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IBIS模型浅析2006-04-11目录IBIS模型中各曲线的生成IBIS模型的仿真原理IBIS模型的缺点IBIS模型中的各个曲线PullupPulldownPowerclampGroundclamp上升/下降沿RampV/TwaveformIBIS模型等效电路VCC_1VCC_2GND_1GND_2input(A)input(A)input(A)input(A)output(B)output(B)output(B)output(B)MOS_uMOS_ddiode_udiode_dPullup曲线在input(A)处加输入信号，使得output(B)为高电平MOS_u处于导通状态，MOS_d处于关断状态在VCC_1与output(B)之间加直流电压源记录该电压源的电流，生成电压电流的对应数值列表，即为Pullup曲线。Pulldown曲线在input(A)处加输入信号，使得output(B)为低电平MOS_u处于关断状态，MOS_d处于导通状态在GND_1与output(B)之间加直流电压源记录该电压源的电流，生成电压电流的对应数值列表，即为Pulldown曲线。PowerClamp和GroundClamp曲线使得outputbuffer为高阻状态在VCC_2与output(B)之间加直流电压源，记录该电压源的电流，生成PowerClamp，即高电平保护二极管的伏安特性。在GND_2与output(B)之间加直流电压源，记录该电压源的电流，生成GroundClamp，即低电平保护二极管的伏安特性。上升/下降沿Ramp分别设置上升沿和下降沿的输出波形斜率V/T曲线(goldenwaveform)该项非必选项在给定的负载条件下，输出信号上升沿和下降沿随时间变化的波形。IBIS模型的仿真原理利用ramp或VT曲线求解Ku(t)和Kd(t)利用Ku(t)和Kd(t)求解实际的仿真波形Vout和Iout特别注意：Vout和VT曲线没有直接关系求解Ku(t)和Kd(t)VCCVCCGNDGNDinput(A)input(A)input(A)input(A)output(B)output(B)output(B)output(B)MOS_uMOS_ddiode_udiode_dGND封装外部电路IoutC_comp当IBIS模型在A点收到一个激励时，它开始一个上升沿或下降沿。此后，B点的电压波形由ramp或V/T曲线确定。仿真中需要求解的是两个MOS管的导通状态，即Kd(t)和Ku(t)两条曲线。此时的外部电路由IBIS模型中的参数确定，通常是一个接地或接电源的r_fix电流方程在B点，有如下方程：Iclamp_u和Iclamp_d由两个Clamp曲线确定Ipull_up＝Ku(t)*(VI_pullup曲线对应值)Ipull_down＝Kd(t)*(VI_pulldown曲线对应值)Iout由外部电路负载确定VB由VT曲线给出outBdclampuclampdpullupullIdtdVcompCIIII+=+++_____求解方程只有Ramp时，增加条件Ku(t)+Kd(t)=1对应于上升/下降沿只有一条V/T曲线时，同样增加条件Ku(t)+Kd(t)=1对应上升/下降沿有两条V/T曲线时，可有两个方程两个未知数，直接求解，无需附加条件。实际电路仿真在B点，同样有如下方程：Iclamp_u和Iclamp_d由两个Clamp曲线中VB对应值确定Ipull_up＝Ku(t)*(VI_pullup曲线中VB对应值)Ipull_down＝Kd(t)*(VI_pulldown曲线中VB对应值)Iout由外部电路负载确定特别注意这里的VB与VT曲线没有直接关系，因此Vout和Iout是随实际负载的变化而变化的outBdclampuclampdpullupullIdtdVcompCIIII+=+++_____IBIS模型的缺点只考虑了最后一级驱动，未考虑前级驱动未考虑片上去耦由于是行为级模型，IBIS的很多求解结果仍显“生硬”