si823x中文数据手册

修订版1.75/15版权所有©2015SiliconLaboratoriesSi823xSi823x0.5和4.0安培ISODRIVER（2.5和5KVRMS）特性应用安全认证描述Si823x隔离驱动器系列将两个独立、隔离的驱动器集成到一个封装内。Si8230/1/3/4是高侧/低侧驱动器，而Si8232/5/6/7/8是双驱动器。还提供峰值输出电流0.5A(Si8230/1/2/7)和4.0A(Si8233/4/5/6/8)的版本。所有驱动器的昀大供电电压为24V。Si823x驱动器采用SiliconLabs自主研发的硅隔离技术，提供符合UL1577的5kVRMS耐受电压以及60ns快速传送时间。驱动器输出可连接到相同或独立的地线进行接地，或者连接到正或负电压。单个控制输入(Si8230/2/3/5/6/7/8)或PWM输入(Si8231/4)配置提供滞后400mV的TTL级兼容输入。高度的集成、低传送延时、较小的外形及其灵活性和成本效益性使Si823x系列非常适合MOSFET/IGBT门驱动器隔离应用。一个封装内两个完全隔离的驱动器昀高5kVRMS输入到输出隔离昀高1500VDC峰值驱动器到驱动器差分电压HS/LS和双驱动器版本昀高8MHz切换频率0.5A峰值输出(Si8230/1/2/7)4.0A峰值输出(Si8233/4/5/6/8)高电磁抗扰度60ns传送延时（昀大）独立HS和LS输入或PWM输入版本瞬态抑制45kV/µs重叠保护和可编程死区时间AEC-Q100认证宽工作范围–40至+125°C符合RoHS的封装SOIC-16宽体SOIC-16窄体LGA-14供电系统电机控制系统直流到直流隔离供电照明控制系统等离子显示器太阳能和工业变换器UL1577认证1分钟内昀多5000VrmsCSAcomponentnotice5A认证IEC60950-1,61010-1,60601-1（强化绝缘）VDE认证合规IEC60747-5-5（VDE0884第5部分）EN60950-1（强化绝缘）CQC认证GB4943.1订购信息：参阅第39页。Si823x2修订版1.7Si823x修订版1.73目录章节页码1.顶层模块示意图..........................................................42.电气规格...............................................................62.1.测试电路..........................................................93.功能描述..............................................................163.1.典型工作特征（0.5安培）...........................................173.2.典型工作特征（4.0安培）...........................................193.3.系列简介和启动过程中的逻辑运算.....................................213.4.供电连接.........................................................233.5。功耗散注意事项..................................................233.6.布局注意事项.....................................................263.7。欠压锁定操作....................................................263.8。可编程死区时间和重叠保护..........................................284.应用..................................................................304.1。高侧/低侧驱动器.................................................304.2.双驱动器.........................................................314.3。双驱动器及热增强封装(Si8236)......................................315.引脚描述..............................................................326.订购指南..............................................................397.封装外形：16引脚宽体SOIC..............................................438.焊盘图案：16引脚宽体SOIC..............................................459.封装外形：16引脚窄体SOIC..............................................4610.焊盘图案：16引脚窄体SOIC.............................................4711.封装外形：14LDLGA(5x5mm).........................................4812.焊盘图案：14LDLGA..................................................4913.