SDC6066-CN---锂电保护IC

数据手册2012.01Rev1.01/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司是一款高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护IC，具备高精度电压检测和延迟功能，以及完善的保护功能，包括过充、过放、过流和短路保护等。该IC不仅针对手机锂电池，而且还可用于其它家电的锂离子和锂聚合物电池。应用单节锂离子电池单节锂聚合物电池特点高精度过充保护检测电压（±50mV）低静态电流(典型：3.5uA)低休眠电流(典型：1.5uA)过充电压保护、过放电压保护两级过流保护检测电压延迟时间内置，不需外加电容SOT23-6超小型封装管脚描述图1管脚排布表1管脚描述编号名称描述1OD放电控制用MOSFET栅极连接端子2CS电流采样和充电器检测输入端子3OC充电控制用MOSFET栅极连接端子4TD延迟时间测定用测试端子5VCC正电源输入端子6GND负电源输入端子数据手册2012.01Rev1.02/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司功能框图极限参数（注意：应用不要超过最大额定值，以防止损坏。长时间工作在最大额定值的情况下可能影响器件的可靠性。）表2最大额定值参数符号参数值单位VCC和GND之间输入电压VCCGND-0.3toGND+10VOC端输出电压VOCCS-0.3toVCC+0.3VOD端输出电压VODGND-0.3toVCC+0.3VCS端输入电压VCSVCC-36toVCC+0.3V封装热阻θJA200℃/W储存温度TST-40~+125℃工作温度Ta-40~+85℃分频器控制逻辑TDVCC控制逻辑GNDODOCGNDGNDGNDGNDGND过充电检测比较器过放电检测比较器短路检测比较器过流检测比较器充电器检测比较器振荡器控制逻辑CS数据手册2012.01Rev1.03/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司电气特性（若无特别指明，Ta=25℃，Vcc=3.6V）参数符号测试条件下限典型上限单位检测电压过充检测电压VOCP-4.254.304.35V过充释放电压VOCR-4.054.104.15V过放检测电压VODP-2.302.402.50V过放释放电压VODR-2.903.003.10V充电器检测电压VCHVcc=2.7V-1.2-0.7-0.2V过流保护电压VOIPVcc=3.6V100130160mV短路保护电压VSIPVcc=3.6V1.051.201.35V自耗电正常工作状态自耗电ICCVcc=3.6V-3.56.0µA静态休眠模式自耗电IPDVcc=2.0V-1.53.0µA检测延迟时间过充电压延迟时间TOC--80120ms过放电压延迟时间TODVCC=3.0Vto2V-4060ms过流1延迟时间TOIPVCC=3.6V-1020ms短路延迟时间TSIPVCC=3.6V-550us端口电平电压OD端子“高”电平电压VDOHIDH=10uAVCC-0.1VCC-0.02-VOD端子“低”电平电压VDOLIDL=10uA-0.10.5VOC端子“高”电平电压VCOHICH=10uAVCC-0.1VCC-0.02-VOC端子“低”电平电压VCOLICL=10uA-0.10.5V表3电气特性数据手册2012.01Rev1.04/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司目前主要用于电池的保护，有过充保护，过放保护，过流保护等功能。正常工作模式如果没有异常情况就可以对电池进行充放电，这种情况称为正常工作模式。过充电保护正常状态下，对电池进行充电，当电芯电压（即VCC端电压，下面统称VCC）超过过充检测电压VOCP，且维持时间超过过充电压检测延迟时间TOC时，则SDC6066关断外部充电控制用MOSFET开关管，断开充电回路停止充电，进入过充电压保护状态。以下任意条件可以使SDC6066从过充电压保护状态恢复到正常状态：1、VCC电压通过自放电下降至过充检测恢复电压VOCR；2、VCC电压低于过充检测电压VOCP，并且电池存在负载通路。当电池电压高于VOCP时，即使存在负载通路过充条件也不会释放。