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集成电路制造技术微电子工程系何玉定•早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。•1874年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。1引言基本器件的两个发展阶段•分立元件阶段（1905～1959）–真空电子管、半导体晶体管•集成电路阶段（1959～）–SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI集成电路从小规模集成电路迅速发展到大规模集成电路和超大规模集成电路，从而使电子产品向着高效能低消耗、高精度、高稳定、智能化的方向发展。什么是微电子工艺•微电子工艺，是指用半导体材料制作微电子产品的方法、原理、技术。•不同产品的制作工艺不同，但可将制作工艺分解为多个基本相同的小单元（工序），称为单项工艺。•不同产品的制作就是将单项工艺按需要顺序排列组合来实现的。微电子工业生产过程图前工序：微电子产品制造的特有工艺后工序npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例举例n+npn+ebc2微电子工艺发展历程•诞生:1947年12月在美国的贝尔实验室，发明了半导体点接触式晶体管，采用的关键工艺技术是合金法制作pn结。合金法pn结示意图加热、降温pn结InGeN-GeTheFirstTransistorfromBellLabsPhotocourtesyofLucentTechnologiesBellLabsInnovations•1958年在美国的德州仪器公司和仙童公司各自研制出了集成电路，采用的工艺方法是硅平面工艺。pn结SiO2Si氧化光刻扩散掺杂诞生JackKilby’sFirstIntegratedCircuitPhotocourtesyofTexasInstruments,Inc.•1959年2月，德克萨斯仪器公司（TI）工程师J.kilby申请第一个集成电路发明专利；•利用台式法完成了用硅来实现晶体管、二极管、电阻和电容，并将其集成在一起的创举。•台式法----所有元件内部和外部都是靠细细的金属导线焊接相连。仙童（Fairchild）半导体公司•1959年7月，诺依斯提出：可以用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线，这是解决元件相互连接的最好途径。•1966年，基尔比和诺依斯同时被富兰克林学会授予巴兰丁奖章，基尔比被誉为“第一块集成电路的发明家”而诺依斯被誉为“提出了适合于工业生产的集成电路理论”的人。•1969年，法院最后的判决下达，也从法律上实际承认了集成电路是一项同时的发明。•60年代的出现了外延技术，如：n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si。一般双极电路或晶体管制作在外延层上。•70年代的离子注入技术，实现了浅结掺杂。IC的集成度提高得以实现。•新工艺，新技术，不断出现。（等离子技术的应用，电子束光刻，分子束外延，等等）发展张忠谋：台湾半导体教父•全球第一个集成电路标准加工厂（Foundry）是1987年成立的台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为“晶体芯片加工之父”。张忠谋戈登-摩尔提出摩尔定律222•英特尔公司的联合创始人之一----戈登-摩尔•早在1965年，摩尔就曾对集成电路的未来作出预测。“摩尔定律”：集成电路上能被集成的晶体管数目，将会以每18个月翻一番的速度稳定增长。集成电路的集成度每三年增长四倍，特征尺寸每三年缩小倍2DROM集成度与工艺的进展年代1985年1988年1991年1994年1997年2000年集成度1M4M16M64M256M1G最小线宽1.250.80.60.50.350.18光刻技术光学曝光准分子电子束电子束X射线（电子束）摩尔定律：每隔3年IC集成度提高4倍•2002年1月：英特尔奔腾4处理器推出，它采用英特尔0.13µm制程技术生产，含有5500万个晶体管。•2002年8月13日：英特尔透露了90nm制程技术的若干技术突破，包括高性能、低功耗晶体管，应变硅，高速铜质接头和新型低-k介质材料。这是业内首次在生产中采用应变硅。•2003年3月12日：针对笔记本的英特尔·迅驰·移动技术平台诞生，采用英特尔0.13µm制程技术生产，包含7700万个晶体管。•2005年5月26日：英特尔第一个主流双核处理器“英特尔奔腾D处理器”诞生，含有2.3亿个晶体管----90nm制程技术生产。•2006年7月18日：英特尔安腾2双核处理器发布，含有17.2亿个晶体管----90nm制程技术生产。•2006年7月27日：英特尔·酷睿™2双核处理器,含有2.9亿多个晶体管，采用英特尔65nm制程技术。•2007年1月8日：65nm制程英特尔·酷睿™2四核处理器和另外两款四核服务器处理器。英特尔·酷睿™2四核处理器含有5.8亿多个晶体管。•2007年1月29日：英特尔酷睿™2双核、英特尔酷睿™2四核处理器以及英特尔至强系列多核处理器的数以亿计的45nm晶体管或微小开关中用来构建•电子产品发展趋势：更小，更快，更冷•现有的工艺将更成熟、完善；新技术不断出现。当前，光刻工艺线宽已达0.045微米。由于量子尺寸效应，集成电路线宽的物理极限约为0.035微米，即35纳米。•另外，硅片平整度也是影响工艺特征尺寸进一步小型化的重要因素。•微电子业的发展面临转折。上世纪九十年代纳电子技术出现，并越来越受到关注。未来•近10年来，“轻晶圆厂”（fab-light）或“无晶圆厂”（fabless）模式的兴起，而没有芯片设计公司反过来成为IDM（IntegratedDeviceManufacturer）。•5年前英特尔做45纳米时，台积电还停留在90纳米，中间隔了一个65纳米。但到45纳米，台积电开始“抢先半步”。即遵循“摩尔定律”的英特尔的路线是45、32、22纳米，台积电的路线则是40、28、20纳米。3微电子工艺特点及用途•超净环境、操作者、工艺三方面的超净，如超净室，ULSI在100级超净室制作，超净台达10级。