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职业技能鉴定国家题库试卷2（高级维修电工）一、单项选择(第1题～第160题。选择一个正确的答案，将相应的字母填入题内的括号中。每题0.5分，满分80分。)1.在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（A）耦合方式。A、阻容B、直接C、变压器D、电感2.共发射极偏置电路中，在直流通路中计算静态工作点的方法称为（C）A、图解分析法B、图形分析法C、近似估算法D、正交分析法3.磁极周围存在着一种特殊物质，这种物质具有力和能的特性，该物质叫（b）。A、磁性B、磁场C、磁力D、磁体4.关于磁场的基本性质下列说法错误的是（D）。A、磁场具有能的性质B、磁场具有力的性质C、磁场可以相互作用D、磁场也是由分子组成5.关于相对磁导率下面说法正确的是（B）。A、有单位B、无单位C、单位是亨/米D、单位是特6.以下列材料分别组成相同规格的四个磁路，磁阻最大的材料是（C）。A、铁B、镍C、黄铜D、钴7.在一个磁导率不变的磁路中，当磁通势为5安·匝时，磁通为1WB；当磁通势为10安·匝时，磁通为（C）Wb。A、2.5B、10C、2D、58.在铁磁物质组成的磁路中，磁阻非线性的原因是（A）是非线性的。A、磁导率B、磁通C、电流D、磁场强度9.线圈中的感应电动势大小与线圈中（C）。A、磁通的大小成正比B、磁通的大小成反比C、磁通的变化率成正比D、磁通的变化率成反比10.根据电磁感应定律e＝－N（⊿Φ/⊿t）求出的感应电动势，是在⊿t这段时间内的（A）。A、平均值B、瞬时值C、有效值D、最大值11.空心线圈的自感系数与（C）有关。A、通过线圈电流的方向B、周围的环境温度C、线圈的结构D、通过线圈电流的时间长短12.与自感系数无关的是线圈的（D）A、几何形状B、匝数C、磁介质D、电阻13.自感电动势的大小正比于本线圈中电流的（D）。A、大小B、变化量C、方向D、变化率14.线圈自感电动势的大小与（D）无关。A、线圈中电流的变化率B、线圈的匝数C、线圈周围的介质D、线圈中的电阻15.互感电动势的大小正比于（D）。A、本线圈电流的变化量B、另一线圈电流的变化量C、本线圈电流的变化率D、另一线圈电流的变化率16.互感器是根据（C）原理制造的。A、能量守恒B、能量变换C、电磁感应D、阻抗变换17.感应炉涡流是（C）。A、装料中的感应电势B、流于线圈中的电流C、装料中的感应电流D、线圈中的漏电流18.涡流是（C）。A、感应电动势B、产生于线圈中的电流C、一种感应电流D、自感电流19.一个1000匝的环行线圈，其磁路的磁阻为500H-1，当线圈中的磁通为2Wb时，线圈中的电流为（C）。A、10B、0.1C、1D、520.使用JSS-4A型晶体三极管测试仪时，在电源开关未接通前，先将电压选择开关、电流选择开关放在（A）量程上。A、所需B、最小C、最大D、任意21.JSS-4A型晶体三极管测试仪是测量中小功率晶体三极管在低频状态下的h参数和（C）的常用仪器。A、击穿电压B、耗散功率C、饱和电流D、频率特性22.JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有（B）挡输出且连续可调，给被测管提供偏流。A、一B、二C、三D、四23.JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源部分有（B）的输出电压，供被测管偏压使用。A、1V和10VB、10V和30VC、30V和60VD、60V和100V24.用晶体管图示仪观察共发射极放大电路的输入特性时（D）。A、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于集电极电流B、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于集电极电流C、X轴作用开关置于集电极电压，Y轴作用开关置于基极电压D、X轴作用开关置于基极电压，Y轴作用开关置于基极电流25.用晶体管图示仪观察显示3AG1E的输出特性时（B）。