半导体制造工艺_07扩散(上)

半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)1掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等掺杂应用：BECppn+n-p+p+n+n+BJTpwellNMOS半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)2基本概念结深xj（JunctionDepth）薄层电阻Rs（SheetResistance）杂质固溶度（Solubility)半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)3杂质分布形状（dopingprofile）举例半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)41、结深的定义xj:当x=xj处Cx（扩散杂质浓度）=CB（本体浓度）器件等比例缩小k倍，等电场要求xj同时缩小k倍同时要求xj增大在现代COMS技术中，采用浅结和高掺杂来同时满足两方面的要求半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)52、薄层电阻RS（sheetresistance）方块电阻wtlRtljSxRRw薄层电阻定义为jSxR半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)6wlRwlxwxlAlRSjj方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。RS：表面为正方形的半导体薄层，在电流方向呈现的电阻。单位为/（既）RS：正方形边长无关其重要性：薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)7物理意义：薄层电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量q电荷，载流子迁移率，n载流子浓度假定杂质全部电离载流子浓度n=杂质浓度N则：Q：从表面到结边界这一方块薄层中单位面积上杂质总量qn11qnQqNxqxxRjjjS111半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)83、杂质固溶度（dopantsolidsolubility）固溶度（solidsolubility）：在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。电固溶度超过电固溶度的杂质可能形成电中性的聚合物，对掺杂区的自由载流子不贡献半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)9As在硅中的固溶度:21021cm-3As的电学可激活浓度:21020cm-3半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)10扩散的微观机制(a)间隙式扩散（interstitial）(b)替位式扩散（substitutional）间隙扩散杂质：O，Au，Fe，Cu，Ni，Zn，Mg替位扩散杂质：As，Al，Ga，Sb，Ge。替位原子的运动一般是以近邻处有空位为前题B，P，一般作为替位式扩散杂质，实际情况更复杂，包含了硅自间隙原子的作用，称填隙式或推填式扩散半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)11填隙式（interstitialassistedkick-out)或推填式扩散（Interstitialcy-assited)半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)12间隙原子推填子半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)13间隙式扩散：Au,Ag,Cu,Fe,Ni等间隙原子必须越过的势垒高度EiEi约为0.61.2eV跳跃几率和温度有关振动频率0＝1013～1014/s快扩散杂质T：绝对温度，k：玻尔兹曼常数kTEvPiiexp0半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)14在温度T，单位晶体体积中的空位数每一格点出现空位的几率为Nv/N，替位式原子必须越过的势垒高度为Es;Es约34eV跳跃几率为慢扩散杂质kTENNvacvexpkTEEvkTEvkTEPsvacsvacvexpexpexp00替位式扩散：B,P,As,Sb等半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)15)exp(0kTEDDaiEa：本征扩散激活能，D0和温度弱相关，而主要取决于晶格几何尺寸和振动频率v0表观扩散系数：Ea小，间隙扩散Ea大，替位扩散本征扩散系数D：cm2/sec当NA、NDni（在一定温度下）时，称为本征掺杂。020aD半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)16D0(cm2/s)Ea(eV)B1.03.46In1.23.50P4.703.68As9.173.99Sb4.583.88半导体工艺中常用掺杂原子在单晶硅中的本征扩散系数因子和激活能As的优势：小D，大固溶度半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)17扩散是微观粒子作无规则热运动的统计结果，这种运动总是由粒子浓度较高的地方向浓度低的地方进行，而使得粒子的分布逐渐趋于均匀。扩散的原始驱动力是体系能量最小化。扩散的宏观机制（diffusionfromamacroscopicviewpoint）扩散动力学半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)18费克第一定律xtxCDtxF,,C为杂质浓度（number/cm3)，D为扩散系数（cm2/s）。