第一章二极管及整流电路练习题

晶体二极管及整流电路练习题一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）A.多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管6、稳压二极管稳压时，其工作在()，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D.不确定7、发光二极管发光时，工作在()。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．不确定8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A.增大B.减小C.不变D.等于零9、稳压二极管是利用PN结的（）。A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()。A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大12、电路如下图所示，设二极管D1，D2，D3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=（）。A.－2VB.0VC.6VD.12V二、判断题：13、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）23、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）24、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（）25、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）26、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）27、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）28、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）29、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）30、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（）三、填空题：13、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。0V6V2V12VRD3D2D1uO+-14、PN结是靠多数载流子的运动和少数载流子的运动形成的。15、PN结中内电场阻止的扩散，推动的漂移运动。16、二极管的特性是，场效应管是控制型器件。17、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。18、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管,则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。19、二极管最主要的特性是。20、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。21、整流二极管的整流作用是利用PN结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的特性。四、分析作图题：31、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。32、需要一单相桥式整流电容滤波电路，电路如图4-16所示。交流电源频率50fHz，负载电阻RL=120Ω，要求直流电压Vo=30V试选择整流元件及滤波电容。33、上题图所示的单相桥式整流、电容滤波电路。用交流电压表测得变压器副边电压V2=20V。现在用直流电压表测量RL两端的电压Vo，如果出现下列几种情况时，试分析哪些是合理的？哪些表明出了故障？并指出原因。（1）Vo=28V；（2）Vo=24V；（3）Vo=18V；（4）Vo=9V~CvoRLv2图4-16例4-3的图