品产量巨大，导致电压在20V-100V之间的MOSFET用量最大。IGBT虽然份额较小，但发展快速，从IGBT耐压范围上看，电压在600V-1200V之间的IGBT用量最大，目前在电磁炉、电源、变频家电等产品中使用的IGBT耐压一般都是600V和1200V。低于600V的IGBT产品主要使用在数码相机闪光灯和汽车点火器上；电压大于1200V的IGBT主要以1700VIGBT为主，该产品在高压变频器等工业产品上广泛使用。机载、舰载、雷达等随动系统和自动定位系统中的侍服电机驱动用IGBT模块，其性能规格600V/30～60A；在军事机载、星载电源系统中的DC/DC变换器用IGBT单管，其性能规格400V/80～120A；在大功率领域，舰艇上导弹发射装置控制用IGBT-IPM等。IGBT在民品市场具有更加广泛的应用。电磁感应加热用IGBT。在电饭煲、电磁炉、微波炉的电磁感应加热电路中，采用IGBT单管，其性能规格600～1500V/40～80A，如美国飞兆半导体公司最新推出的1000V/60ANPT-TrenchIGBT，其通态压降2.5V，关断时间130ns，专门投放中国市场。频闪观测器用IGBT。在照相机频闪观测器电路中，也采用IGBT单管，其性能规格400V/60～80A，如日本东芝公司生产的GT20G101系列产品。变频器用IGBT在变频空调、静音冰箱、洗衣机等家电的电机驱动系统中，采用IGBT模块，每个模块含有6个IGBT芯片，其性能规格600V/15～50A。如美国飞兆、日本富士公司分别推出的Motion-IPM系列和R系列产品投入市场。日本三菱公司开发第五代IGBT硅片技术，以高性能产品来满足变频家电最新的节能标准要求。逆变器用IGBT。在节能灯电子镇流器中，采用小功率单管IGBT，其性能规格600V/5～10A；在电力机车VVVF逆变器中，采用大功率IGBT-IPM，其性能规格2000V/600A。此外，IGBT及IGBT模块在通讯电源、UPS不间断电源及电焊机中也有广泛的应用。IGBT：开启电力和汽车节能的钥匙IGBT作为新型电力电子器件的代表，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品。它是整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品，集高频率、高电压、大电流等优点于一身。步入21世纪，全球电力