A、基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“＋”B、基极阶梯信号和集电极扫描信号的极性开关都拨向“－”C、基极阶梯信号拨向“＋”，集电极扫描信号拨向“－”D、基极阶梯信号极性开关都拨向“－”，集电极扫描信号拨向“＋”26.JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（B）V。A、100B、200C、500D、100027.JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功率限制电阻的作用是（D）。A、限制集电极功耗B、保护晶体管C、把集电极电压变化转换为电流变化D、限制集电极功耗，保护被测晶体管28.用普通示波器观测正弦交流电波形，当荧光屏出现密度很高的波形而无法观测时，应首先调整（B）旋钮。A、X轴增幅B、扫描范围C、X轴位移D、整步增幅29.使用SB-10型普通示波器观察信号波形时，欲使显示波形稳定，可以调节（B）旋钮。A、聚焦B、整步增幅C、辅助聚焦D、辉度30.示波器面板上的“聚焦”就是调节（C）的电位器旋钮。A、控制栅极正电压B、控制栅极负电压C第一阳极正电压D第二阳极正电压31.示波器面板上的“辉度”是调节（A）的电位器旋钮。A、控制栅极负电压B、控制栅极正电压C、阴极负电压D、阴极正电压32.通常在使用SBT-5同步示波器观察被测信号时，“X轴选择”应置于（D）挡。A、1B、10C、100D、扫描33.使用SBT-5同步示波器观察宽度为50μm、重复频率为5000Hz的矩形脉冲，当扫描时间置于10μm挡（扫描微调置于校正）时，屏幕上呈现（A）A、约5cm宽度的单个脉冲B、约10cm宽度的单个脉冲C、约5cm宽度的两个脉冲D、约10cm宽度的两个脉冲34.观察持续时间很短的脉冲时，最好用（C）示波器。A、普通B、双踪C、同步D、双线35.同步示波器采用触发扫描时，要求触发扫描电压的工作周期（B）被测脉冲所需要观测的部位（一个周期、脉宽、前沿等）。A、远大于B、略大于或等于C、小于D、远小于36.使用SR-8型双踪示波器时，如果找不到光点，可调整（D），借以区别光点的位置。A、“X轴位移”B、“Y轴位移”C、“辉度”D、“寻迹”37.SR-8型双踪示波器中的“DC――⊥――AC”是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关，当此开关置于“⊥”挡时，表示（A）。A、输入端接地B、仪表应垂直放置C、输入端能通直流D、输入端能通交流38.SR-8型双踪示波器中的电子开关处在“交替”状态时，适合于显示（B）的信号波形。A、两个频率较低B、两个频率较高C、一个频率较低D、一个频率较高39.SR-8型双踪示波器中的电子开关有（D）个工作状态。A、2B、3C、4D、540.影响模拟放大电路静态工作点稳定的主要因素是（D）。A、三极管的β值B三极管的穿透电流C放大信号的频率D工作环境的温度41.在模拟放大电路中，集电极负载电阻Rc的作用是（C）。A、限流B、减小放大电路的失真C、把三极管的电流放大作用转变为电压放大作用D、把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用42.正弦波振荡器的振荡频率f取决于（D）。A、反馈强度B、反馈元件的参数C、放大器的放大倍数D、选频网络的参数43.低频信号发生器的振荡电路一般采用的是（D）振荡电路。A、电感三点式B、电容三点式C、石英晶体D、RC44.在多级直流放大器中，对零点飘移影响最大的是（A）。A、前级B、后缀C、中间级D、前后级一样45.直流差动放大电路可以（B）。A、放大共模信号，抑制差模信号B、放大差模信号，抑制共模信号C、放大差模信号和共模信号D、抑制差模信号和共模信号46.集成运算放大器的开环差模电压放大倍数高，说明（D）。A、电压放大能力强B、电流放大能力强C、共模抑制能力强D、运算精度高47.在硅稳压管稳压电路中，限流电阻R的作用是（B）。A、既限流又降压B、既限流又调压C、既降压又调压D、既调压又调流48.串联型稳压电路中的调整管工作在（A）状态。A、放大B、截止C、饱和D、任意49.或非门的逻辑功能为（A）。A、入1出0，全0出1B、入1出1，全0出0C、入0出0，全1出1D、入0出1，全1出050.TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（B）。