MstarMSG21XXA设计规范V30_PowerStar_电子电路_工程

Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedMstarMSG21xxA设计规范V3.0Mstar2014.11.18Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved版本更新记录V1.0：2014.7.16V2.0：2014.8.14优化点：新增FPC中GR走线以及过孔摆放注意事项。V3.0：2014.11.18优化点：修改21XXAFPCBOM表；新增SENSOR中按键附近GR加宽具体设计描述；新增FPC金手指GND连接注意事项；新增FPC关于EMI膜和钢片关于GND开窗注意事项；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved主要内容BOM表更新IC方案选型SENSOR设计要点FPC设计要点Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedBOM表更新21XXABOM表三个电容：1uF/10V/X5R，注意耐压为10V。一个TVS管：推荐型号ESD9B5.0ST5G（双向，5VVrwm，ESD15KV）。21XXABOM表C1，C2，C31uF/10V/X5RD1推荐型号ESD9B5.0ST5G（双向，5VVrwm，ESD15KV）Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved自容IC：MSG2133A：30sensor，4寸及4寸以下，单点加手势；MSG2138A：38sensor，4寸~5寸，分区两点；MSG2142A：42sensor，5寸~6寸，分区两点；MSG2156A：46sensor，6寸~7寸，分区两点；IC方案选型注意点：1.4寸以上不建议用横三角，而用分区两点；2.全ITO不建议用横三角，而用分区两点；3.5寸项目可以用2138A或2142A，但是重点客户优先选用2142A，规格更好。IC方案选型Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点Sensor通道选择（一）通过评估表评估；横三角：MstarMSG21XXACapTrianglePatternTouchSolutionEvaluationTableV0.4.xls分区：MstarMSG21XXA2R+HBCapTrianglePatternTouchSolutionEvaluationTableVer0.5.xls黄光全ITO：MstarMSG21XXA2R+HB+FullITOforG-GReticleCapTrianglePatternTouchSolutionEvaluationTableVer0.3.xlsCopyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点Sensor通道选择（二）注意事项1.ITOGAP选0.2~0.3mm。如果ITO是干刻工艺，GAP不能直接做0.04/0.05mm，而要中间切成dummy块，并且dummy块不能一整条，要切成小段。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点Sensor通道选择（三）2.SupportAccuracy尽量做小些，一般不能超过8mm（对应sensor图纸Bar宽+Gap不超过8.5mm）；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点Sensor通道选择（四）3.一个BAR尽量做4个三角形，特别是分区项目；4.通道足够就用独立按键并做dummysensor。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点邦定pad（一）1.有多余通道就加上dummysensor；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点邦定pad（二）2.走线是银浆干刻时，边缘（横三角是上边缘，分区是左右边缘）第一根通道最好做dummysensor，如果没多余通道就做GR（要加GR邦定pad），而最后如果fpc空间不够不能做多余的邦定pad就做无连接的dummy，但是请打碎。不能直接做sensor，也不能不打碎。效果来看从好到坏依次是dummysensorGR打碎的无连接dummy。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点ITO外扩（一）横三角：上边缘ITO外扩VA区0.15~0.3mm；下边缘ITO外扩VA区一个三角形；左右两边ITO和VA区平齐，或者超过VA区0~0.3mm；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点ITO外扩（二）分区：上边缘ITO顶边与VA区平齐；下边缘ITO顶边外扩VA区0~0.5mm（一般建议0.2/0.3mm）；左右边缘至少外扩VA区0.5mm，有空间务必要外扩一些，最好1mm；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点ITO外扩（三）常出现的问题：一、左右边有空间不外扩，造成左右边缘效果很难达到客户要求；二、下边缘外扩过多，造成手摸VA区下方报点；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点S0固定正视图时，横三角S0固定在ITO的左上方，分区S0固定在ITO的左下角，不能弄反。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点分区大边ITO宽度（一）上边缘大边ITO+银浆宽度为0.8~1mm，尽量做一致；下边缘大边ITO+银浆宽度为1~1.2mm，尽量做一致；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点分区大边ITO宽度（二）特别地，左上角和右下角大边搭接做大（比其它大边多0.3~0.5mm），小边做小。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点中间连接的ITO宽度一般做0.3mmCopyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点ITO三角形请做标准，上面有一小截是直线；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点上下半区的ITO长度要保持一致，如图将上下半区叠在一起长度一致；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点短边搭接宽度建议0.4/0.5mm，不宜太大。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点下半分区同一个Bar（同一组三角形）的两个sensor通道走线走同一侧（同左边或者同右边）Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点下半分区靠最外面的短边的走线宽度请保持和别的走线一致，它的干刻线走线不能直接顶住银浆造成它的走线宽度很大。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点邦定pad出线收缩，银浆走线往下做阶梯形，以免手摸邦定pad附近乱报点。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点独立按键大小一般做5*6mm（面积30以上，形状大小视结构、TP尺寸、按键丝印而定），复合按键大小至少7*7mm（面积49以上，形状视结构而定，GAP0.3mm左右）。按键与下半分区sensor通道的银浆走线尽量保持2mm以上的间距，并且按键的走线和下半分区的ITO不要留空白；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点GR走线线宽保持0.3mm以上，空间不够时至少0.25mm。按键附近的GR请按以下示意图加粗：按键附近天线净空区2mm以外的GR线宽尽量做2mm，天线净空区的GR保持0.3/0.25mm不变。请客户尽量提供手机天线净空区位置，如果没有提供天线净空区位置的按键附近的GR线不加宽。天线净空区内的GR不加宽以免干扰天线。黄色线以下为天线净空区2mm2mmGR2mm2mm2mm2mm2mm2mm2mm2mm2mm2mmCopyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点GR银浆加粗Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点GR采用ITO搭银浆加粗实际图纸中常用ITO搭银浆来做GR加粗，但是要注意银浆不能只搭ITO两头，用做GR的ITO四周边缘都要搭上银浆，并且注意银浆和ITO的安全间距。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点GR加宽要避免以下错误：1.GR加宽到了天线净空区内或者离天线净空区距离不够；2.GRITO与银浆的安全间距及搭接宽度不够；3.ITO做GR加宽时GR银浆只搭在GRITO两头（正确做法是GR银浆依然绕VA区一圈）；4.ITO做GR时离sensor边缘距离太近；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点干刻线离银浆保持0.2/0.25mm以上间距；Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.Allrightsreserved玻璃全ITO设计（一）下半分区ITO走线从上半分区ITO三角形中间穿下来，中间ITO走线线宽一般为0.25mm，三角形顶边和GAP一般为0.2mm。SENSOR设计要点Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点玻璃全ITO设计（二）评估表将中间ITO走线线宽线距、三角形顶边和GAP已设定好了。Copyright©2012MStarSemiconductor,Inc.AllrightsreservedSENSOR设计要点玻璃全ITO设计（三）下半分区ITO三角形中间的空白处填充GR。如果全部是独立按键，中间的填充的GR可以直接和外围的GR连通起来，但是要注意的是当为复合按键时，两部分GR被按键走线隔开，中间的GR连通要多增加两个GR邦定pad才能连通。KeyG.R.G.R.ThegapbetweentrianglesensorandGR.1sttriangleregionKeyG.R.G.R.KeyG.R.ThegapbetweentrianglesensorandGR.1sttriangler