PIC16F76-77-to-PIC16CR76-77

2006MicrochipTechnologyInc.DS21995A_CN第1页器件移植本文档旨在描述从一个器件移植到另一个器件时所存在的差异。表1和表2列出了电气规范的差异。振荡器差异PIC16F7X系列和PIC16CR7X系列中的RC振荡器设计为具有相同的功能，但是，由于制造工艺的不同和持续的改进，PIC16F7X数据手册（DS21993）中第16章所列的频率与VDD关系图可能无法表述当前产品。PIC16F7X和PIC16CR7X器件的对照，请参见PIC16CR7X数据手册中的图16-7至图16-9。RA4的功能PIC16CR7X系列器件中RA4引脚上的电压不得超过5.5V。RA4引脚保持闪存器件的漏极开路配置。MCLR的功能闪存PIC16F7X器件具有的ESD保护在PIC16CR7SROM系列中也同样存在。出于这个原因，Microchip建议不要将MCLR引脚直接与VDD相连，而是使用图1所示的RC网络。该引脚的电压也不得超过5.5V。图1：建议的MCLR电路注1：器件设计为遵循数据手册中的参数运行。器件已根据电气规范进行了测试以判断其是否符合这些参数的要求。由于制造工艺不同，这些器件的特性可能与其早期版本有所不同，从而可能导致它们在应用中的执行过程与其早期版本不同。2：用户应验证器件振荡器是否按预期启动和运行。可能需要对负载电容值和/或振荡模式进行调整。C10.1µFR110kΩ（或更大）（可选，非关键元件）VDDMCLRPIC16CR7XR2R2=1KΩPIC16F76/77→PIC16CR76/77的移植DS21995A_CN第2页2006MicrochipTechnologyInc.电气特性差异表1：PIC16F76/77→PIC16CR76/77电气特性的差异特性PIC16F7X数据手册PIC16CR7X数据手册单位VDD相对于Vss的电压-0.3至6.5-0.3至5.5VMCLR相对于VSS的电压（注1）0至13.50至5.5VRA4相对于VSS的电压0至120至5.5V注1：建议不要将MCLR引脚直接与VDD相连（见本文的图1或PIC16CR7X数据手册（DS21993）中的图12-5了解建议的MCLR电路）。2006MicrochipTechnologyInc.DS21995A_CN第3页表2：PIC16F76/77→PIC16CR76/77直流特性的差异RC振荡器比较参数编号符号特性PIC16F7X数据手册条件PIC16CR7X数据手册条件昀小值典型值†昀大值单位昀小值典型值†昀大值单位D005BVDD欠压复位电压3.654.04.35V使能配置字中的BOREN位TBDTBDTBDV当前正处于特性测试阶段D010D013IDD供电电流（注3和5）——0.95.2415mAmAXT或RC振荡配置FOSC=4MHz，VDD=5.5V（注5）HS振荡配置FOSC=20MHz，VDD=5.5V——1.16.3415mAmAXT或RC振荡配置FOSC=4MHz，VDD=5.5V（注5）HS振荡器配置FOSC=20MHz，VDD=5.5VD015*∆IBOR欠压复位电流（注6）—25200µA使能BOR，VDD=5.0V—30200µAD020D021xD021BIPD掉电复位电流（注4和7）———5.00.11.5421942µAµAµAVDD=4.0V，使能WDT，-40°C至+85°CVDD=4.0V，禁止WDT，-40°C至+85°CVDD=4.0V，禁止WDT-40°C至+125°C———TBDTBDTBD421942µAµAµA当前正处于特性测试阶段，但预计与PIC16F7X系列相同或更低D150*VOD漏极开路高电压——12VRA4引脚——5.5VRA4引脚*这些参数仅为特征值，未经测试。†除非另外指明，否则“典型值”栏中的数据均为5.0V和25°C条件下的值。这些参数仅供设计参考，未经测试。注1：对于RC振荡配置，OSC1/CLKI引脚是一个施密特触发器输入引脚。建议不要在RC模式下使用外部时钟驱动PIC16CR76/77。2：BOR使能时，在到达VBOR电压跳变点之前器件将正常运行。3：供电电流主要随工作电压和频率变化。其他因素，如I/O引脚负载和开关频率、振荡器类型、内部代码执行模式和温度也会影响电流消耗。在有效工作模式下，所有IDD测量的测试条件为：OSC1=外部方波，满幅；所有I/O引脚均为三态，拉至VDD。MCLR=VDD；根据要求使能/禁止WDT。4：Timer1振荡器（使能时）将会使规范值增加约20µA。此为特征值，仅供设计参考，未经测试。5：对于RC振荡配置，该值不包括流经REXT的电流。流经该电阻的电流可以由公式Ir=VDD/2REXT(mA)来估算，其中REXT的单位是kΩ。6：∆电流是使能外设时消耗的额外电流。在测量基本电流IDD或IPD时，应该加上这个电流。7：休眠模式下的掉电电流与振荡类型无关。掉电电流是在器件休眠时，所有I/O引脚处于高阻态并且拉至VDD和VSS时测得的。注：以下图表来自有限数量样本的统计结果，仅供参考。所列出的性能特性未经测试，不做任何保证。一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围（如超出了规定电源电压范围），因此不在担保范围内。振荡器频率受VDD和温度的影响很大。请检查RC振荡器频率在应用预期的温度和电压范围内的值。DS21995A_CN第4页2006MicrochipTechnologyInc.图2：R取不同值时，平均FOSC与VDD的关系曲线（RC模式，C=20pF，25°C）图3：R取不同值时，平均FOSC与VDD的关系曲线（RC模式，C=100pF，25°C）0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.02.533.544.555.5VDD（V）频率（MHz）建议不要在4MHz以上的频率下工作10kΩ100kΩ10KΩ（F7x）00.511.522.52.533.544.555.5VDD（V）频率（MHz）5.1kΩ10kΩ100kΩ10KΩ（F7x）2006MicrochipTechnologyInc.DS21995A_CN第5页图4：R取不同值时，平均FOSC与VDD的关系曲线（RC模式，C=300pF，25°C）00.10.20.30.40.50.60.70.80.912.533.544.555.5VDD（V）频率（MHz）3.3KΩ5.1KΩ10KΩ100KΩ10KΩ（F7x）DS21995A_CN第6页2006MicrochipTechnologyInc.