封装外形：14LDLGA及导热垫(5x5mm).................................5014.焊盘图案：14LDLGA及导热垫..........................................5115.顶部标记.............................................................5215.1.Si823x顶部标记（16引脚宽体SOIC）................................5215.2.顶部标记说明（16引脚宽体SOIC）..................................5215.3.Si823x顶部标记（16引脚窄体SOIC）................................5315.4.顶部标记说明（16引脚窄体SOIC）..................................5315.5.Si823x顶部标记（14LDLGA）.....................................5415.6.顶部标记说明（14LDLGA）........................................54文档修改列表............................................................55联系信息................................................................57Si823x4修订版1.71.顶层模块示意图图1.Si8230/3双输入高侧/低侧隔离驱动器图2.Si8231/4单输入高侧/低侧隔离驱动器Si8230/3UVLOUVLOGNDIVIBVDDIVIAVDDAVOAGNDAVOBVDDIVDDIISOLATIONVDDIVDDBGNDBDISABLEISOLATIONUVLODTCONTROL&OVERLAPPROTECTIONDTSi8231/4UVLOUVLOGNDIVDDIPWMVDDAVOAGNDAVOBVDDIVDDIISOLATIONVDDIVDDBGNDBDISABLEISOLATIONUVLODTCONTROL&OVERLAPPROTECTIONDTLPWMLPWMSi823x修订版1.75图3.Si8232/5/6/7/8双隔离驱动器Si8232/5/6/7/8UVLOVDDAVOAGNDAVOBVDDIISOLATIONVDDIVDDBGNDBUVLOVIAISOLATIONUVLOGNDIVIBVDDIVDDIDISABLESi823x6修订版1.72.电气规格表1.电气特性12.7VVDDI5.5V,VDDA=VDDB=12V或者15V。TA=–40至+125°C。25°C时的典型规格参数符号测试条件最低类型最高单位直流规格输入侧供电电压VDDISi8230/1/2/3/4/5/6Si8237/84.52.7——5.55.5V驱动器供电电压VDDA、VDDBVDDA和GNDA以及VDDB和GNDB间电压（参见“6.订购指南”）6.5—24V输入供电静态电流IDDI(Q)Si8230/2/3/5/6/7/8—23mASi8231/4—3.55mA输出供电静态电流IDDA(Q)、IDDB(Q)每通道电流——3.0mA输入供电有效电流IDDI输入频率=500kHz，无负载—3.5—mA输出供电有效电流IDDAIDDB每通道电流输入频率=500kHz，无负载—6—mA输入引脚泄漏电流IVIA、IVIB、IPWM–10—+10µAdc输入引脚泄漏电流IDISABLE–10—+10µAdc逻辑高输入阈值VIH2.0——V逻辑低输入阈值VIL——0.8V输入滞后VIHYSTSi8230/1/2/3/4/5/6/7/8400450—mV逻辑高输出电压VOAH、VOBHIOA、IOB=–1mA(VDDA/VDDB)—0.04——V逻辑低输出电压VOAL、VOBLIOA、IOB=1mA——0.04V输出短路脉冲吸入电流IOA(SCL)、IOB(SCL)Si8230/1/2/7，图4—0.5—ASi8233/4/5/6/8，图4—4.0—A输出短路脉冲源电流IOA(SCH)、IOB(SCH)Si8230/1/2/7，图5—0.25—ASi8233/4/5/6/8，图5—2.0—A输出吸入电阻RON(SINK)Si8230/1/2/7—5.0—Si8233/4/5/6/8—1.0—注意：1.5、8和10VUVLO器件VDDA=VDDB=12V；12.5VUVLO器件VDDA=VDDB=15V2.TDD是不触发重叠保护的昀短重叠时间（仅限Si8230/1/3/4）。3.可用的昀大RDT电阻为220k。Si823x修订版1.77输出源电阻RON(SOURCE)Si8230/1/2/7—15—Si8233/4/5/6/8—2.7—VDDI欠压阈值VDDIUV+VDDI上升(Si8230/1/2/3/4/5/6)3.604.04.45VVDDI欠压阈值VDDIUV–VDDI下降(Si8230/1/2/3/4/5/6)3.303.704.15VVDDI锁定滞后VDDIHYS(Si8230/1/2/3/4/5/6)—250—mVVDDI欠压阈值VDDIUV+VDDI上升(Si8237/8)2.152.32.5VVDDI欠压阈值VDDIUV–VDDI下降(Si8237/8)2.102.222.40VVDDI锁定滞后VDDIHYS(Si8237/8)—75—mVVDDA、VDDB欠压阈值VDDAUV+、VDDBUV+VDDA、VDDB上升5V阈值参阅第27页的图37。5.205.806.30V8V阈值参阅第27页的图38。7