第一章：TD-LTE室分系统技术介绍

第一章：TD-LTE室分系统技术介绍目录二TD-LTE室分规划设计方案一TD-LTE室分关键技术分析三TD-LTE与2G&3G室分对比四多系统共建室分的设计要点一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分性能关键要素接入网元+信号传输网络+室分天线（信源接入子系统）+分布子系统）+（覆盖子系统）室分吸顶天线耦合器WLAN合路器WLANAP功分器室分壁挂天线2G信源2G信源LTE信源室分器件天线频段支持？不同频段室分覆盖效果？双通道室分建设的要求？FDD-LTE（1.8GHz）？TD-LTE（2.6GHz）？多频合路器一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分器件和天线选型要求--互调干扰影响TD-S&TD-LTE&GSM多系统合路共用室分系统多系统、多载波、高负荷，对于前端器件指标要求高。平均功率容量不足:信号可能会产生毛刺易产生上行干扰峰值功率容量不足：易产生上行干扰严重情况易发生器件打火击穿导致损坏互调指标不达标：产生同邻频干扰，造成通话质量下降影响基站上行信号接收互调干扰造成相邻系统无法正常运行落入上行频段的低阶互调落入上行频段的高阶互调一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件指标对网络的影响一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件选取●互调指标为PIM3:-120dBc@2*43dBm的无源器件适合于2W/每载波及以下小功率场景，降低组网成本；●互调指标为PIM3:-130dBc@2*43dBm的无源器件适合于2W/每载波至20W/每载波场景，提高网络质量；●互调指标为PIM3:-140dBc@2*43dBm的无源器件适合于20W/每载波以上超大功率环境，提高网络质量。根据室内分布系统不同节点的馈入功率等级，合理选用无源器件类别。集采常规型器件(应用于室分后级)HQ（N型）器件(应用于室分中级)HQ（Din型）器件(应用于室分前级)一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分器件和天线选型要求--器件选取集采常规型高端N型高端DIN型1、频段范围：800-27002、平均功率：300W3、峰值功率：1000W4、三阶互调：-130dBc1、频段范围：800-27002、平均功率：500W3、峰值功率：1500W4、三阶互调：-140dBc1、频段范围：800-25002、平均功率：200W3、峰值功率：无要求4、三阶互调：-120dBc集采常规型产品满足一般场合的室内分布系；多系统、多载波、高负荷室分场景难以满足。HQ器件指标高，符合复杂室分场景；支持运营商新系统、多系统接入要求。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分器件和天线选型要求--室分器件2.6GHz测试现有室分器件和天线指标不支持2.6GHz；不同个体存在差异，大部分会有恶化趋势。现有器件在2.6GHz的性能测试（抽检）：原3G室利旧用于TD-LTE(2.6GHz)覆盖：建议更换所有无源器件和室分天线，则原室内分布只剩下馈线可利旧，改造工程量非常大、施工麻烦、建设周期长、物业协调难度剧增。适合重新物业协调容易、原天馈布线简单、原无源器件和天线标签清晰、建设周期要求不高的场景。TD-LTE(2.6GHz)室分新建或新解决方案：1）新建TD-LTE（2.6GHz）室内分布系统；2）采用新解决方案（光纤分布、SmallCell）。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求5m6dB耦合器30m二功分30m10mANT3G:5dBm3G:UE3G:-85dBm3G信源RSCP：30dBmLTE信源RSRP:?dBm3G设备总功率20W(43dBm)LTE设备总功率?LTE:UELTE:?dBmLTE:-105dBm覆盖传播距离d为（米）20dB耦合器室内天馈分布系统损耗PLdas(dB)=基站输出功率-天线口功率空间传播损耗PLair(dB)=自由空间损耗+遮挡损耗移动TD-LTE室内覆盖与原TD-SCDMA室分系统合路，需考虑两者的同步覆盖：TD-LTE和TD-SCDMA合路共用天馈分布，两者边缘覆盖场强需同时满足要求。信源分布系统损耗+空间损耗+遮挡损耗终端一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求遮挡损耗馈线损耗（百米损耗）遮挡损耗混泥土墙混泥土楼板天花板金属楼梯900MHz15dB4dB1~2dB2dB1800MH17dB8.5dB1~6dB4dB2100MHz18dB10dB1~8dB5dB2400MHz19dB11.5dB1.4~9dB7dB2600MHz20dB12.5dB2.4~10dB8dB馈线类型900MHz1800MHz1900MHz2100MHz2300MHz2400MHz2500MHz2600MHz1/2〞61010.310.611.411.712.112.57/8〞45.75.856.056.66.97.17.3遮挡损耗1m5m10m15m900M31.545.551.555.01800M37.551.557.561.02100M38.852.858.862.42400M40.054.060.063.52600M40.754.760.764.2自由空间损耗TD-SCDMA系统：2100MHz；TD-LTE系统：2300MHz两个系统的频段相近，其馈线损耗和传播损耗特性类似。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析链路预算分析TD-LTE覆盖指标：RSRP≥-105dBm;TD-SCDMA覆盖指标：RSRP≥-85dBm。