注：2006MicrochipTechnologyInc.DS21995A_CN第7页提供本文档的中文版本仅为了便于理解。请勿忽视文档中包含的英文部分，因为其中提供了有关Microchip产品性能和使用情况的有用信息。MicrochipTechnologyInc.及其分公司和相关公司、各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任。建议参考MicrochipTechnologyInc.的英文原版文档。本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利，它们可能由更新之信息所替代。确保应用符合技术规范，是您自身应负的责任。Microchip对这些信息不作任何明示或暗示、书面或口头、法定或其他形式的声明或担保，包括但不限于针对其使用情况、质量、性能、适销性或特定用途的适用性的声明或担保。Microchip对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任。如果将Microchip器件用于生命维持和/或生命安全应用，一切风险由买方自负。买方同意在由此引发任何一切伤害、索赔、诉讼或费用时，会维护和保障Microchip免于承担法律责任，并加以赔偿。在Microchip知识产权保护下，不得暗中或以其他方式转让任何许可证。商标Microchip的名称和徽标组合、Microchip徽标、Accuron、dsPIC、KEELOQ、microID、MPLAB、PIC、PICmicro、PICSTART、PROMATE、PowerSmart、rfPIC和SmartShunt均为MicrochipTechnologyInc.在美国和其他国家或地区的注册商标。AmpLab、FilterLab、MigratableMemory、MXDEV、MXLAB、SEEVAL、SmartSensor和TheEmbeddedControlSolutionsCompany均为MicrochipTechnologyInc.在美国的注册商标。Analog-for-the-DigitalAge、ApplicationMaestro、CodeGuard、dsPICDEM、dsPICDEM.net、dsPICworks、ECAN、ECONOMONITOR、FanSense、FlexROM、fuzzyLAB、In-CircuitSerialProgramming、ICSP、ICEPIC、LinearActiveThermistor、Mindi、MiWi、MPASM、MPLIB、MPLINK、PICkit、PICDEM、PICDEM.net、PICLAB、PICtail、PowerCal、PowerInfo、PowerMate、PowerTool、REALICE、rfLAB、rfPICDEM、SelectMode、SmartSerial、SmartTel、TotalEndurance、UNI/O、WiperLock和ZENA均为MicrochipTechnologyInc.在美国和其他国家或地区的商标。SQTP是MicrochipTechnologyInc.在美国的服务标记。在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。©2006，MicrochipTechnologyInc.版权所有。请注意以下有关Microchip器件代码保护功能的要点：•Microchip的产品均达到Microchip数据手册中所述的技术指标。•Microchip确信：在正常使用的情况下，Microchip系列产品是当今市场上同类产品中昀安全的产品之一。•目前，仍存在着恶意、甚至是非法破坏代码保护功能的行为。就我们所知，所有这些行为都不是以Microchip数据手册中规定的操作规范来使用Microchip产品的。这样做的人极可能侵犯了知识产权。•Microchip愿与那些注重代码完整性的客户合作。•Microchip或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性。代码保护并不意味着我们保证产品是“牢不可破”的。代码保护功能处于持续发展中。Microchip承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip代码保护功能的行为均可视为违反了《数字器件千年版权法案（DigitalMillenniumCopyrightAct）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。Microchip位于美国亚利桑那州Chandler和Tempe、位于俄勒冈州Gresham及位于加利福尼亚州MountainView的全球总部、设计中心和晶圆生产厂均于通过了ISO/TS-16949:2002认证。公司在PICmicro®8位单片机、KEELOQ®跳码器件、串行EEPROM、单片机外设、非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合ISO/TS-16949:2002。此外，Microchip在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了ISO9001:2000认证。DS21995A_CN第8页2006MicrochipTechnologyInc.美洲公司总部CorporateOffice2355WestChandlerBlvd.Chandler,AZ85224-6199Tel:[phone]Fax:[phone]技术支持：网址：w