化学机械抛光技术研究进展

化学机械抛光技术研究进展作者：宋晓岚，李宇煙，江楠，屈一新，邱冠周，SONGXiaolan，LIYukun，JIANGNan，QUYixin，QIUGuanzhou作者单位：宋晓岚,李宇煙,江楠,邱冠周,SONGXiaolan,LIYukun,JIANGNan,QIUGuanzhou(中南大学资源加工与生物工程学院,湖南,长沙,410083)，屈一新,QUYixin(北京化工大学化学工程学院,北京,100029)刊名：化工进展英文刊名：CHEMICALINDUSTRYANDENGINEERINGPROGRESS年，卷(期)：2008，27(1)被引用次数：2次参考文献(44条)1.WalshrJ.HerzogAHProcessforpolishingsemiconductormaterials19652.张朝辉.雒建斌化学机械抛光中的纳米级薄膜流动[期刊论文]-中国机械工程2005(14)3.MichaelAFury1997(05)4.HornMAntireflectionlayersandplanarizationformicrolithography1991(11)5.RentlnPChemicalmechanicalplanarization:fundamentalissuesofinterleveldielectricapplications19926.RahulJ.JanosF.HuangCKChemicalmechanicalpolishing:processmanufacturability1994(07)7.ParkKH.KimKJ.ChangOMEffectsofpadpropertiesonmaterialremovalinchemicalmechanicalpolishing20078.张楷亮.宋志棠ULSI化学机械抛光的研究与展望[期刊论文]-微电子学2005(03)9.陈昭琼精细化工产品配方合成及应用199910.廉进卫.张大全化学机械抛光液的研究进展[期刊论文]-化学世界2006(09)11.王亮亮.路新春硅晶片化学机械抛光中表面形貌问题的研究[期刊论文]-润滑与密封2006(174)12.LeiSMechanicalinteractionsattheinterfaceofchemicalmechanicalpolishing2000(03)13.陈杨.陈建清纳米磨料对硅晶片的超精密抛光研究[期刊论文]-摩擦学学报2004(04)14.XueQJ.LiWMTheresearchprogressintribochemistry1997(03)15.SeokJW.SukamCP.KimATMultiscalematerialremovalmodelingofchemicalmechanicalpolishing2003(223)16.张朝辉.雒建斌化学机械抛光中抛光液流动的微极性分析[期刊论文]-北京交通大学学报（自然科学版）2005(01)17.梅燕.韩业斌用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究[期刊论文]-润滑与密封2006(181)18.连军超大规模集成电路二氧化硅介质层的化学机械抛光技术的研究200219.CraciunR.ParkS.GorteRJAnovelmethodforpreparinganodecermetsforsolidoxidefuelcells1999(111)20.陈杨.陈志刚.陈爱莲纳米CeO2磨料在硅晶片化学机械抛光中的化学作用机制[期刊论文]-润滑与密封2006(03)21.李进.何小彬.辜子英光学玻璃抛光材料用超细CeO2前驱体的制备[期刊论文]-稀有金属与硬质合金2003(03)22.翟水青稀土抛光粉的应用和发展1998(01)23.张鹏珍.雷红.张剑平纳米氧化铈的制备及其抛光性能的研究[期刊论文]-光学技术2006(05)24.MingSYPowersynthesisofnanogradeceriumoxideviahomogenousprecipitationanditspolishingperformenance200425.张风林.潘湛昌.张环华电化学法和沉淀法制备的纳米结构CeO2的微观结构比较2003(03)26.EricV.MichelD.GerardDSolvothermalsynthesisofceriumdioxidemicrocrystallites:effectofthesolvent200327.BondioliF.CorradiBonamartiniA.LeonelliCNanosizedCeO2powersobtainedbyfluxmethod199928.LiYongxiu.ZhouXuezhen.WangYongPreparationofnano-sizedCeO2bymechanochemicalreactionofceriumcarbonatewithsodiumhydroxide200329.RajendranA.TakahashiY.KoyamaMTight-bindingquantumchemicalmoleculardynamicssimulationofmechano-chemicalreactionsduringchemical-mechanicalpolishingprocessofSiO2surfacebyCeO2particle200530.王新.刘玉岭.康志龙铜CMP中SiO2抛光液的凝胶及其消除实验[期刊论文]-半导体技术2003(01)31.宋晓岚.吴雪兰.王海波化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展[期刊论文]-材料导报2004(12)32.王占银.孔勇发.陈绍林大直径铌酸锂晶片的化学机械抛光研究[期刊论文]-人工晶体学报2006(01)33.雷红.雒建斌.