TFT-LCD-Array&Cell工艺流程

Array基板Processflow工艺流程目录CONTENTS显示家族LTPS的“家族地位”LTPS的“成长过程”LTPS的“恋爱经历”Part1显示世界第二次汇报α-Si$显示家族0.5~0.7◎△◎高26510~30△○○中300~350IGZO50~100○◎△低250~450LTPSN/A○N/A△低250OLED注：◎—最优○—次之△—最差N/A—无数据显示技术电子迁移率均匀度开口率成本良品率PPIPart2LTPS的”家族地位”第二次汇报29.8%34.6%2015年LTPS/OxideTFT规格智能手机面板2016年LTPS/OxideTFT规格智能手机面板2015-2016年智能手机面板采用技术比重变化数据来源：Displaysearch面板厂持续扩充LTPS产能；预期未来以LTPS技术为主的智能手机面板出货将持续增长；同时AMOLED面板也将抢占高端手机市场的比重。LTPS的“家族地位”Part3LTPS的”自我介绍”第二次汇报LTPS的“成长过程”工艺流程图—MaskDepositionLTPS的“成长过程”InitialCleaner-初清洗Deposition(CVD+PVD)-化学+物理气象沉积ELA(ExcimerLaserAnnealing)-准分子激光退火黄光制程(PHOTO)-Cleaning,Coating,Exposure,Develop工艺解析剥离(Stripper)-去除光刻胶IMP(implantation，ionimplantationdoping)-离子注入掺杂RTA(RapidThermalAnneal)-快速热退火注入前LTPS的“成长过程”Etching(wet+dry):干/湿蚀刻干法蚀刻工艺解析注入后退火后Part4LTPS的”恋爱经历”第二次汇报LTPS的“恋爱经历”他ArrayLTPSOverallLayerLTPS的“恋爱经历”Array制成—12MaskLS3L/PolyNCDNPGI/GE/LDDPPILDSDPLNBITOPVTITOLTPS的“恋爱经历”Array制成—1~7MaskLS3L/PolyNCDNPGI/GE/LDDPPILDLS：防止Poly受到强光照射产生光生载流子3L/Poly：①缓冲层：防止玻璃基板杂质扩散LTPS中。②ELA：ExcimerLaserAnnealing即准分子激光退火，Array制成—8~9MaskLTPS的“恋爱经历”DHFCLN：除去poly表面的氧化层，降低M2poly接触阻抗。Anneal：热退火，形成Mo/Si固溶体，发生欧姆接触，提高电子迁移率。RTA：活化（修复受损晶格，让杂质进行活性位置）&氢化（多晶硅晶粒间存在粒界态，多晶硅与氧化层间存在界面态，影响晶体管电性。PLN：平坦层目的：1.平坦化，使配向更均匀；2.减小couple电容，降低datalineloading。SDPLNArray制成—10~12MaskLTPS的“恋爱经历”BITOPVTITOAnneal目的：提高ITO膜层的稳定性，ITO晶化，增加导电率。PV：Passivation,钝化层，隔绝ITO1与ITO2LTPS的“恋爱经历”CF她CF制成LTPS的“恋爱经历”1.与Array不同，CF制程使用的负性光刻胶，在漏光区留下团。2.BM（BlackMatrix，黑色矩阵）和RGB,PS都是相同的黄光工艺，只是涂布的材料分别是黑色，RGB和PS。BM涂布曝光显影R涂布曝光显影G…BOCLTPS的“恋爱经历”他&她CFArrayCellCell制成LTPS的“恋爱经历”PI&RubbingODFSlim&ITOE-CellWuhanChinaStarOptoelectronicsTechnologyCo.,Ltd