A、零电平B、低电平C、高电平D、可能是低电平，也可能是高电平51.TTL与非门的输入端全部同时悬空时，输出为（B）。A、零电平B、低电平C、高电平D、可能是低电平，也可能是高电平52.或非门RS触发器的触发信号为（B）。A、正弦波B、正脉冲C、锯齿波D、负脉冲53.在或非门RS触发器中，当R=1、S=0时，触发器状态（B）。A、置1B、置0C、不变D、不定54.多谐振动器是一种产生（C）的电路。A、正弦波B、锯齿波C、矩形脉冲D、尖顶脉冲55.石英晶体多谐振动器的振荡频率（A）。A、只决定于石英晶体本身的谐振频率B、决定于R的大小C、决定于C的大小D、决定于时间常数RC56.一异步三位二进制加法计数器，当第4个CP脉冲过后，计数器状态变为（C）。A、000B、010C、100D、10157.一异步三位二进制加法计数器，当第8个CP脉冲过后，计数器状态变为（A）。A、000B、010C、100D、10158.如果需要寄存两位二进制数码，需用（B）个触发器。A、1B、2C、4D、859.寄存器主要由（D）组成。A、触发器B、门电路C、多谐振荡器D、触发器和门电路60.最常用的显示器件是（B）数码显示器。A、五段B、七段C、九段D、十一段61.国产YS系列荧光数码管的阳极工作电压为（D）。A、1.5VB、3VC、6VD、20V62.三相电动机负载及对整流电源要求较高的场合一般采用（C）整流电路。A、单相半波B、三相半波C、三相桥式半控D、三相桥式全控63.在三相桥式半控整流电路中，对于共阴极组晶闸管来说，只有（A）一相的晶闸管且有触发脉冲时才能导通。A、阳极电压最高B、阳极电压最低C、阴极电压最高D、阴极电压最低64.在三相半控桥式整流电路中带电阻性负载的情况下，能使输出电压刚好维持连续的控制角α等于（C）。A、30oB、45oC、60oD、90o65.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，两组三相半波电路使（A）工作的。A、同时并联B、同时串联C、不能同时并联D、不能同时串联66.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，负载电流是同时由（B）承担的。A、一个晶闸管和一个绕组B、两个晶闸管和两个绕组C、三个晶闸管和三个绕组D、四个晶闸管和四个绕组67.晶闸管斩波器是应用于直流电源方面的调压装置，其输出电压（D）。A、是固定的B、可以上调，也可以下调C、只能上调D、只能下调68.在简单逆阻型晶闸管斩波器中，（D）晶闸管A、只有一只B、有两只主C、有两只辅助D、有一只主晶闸管，一只辅助69.晶闸管逆变器输出交流电的频率由（D）来决定。A、一组晶闸管的导通时间B、两组晶闸管的导通时间C、一组晶闸管的触发脉冲频率D、两组晶闸管的触发脉冲频率70.在并联谐振式逆变器中，为求得较高的功率因数和效率，应使晶闸管触发脉冲的频率（C）负载电路的谐振频率。A、远大于B、大于C、接近于D、小于71.电力场效应管MOSFET是（B）器件。A、双极型B、多数载流子C、少数载流子D、无载流子72.电力场效应管MOSFET适于在（D）条件下工作。A、直流B、低频C、中频D、高频73.逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（D）。A、晶闸管B、电力晶体管C、可关断晶闸管D、电力场效应管74.电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）。A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和75.在斩波器中，采用电力场效应管可以（A）。A、提高斩波频率B、降低斩波器C、提高功耗D、降低斩波频率76.在斩波器中，采用电力场效应管可以（B）。A、增加低频谐波B、减少低频谐波分量C、增加输出功率D、降低输出功率77.电力晶体管GTR有（B）个PN结。A、1B、2C、3D、478.在电力电子装置，电力晶体管一般工作在（D）状态。A、放大B、截止C、饱和D、开关79.电力晶体管是（A）控制型元件。A、电流B、电压C、饱和D、频率80以电力晶体管组成的逆变器适于（C）容量的场合。A、特大B、大C、中D、小81.逆变器中的电力晶体管，工作在（D）状态。A、饱和B、截止C、放大