5m6dB耦合器30m二功分30m10m3G:5dBm3G:UE3G:-85dBm3G信源RSCP；30dBmLTE信源RSRP：12.2dBm3G设备总功率20W(43dBm)LTE设备总功率20W(43dBm)LTE:UELTE:-13.5dBmLTE:-105.5dBm覆盖传播距离d为（米）20dB耦合器室内天馈分布系统损耗PLdas(dB)=25dB+0.5dB=25.5dB空间传播损耗PLair(dB)=92dB+1dB+1dB=94dB天线增益2dBi室内天馈分布系统损耗PLdas(dB)=基站输出功率-天线口功率=30–5=25dB空间传播损耗PLair(dB)=自由空间损耗+遮挡损耗=天线口功率+天线增益-边缘指标=5+2-（-85）=92dB设备输出功率RSRP:12dBm天线口输入RSRP功率:12-28.5=-13.5dBmLTE终端接收功率:-13.5+2-94=-105.5dBmTD-SCDMA:2100MHzTD-LTE:2300MHz(20MHz)一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析2.3G频段TD-LTE可与TD-S系统直接合路；2.6G频段与3G直接合路覆盖稍有不足。链路预算项目TD-SCDMATD-LTETD-LTE系统频段（MHz)210023002600载波（MHz)1.6MHz20MHz20MHzPldas「分布系统」基站功率(dBm)434343导频功率(dBm)301212分布损耗(dB)2525.526天线口功率(dBm)5-13.5-14天线增益(dBi)222天线口EIRP(dBm)7-11.5-12Plair「无线传播」最远覆盖距离(米）101010自由空间损耗（dB)58.859.660.7衰落余量（dB)101010墙体损耗（dB)181920干扰储备（dB)555边缘信号电平（dBm)-84.8-105.1-107.7边缘接收电平要求（dBm)-85-105-105一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--同步覆盖分析TD-SCDMA2100MHz覆盖(20W）颜色区间TD-LTE系统覆盖(20W/每通道，20MHz)TD-LTE频段2.3GHz2.6GHz占比场强区间（dBm）场强区间（dBm）百分比百分比78.0%[-75,0][-85,0]75.3%72.9%10.0%[-85,-75][-95,-85]8.2%6.8%7.5%[-95,-85][-105,-95]9.3%9.0%4.5%[-130,-95][-135,-105]7.2%11.3%TD-LTE2.6GHzTD-SCDMA2100系统TD-LTE2.3GHzLTE双网融合提升用户业务体验：信号覆盖、信号质量、业务容量！LTE系统制式不同，频段有差异，传统室内分布系统融合建网困难。2.3GHzTD-LTE室分覆盖仿真2.1GHzTD-S室分覆盖仿真95.5%2.6GHzTD-LTE室分覆盖仿真88.7%一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE室分多系统同步覆盖要求--原3G室分2.6GHz改造3G室内覆盖TD-LTE室内覆盖TD-LTE室内覆盖3G室内覆盖改造后：3G&TD-LTE室分同步覆盖天线分裂“小功率，多天线”改造前：利旧3G室分TD-LTE覆盖不足LTE弱覆盖LTE覆盖盲区注：3G系统为2.1GHz频段，TD-LTE为2.6Hz频段；原室分器件和天线支持2.6GHz频段，否则需更换。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE双通道室分性能建设要求--双流性能测试测试结论：双通道室分对于下行速率有较大提升，上行远点有改善。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE双通道室分性能建设要求—双流功率平衡双通道天线功率差5dB实测分析：随着LTE双通道室分两路功率不平衡加剧，系统性能成下降趋势！测试结论：从系统性能和工程实施等角度考虑，通道功率差异应在5dB以内。近、中、远点平均统计分析下行吞吐量下降6.8%上行吞吐量下降8.8%远点位置统计分析下行吞吐量下降20.2%上行吞吐量下降27.8%工程建议：信源预留2～3dB功率，新建支路侧增加衰减器，验收增加评估。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE双通道室分性能建设要求--单/双极化天线MIMO测试综合考虑测试结论及工程安装实际条件（TD-LTE2.3GHz），结论及建议：天线间距在10λ=1.25m最佳；安装受限，天线间距应不小于4λ=0.5m。两个单极化不同间距MIMO性能测试天线间距上行（Mbps）下行(Mbps)123平均123平均2λ12.712.512.112.559.557.360.058.94λ13.613.013.413.360.760.364.761.910λ12.914.313.113.461.762.657.360.515λ13.813.614.514.054.657.353.455.1两个单极化和1个双极化天线的MIMO测试（单位：Mbps）天线配置下行近点吞吐量下行中点吞吐量下行远点吞吐量单极化天线间距1.25m18.015.811.1双极化天线16.215.09.1室分双极化天线和两个单极化天线性能差异不大；室内天线安装受限或物业协调难度大场景选取双极化天线。一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE双通道室分性能建设要求--双通道天线布放要求系统制式TD-LTETD-LTE系统频率2.3GHz2.6GHzλ波长（米）0.13米0.12米4λ（米）0.5米0.5米10λ（米）1.3米1.2米为满足不同频段LTE系统室分MIMO的要求，建议形成MIMO的两个单极化天线布放间距为0.5米～1.3米。在可视环境，如商场、超市、停车场、机场等，MIMO天线情况下，覆盖半径取10-16米；在多隔断，如宾馆、居民楼、娱乐场所等，MIMO天线情况下，覆盖半径取6-10米LTE室分覆盖半径建议一、TD-LTE室分关键技术分析TD-LTE双通道室分性能建设要求--双通道方案设计要求同一平面画双路由方案，准确标注双路天线安装位置及间距；双通道室分的天线口功率都需要分别计算，用不同颜色表示；双通道室LTE系统框架图，画出两路和其余系统的连接示意图。一、TD-LTE