•超纯指所用材料方面，如衬底材料、功能性电子材料、水、气等；Si、Ge单晶纯度达11个9。•高技术含量设备先进，技术先进。•高精度光刻图形的最小线条尺寸在深亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。•大批量，低成本图形转移技术使之得以实现。超净环境•21世纪硅微电子技术的三个主要发展方向–特征尺寸继续等比例缩小–集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)----SoC是一个通过IP设计复用达到高生产率的软/硬件协同设计过程–微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等----其核心是将电子信息系统中的信息获取、信息执行与信息处理等主要功能集成在一个芯片上，而完成信息处理处理功能。微电子技术的三个发展方向互连技术–铜互连已在0.25/0.18um技术代中使用；但是在0.13um以后，铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还有待研究开发工艺课程学习主要应用•制作微电子器件和集成电路•微机电系统(microelectromechanicolSystemMEMS)的所依托的微加工技术•纳米技术，如光刻—图形复制转移工艺，MBE等4本课程内容•重点介绍单项工艺和其依托的科学原理。•简单介绍典型产品的工艺流程，芯片的封装、测试，以及新工艺、新技术、工艺技术的发展趋势。第一单元硅衬底1单晶硅结构2硅锭及圆片制备3外延基本单项工艺第二单元氧化与掺杂第三单元薄膜制备第四单元光刻技术4氧化5扩散6离子注入7CVD8PVD9光刻10现代光刻技术11刻蚀第五单元工艺集成和测试封装12金属化与多层互连13工艺集成14测试封装课程内容框架图教材与参考书1.王蔚《微电子制造技术----原理与工艺》科学出版社20102.关旭东《硅集成电路工艺基础》北京大学出版20033.StephenA.C.《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社，20034.MichaelQuirk，JulianSerda.《半导体制造技术》，电子工业出版社,20045.刘玉岭等著,《微电子技术工程》，电子工业出版社，2004集成电路制造过程设计芯片检测单晶、外延材料掩膜版芯片制造过程封装测试系统需求硅片与晶片（chip）集成电路集成电路工艺1.衬底加工及清洗2.热氧化3.图形转移4.掺杂：扩散、离子注入5.刻蚀6.薄膜工艺：外延、溅射、蒸发7.金属化及多层布线第一章：超大规模集成电路硅衬底加工技术CrystalseedMoltenpolysiliconHeatshieldWaterjacketSinglecrystalsiliconQuartzcrucibleCarbonheatingelementCrystalpullerandrotationmechanismCZCrystalPullerFigure4.10SiliconIngotGrownbyCZMethodPhotographcourtesyofKayexCorp.,300mmSiingotPhoto4.1单晶硅片CrystalGrowthShapingWaferSlicingWaferLappingandEdgeGrindEtchingPolishingCleaningInspectionPackagingBasicProcessStepsforWaferPreparationFigure4.19硅单晶的加工成型技术硅片加工：将硅单晶棒制作成硅片的过程滚圆（rounding）－X射线定位（x－rayorientation）－切片（slicing）－倒角（edgecontouring）－硅片研磨（lapping）－清洗（cleaning）－化学腐蚀（etching）－热处理（heattreatment)硅片加工的目的1、提高硅单晶棒的使用率2、制造硅片二个高平行度与平坦度的洁净表明3、维持硅片表面结晶性能、化学性能与电特性等性质与其内层材料一致，力图避免出现位错、微裂纹、应力等缺陷，以免影响半导体中载体的形成单晶锭外形整理单晶锭外形整理包括：切割分段、外圆滚磨、定位面研磨1、切割分段切除籽晶、肩部、尾部的直径小于规格要求的部分及电阻率和完整性不符合规格要求的部分切割前加热单晶锭到100℃，用粘结剂将石墨条粘贴在切缝底部，切割速度7mm/min以下，以避免破损2、外圆滚磨包括液体磨料研磨和砂轮研磨液体研磨：去除单晶锭表面毛刺砂轮研磨：使晶锭直径达到规格要求的尺寸3、研磨定位定位面研磨：沿晶锭轴线方向在晶锭表面研磨1或2个平面主定位面的主要作用：A在自动加工设备中作为硅片机械定位的参考面；B作为选定芯片图形与晶体取向关系的参考；C在吸片或装硅片时可以选择固定的接触位置减少损坏。副定位面的作用：识别硅片晶向和电导类型的标志。直径等于或大于8英寸的晶片不磨定位面，而沿长度方向磨一小沟WaferIdentifyingFlatsP-type(111)P-type(100)N-type(111)N-type(100)Figure4.21WaferNotchandLaserScribeNotchScribedidentificationnumberFigure4.22FlatgrindDiametergrindPreparingcrystalingotforgrindingIngotDiameterGrindFigure4.20切片切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。切片流程：切片1.晶棒粘着：用腊或树脂类粘结剂将晶棒粘在同长的石墨条上，石墨起支撑、防边沿崩角、修整锯条。粘前用三录乙烯清洗表面，120～150℃1小时预热，80℃粘着。2.结晶定位：保证结晶方向的偏差在控制范围内，试切－切片3.切片：内径切割（IDSlicing）、线切割（wire－sawslicing）。内径切割－环形金属锯片内径边缘镶有金刚石，单片切割；线切割－利用高速往复移动的张力钢线上的陶瓷磨料切割晶棒，可同时切割多片。切片决定晶片四个参数：表面方向（surfaceorientation）如111或100厚度（thickness）0.5mm～0.7mm，由晶片直径