式中负号表示扩散是由高浓度处向低浓度处进行的（浓度有着负斜率，扩散朝着x的正向进行）浓度深度xCDFt1t2半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)19费克第二定律—浓度、时间、空间的关系Δt时间内该小体积内的杂质数目变化为这个过程中由于扩散进出该小体积的杂质原子数为单位体积内杂质原子数的变化量等于流入和流出该体积元的流量差AxAtxCttxC,,tAtxFtxxFtAtxxFtxF,,,,tAtxFtxxFxAtxCttxC,,,,半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)20费克第二定律22,,xtxCDttxCxtxCDtxF,,由假定D为常数xtxCDxxtxFttxC,,,扩散方程xtxFttxC),(),(半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)21特定边界条件下，扩散方程的解1、稳态时，浓度不随时间变化有xCI=0C*CsCgSiO2Si如氧化剂在SiO2中的扩散022xCDtCbxaC半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)222、恒定表面源扩散：表面杂质浓度恒定为Cs初始条件：C(x,0)=0,x0边界条件：C(0,t)=CsC(,t)=0实际工艺中，这种工艺称作“预淀积扩散”。即气相中有无限量的杂质存在，可以保证在扩散表面的杂质浓度恒定。解方程，得恒定扩散方程的表达式DtxCtxCs2erfc,C(x,t)为某处t时的杂质浓度Cs为表面杂质浓度，取决于某种杂质在硅中的最大固溶度erfc称作“余误差函数”半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)23erfc(x)=ComplementaryErrorFunction=1-erf(x)余误差函数性质：xx2)(erf对于x1xxx2exp1erf对于x100erf1erfxduux02-exp2erf2exp2erfxdxxd222exp4erfxxdxxdxdu-uxx2exp2erf1erfc01)(erfcdxx半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)24：称为特征扩散长度Dt1）掺杂总量为A和Cs/CB有关D与温度T是指数关系,因此T对结深的影响要较t大许多DtACCDtxsBj1erfc22）扩散结深为xj，则DtxCCjsB2erfc022erfcDtCdxDtxCQss半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)253）杂质浓度梯度DtxDtCxtxCs4exp,2梯度受到Cs、t和D（即T）的影响。改变其中的某个量，可以改变梯度，如增加Cs（As）。在p-n结处CB和Cs一定时，xj越深，结处的梯度越小。sBsBjsxCCCCxCxtxCj121erfcerfcexp2,半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)26余误差函数分布预淀积扩散扩散时间越长，杂质扩散距离越深，进入衬底的杂质总量越多。恒定表面源的扩散，其表面杂质浓度Cs基本由杂质在扩散温度（900－1200C）下的固溶度决定，而固溶度随温度变化不大。t1t2t3t1t2t3CB半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)273、有限源扩散：杂质总量恒定为QT在整个扩散过程中，预淀积的扩散杂质总量作为扩散的杂质源，不再有新源补充。如先期的预淀积扩散或者离子注入一定量的杂质，随后进行推进退火时发生的高温下扩散。初始条件：00,xC边界条件：0,tC0,TQdxtxC得到高斯分布DtxDtQtxCT4exp,2hxsCxC0,hxCsDelta函数半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)28DtADtCQDtCCDtxBTBsjln2ln22）扩散结深1）表面浓度Cs随时间而减少DtQtCCTS,03）浓度梯度txCDtxxtxC,2,在p－n结处BsjBxCCxCxtxCjln2,浓度梯度随着扩散深度（结深）增加而下降A随时间变化半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)29相同表面浓度归一化后，两种分布的比较—瞬时间，二者相似半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)30高斯函数分布推进(drive-in)退火扩散扩散时间越长，扩散越深，表面浓度越低。扩散时间相同时，扩散温度越高，表面浓度下降越多。用于制作低表面浓度的结和较深的p-n结。t1t2t3t1t2t3CB半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)31多步退火（推进）过程（Multipledrive-inprocess）当扩散系数相同时，当扩散系数不同时，(Dt)eff用来衡量扩散过程的热过程（thermalbudget）由于扩散系数成指数随温度增加，因此热过程主要由最高温度下的扩散来决定，别的一些步骤在决定扩散总量时可以忽略。预淀积控制剂量恒定剂量推进退火nefftttDDt...21......1221112211DDtDtDtDtDDteff半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)32二步扩散第一步为恒定表面浓度的扩散（Pre-deposition）（称为预沉积或预扩散）控制掺入的杂质总量1112tDCQ第二步为有限源的扩散（Drive-in），往往同时氧化（称为主扩散或再分布）控制扩散深度和表面浓度221112222tDtDCtDQC半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)33222224exp,tDxtDQtxCT01112,tDCdxtxCtQT因为当22222111214exp2,,tDxtDtDCttxC2211tDtD22112211ortDtDtDtD二步扩散的两种极端情况半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)34余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定杂质总量增加扩散深度增加高斯函数分布（Gaussian）表面浓度下降(1/t)杂质总量恒定结深增加关键参数Cs（表面浓度）xj（结深）Rs（薄层电阻）半导体制造工艺基础第六章扩散原理(上)35本节课主要内容1、掺杂工艺一般分为哪两步？结深？薄层电阻？固溶度？2、两种特殊条件下的费克第二定律的解及其特点？特征扩散长度？预淀积＋退火。预淀积：气固相预淀积扩散或离子注入。Rs：表面