过放电保护在正常条件下，对电池进行放电，当电芯电压掉至过放检测电压VODP以下，并且持续时间超过过放电压检测延迟时间TOD时，SDC6066关断外部放电控制用MOSFET开关管，切断放电回路停止放电，进入过放电压保护状态。默认的过放延迟时间是40ms。以下任意条件可以使SDC6066从过放电压保护状态恢复到正常状态：1、充电器未连接情况下，电池电压自恢复至过放恢复电压（VODR）以上；2、充电器连接情况下,CS引脚电压小于充电器检测电压VCH，且电池电压上升至过放检测电压(VODP)以上。过流保护电池在正常工作模式下，SDC6066通过采样CS引脚上电压持续监控放电电流。如果CS引脚上电压超过过流保护电压点（VOIP），且持续时间超过过流保护检测延迟时间（TOIP）,则SDC6066通过OD端子关断放电控制用MOSFET，断开放电回路停止放电。当释放负载或者BATT+到BATT-的阻抗大于500KΩ左右，芯片从过流状态回到正常状态。SDC6066提供两种带有不同检测延迟时间（TOIP和TSIP）的过流电压检测电平（0.13V和1.20V）。数据手册2012.01Rev1.05/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司©2012绍兴光大芯业微电子有限公司©2012绍兴光大芯业微电子有限公司©2012绍兴光大芯业微电子有限公司放电控制---阈值电压≤过放电检测电压*1，门极和源极间耐压≥充电器电压。*2M2NchannelMOSFET充电控制---阈值电压≤过放电检测电压*1，门极和源极间耐压≥充电器电压。*2R1ResistorESD保护电源变动保护470Ω300Ω1KΩ为了避免因消耗电流引起的过充电检测精度的降低，请尽可能取最小的数值。C1Capacitor电源变动保护0.1uF0.022uF1.0uF请务必在VCC-VSS间加载0.022uF以上的电容。*3R2Resistor充电器反向连接保护2KΩ300Ω4KΩ为了减小充电器反向连接时流入的电流，请尽可能取最大的值。*4表4外接元器件参数注：*1.使用的MOSFET阈值电压较高，有可能产生MOSFET电流无法完全关断的情况。使用的MOSFET阈值电压在过放电检测电压以上场合，有可能发生过放电检测前停止放电。*2.门极和源极间耐压在充电器电压以下的场合，MOSFET有损坏的可能。*3.如在C1处加载少于0.022uF的电容，在负载检测短路时OD有可能发生脉冲式震荡。所以在C1处加载的电容一定要大于0.022uF。*4.在R2处加入大的电阻的场合，由于充电器反向连接时电流从充电器负端流向VCC端子，VCC-GND间的电压存在超过最大额定值的可能。在R2处请加载300Ω以上的电阻。数据手册2012.01Rev1.09/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司选择因为预置了过流保护电压值，所以过流检测门限电流值由充电和放电用MOSFET的导通电阻决定。外部MOSFET的导通电阻可以由以下公式决定：RON=VOIP/(2*IT)(IT是过流检测门限电流值)。例如，过流检测门限电流值设计为3A，那么外部MOSFET的导通电阻一定是21mΩ。注意MOSFET的导通电阻会随着发热引起的温度变化而变化，同时该值也会随着栅源电压值的改变而变化。过流检测门限电流的设计值随着导通电阻的变化而变化。减少来自充电器的纹波和干扰为了减少来自充电器的纹波和干扰，建议VCC端子连接R1和C1。CS引脚的保护CS引脚上串接R2用来保护当芯片处在过放电保护时接上充电器或者充电器反向连接时引起的闩锁。封装数据手册单节锂电池保护ICSDC6066绍兴光大芯业微电子有限公司重要声明本文件仅提供公司有关产品信息。对本文件中描述的产品和服务，绍兴光大芯业微电子有限公司有权在没有通知的任何时间进行更改、更正、修改和改进。绍兴光大芯业微电子有限公司对产品的任何特定用途不承担任何责任，也不承担对任何超出产品应用或使用所产生的责任。绍兴光大芯业微电子有限公司没有在其专利或其他权利上设置任何许可。©2012绍兴光大芯业微电子有限公司-保留所有权利联系我们：绍兴总公司地址：浙江省绍兴市天姥路13号邮编：312000电话：[phone]传真：[phone]深圳分公司地址：深圳市福田区南园路68号上步大厦22A邮编：518031电话：[phone]传真：(86)0755-830185282012.01Rev1.010/10©2012绍兴光大芯业微电子有限公司