潘国顺纳米SiO2粒子抛光液的制备及其抛光性能[期刊论文]-润滑与密封2004(03)34.LiuYuling.ZhangKailiang.WangFangInvestigationonthefinalpolishingslurryandtechniqueofsiliconsubstrateinULSI200335.JiangM.NelsonO.WoodOnCMPofsiliconnitride(Si3N4)workmaterialwithvariousabrasives1998(01)36.宋晓岚.王海波.曲鹏水相体系纳米γ-Al2O3浆料的分散稳定性能研究[期刊论文]-材料科学与工艺2005(05)37.卢海参.雷红.张泽芳超细氧化铝表面改性及其抛光特性2002(02)38.梁遂芳.方向前磁性材料精加工用抛光剂的研制[期刊论文]-中原工学院学报2006(02)39.LeiHong.ZhangPengzhenPreparationofalumina/silicacore-shellabrasivesandtheirCMPbehavior2007(21)40.张楷亮.宋志棠ULSI关键工艺技术--纳米级化学机械抛光[期刊论文]-显微、测量、微细加工技术与设备2005(07)41.SinghRK.BajajRAdvancesinchemical-mechanicalplanarization2002(10)42.LuZYInvestigationofslurrysystemsinmetalanddielectricchemicalmechanicalpolishing200443.ChoiW.LeeSM.SinghRKMaterialsResearchSocietySymposium-Proceedings200144.HanserD.TutorM.PrebleESurfacepreparationofsubstratesfrombulkGaNcrystals2007相似文献(10条)1.期刊论文陆中.陈杨.LuZhong.ChenYang化学机械抛光浆料研究进展-半导体技术2009,34(12)化学机械抛光(CMP)作为目前唯一可以实现全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到集成电路芯片、计算机硬磁盘和光学玻璃等表面的超精密抛光.介绍了CMP技术的发展背景,以及目前国内外抛光浆料的研究现状,并根据CMP浆料磨料的性质,将其分为单磨料、混合磨料和复合磨料浆料,对每一种浆料做了总体描述.详细介绍了近年来发展的复合磨料制备技术及其在CMP中的应用,并展望了CMP技术的发展前景以及新型抛光浆料的开发方向.2.期刊论文宋晓岚.吴雪兰.王海波.曲鹏.邱冠周化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展-材料导报2004,18(12)随着半导体工业和集成电路(IC)工艺的飞速发展,化学机械抛光(CMP)作为目前唯一能提供超大规模集成电路(VLSI)制造过程中全面平坦化的一种新技术,已成为各国争相研究的热点.介绍了CMP技术的产生、优势、发展、理论、设备与耗材;着重介绍了SiO2浆料的国内外研究现状,并展望了CMP技术及SiO2浆料的研究开发和应用前景.3.学位论文杨海平半导体硅片化学机械抛光电化学与抛光速率研究2007集成电路(IC)是推动国民经济和社会信息化发展最主要的高新技术，也是改造和提升传统产业的核心技术。IC所用的半导体材料主要是硅和锗、砷化镓等，全球90％以上IC都采用硅片。高质量的硅晶片是芯片制造和IC发展的基础。制造IC的硅片不仅要求极高的平面度，极小的表面粗糙度，而且要求表面无变质层、无划伤。化学机械抛光(CMP)是制备表面无损伤硅片的最后工序，成为半导体制造技术中硅片加工的至关重要的一步。CMP过程实际上是磨粒磨损下的电化学过程，因此用电化学方法研究CMP具有十分重要的意义。本文运用电化学实验方法，以溶液化学、腐蚀电化学原理、摩擦磨损原理、流体力学边界层等相关理论为指导，采用旋转圆盘电极，系统研究和探讨了n(100)、n(111)、p(100)、p(111)半导体硅片在纳米SiO,2抛光浆料中的成膜行为、CMP中的电化学行为、抛光速率及CMP过程机理等。研究的内容及获得的主要结论如下：运用电化学直流极化和交流阻抗技术，研究了半导体硅片在纳米SiO,2抛光浆料中的腐蚀行为，探讨了pn值、SiO,2固含量、成膜时间和双氧水浓度等因素对成膜性质的影响。结果表明，pH值严重影响硅片的成膜，pH值为10.5时的钝化膜最厚，电化学阻抗图谱(EIS)测试结果显示，钝化膜厚度大约为5.989A；SiO,2固含量对硅片的腐蚀成膜没有影响；双氧水会加速硅片的成膜，随着双氧水浓度的增加，腐蚀电位不断提高，腐蚀电流密度逐渐减小：(100)晶面成膜速度较(111)晶面快。运用循环伏安线性电位扫描法研究了硅片在纳米SiO,2浆料中的成膜机理，根据峰电流随扫描速率不同而变化的规律，证明了成膜过程符合Müller模型。研究了CMP过程中，硅片的腐蚀电位和腐蚀电流密度随抛光压力、抛光转速、SiO,2固含量、浆料pH值以及双氧水浓度的变化规律。抛光压力、抛光转速以及SiO,2固含量的提高有助于表面膜的去除。研究发现，腐蚀电流密度在一定范围内基本上随抛光压力、抛光转速以及SiO,2固含量的增加而线性增大；浆料pH值严重影响硅片抛光时的腐蚀电位及腐蚀电流密度，pH值为10.5时，抛光时的腐蚀电流密度最大；H,2O,2的加入使得腐蚀电位升高、腐蚀电流密度增大。考察了硅片在纳米SiO,2浆料中CMP过程的抛光速率及其影响因素，探讨了抛光压力、抛光转速、SiO,2固含量、浆料pH值、双氧水浓度以及抛光时间等因素对抛光速率的影响规律。研究结果表明，抛光速率随抛光压力、抛光转速的增加而呈次线性方式增加；随SiO,2固含量的增加而增大，当浓度达到一定值时，就会发生材料去除饱和现象；抛光速率随浆料pH值和双氧水浓度变化曲线上都会出现一个峰值，在峰值处化学作用和机械作用达到一种动态平衡，抛光速率最大；随抛光时