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《单片机原理与控制技术》试题姓名成绩题号一二三四总分分数得分评卷人一、填空题（每空1分，共30分）总线是用于传送信息的公共途径。总线可以分为；数据总线DB;地址总线AB;控制总线CB;16位地址能选通65536(64K)字节的存储单元。堆栈操作无论是存入或取出数据，必须遵循先进后出”和“后进先出的原则。80C51的存储器可以分为三个不同的存储空间，分别是64KB程序存储器ROM64;KB外RAM(外部数据存储器);256;B内RAM;（包括特殊功能寄存器）内部数据存储器。80C51内RAM可以分成三个物理空间，分别是工作寄存器区，地址范围为00H-1FH;位寻址区，地址范围为20H-2FH;数据缓冲区，地址范围为30H-7FH。80C51单片机复位的条件是使RST引脚保持2个机器周期以上的高电平。复位后：PC=0000H;SP=07H;P0-P3=FFH。80C51进入待机状态的方法是PCON中IDL位置1退出待机状态的方法是中断请求被响应或复位。机器周期是80C51单片机工作的基本定时单位，简称机周。一个机器周期含有12个时钟周期，当时钟频率为12MHz时，一个机器周期为1μS。P0-P3口用作输入时，均需先写入“1”用作输出时，P0口应外接上拉电阻。当CPU不执行访问外RAM指令（MOVX）时,ALE以时钟频率1/6的固定频率输出。80C51扩展I/O口从外RAM存储空间扩展，从理论上讲，最多可扩展64000个。数据指针DPTR是一个16位的特殊寄存器，由两个8位寄存器DPH、DPL组成。得分评卷人二、多项选择题（每题2分，共20分）属于RAM特性的是（A,E,F）；属于ROM特性的是（B,C,D）。A、随机读写存储器；B、断电后，C、信息不D、丢失；E、只读存储器；F、主要用于存放程序；G、主要用于存放数据；H、断电后，I、信息丢失。读寄存器某一单元必须具备的条件有（A,B,D）J、挂在数据总线上的其他器件呈“高阻”态；K、寄存器片选有效；L、该存储单元存有数据；M、该存储单元被选通。当PSW=10H时，R6的字节地址为（C）。N、06H;O、0EH;P、16H;Q、1EH.80C51存放当前指令地址的寄存器是（C）R、指S、令寄存器；T、地址寄存器；U、程序寄存器；V、状态寄存器。80C51指令按指令长度分类有（A,B,C）。W、1字节指X、令；Y、2字节指Z、令；AA、3字节指BB、令；CC、4字节指DD、令。80C51指令按指令分类执行时间分类有（A,B,D）。EE、1机周指FF、令；GG、2机周指HH、令；II、3机周指JJ、令；KK、4机周指LL、令；80C51汇编语言指令格式中的非必须项有（A,C,D）。MM、标NN、号；OO、操作码；PP、操作数；QQ、注释。下列指令中划线部分操作数属于寄存器寻址方式的有（B,C,D）。RR、MOV30H,Acc;SS、MOV30H,C;TT、MOV30H,R0;UU、MULAB;下列指令中可能改变Cy的有（A,B）。VV、DAA;WW、INCA;XX、CPLA;YY、RLCA;下列指令中（A,E）是合法指令，（B,C,D）是非法指令。ZZ、PUSHB;AAA、POP@R1;BBB、POPA;CCC、SWAPAcc;DDD、SWAPA;得分评卷人三、连线题（每题5分，共10分）按性能对下列ROM对应画线。MaskROM由用户一次性写入，写入后，不能更改。OTPROM由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格低廉。EPROM有生产厂商写入，用户不能擦写，不能更改。EEPROM由用户写入，紫外线擦除，可反复多次使用。FlashROM由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格较高。按控制作用对下列引脚对应画线。ALE外ROM读选通信号。PSEN外RAM读选通信号。EA低八位地址锁存信号。WR内外ROM选择信号。RD外RAM写选通信号。得分评卷人四、编程题（每题20分，共40分）请按下列要求传送数据：[设内RAM(20H)=ABH,外RAM（4000H）=CDH,ROM(4000H)=EFH]内RAM20H单元数据送外RAM20H单元；内RAM20H单元数据送外RAM2020H单元；外RAM4000H单元数据送内RAM20H单元；外RAM4000H单元数据送外RAM1000H单元；ROM4000H单元数据送外RAM20H单元；按下列要求编程。R7内容送R6中；外RAM50H单元内容送内RAM50H单元；外RAM1000H单元内容送外RAM2000H单元；ROM1000H单元内容送外RAM8000H单元；A低4位与B低4位互换；30H数据与31H数据相加，和（256）送入32H;《单片机原理与控制技术》试题答案及评分标准（仅供参考）一、填空题（每空1分，共20分）公共；数据总线DB;地址总线AB;控制总线CB;65536(64K);“先进后出”和“后进先出”;栈顶；64；ROM;64;外RAN;256;内RAM;工作寄存器；00H-1FH;位寻址；20H-2FH;数据缓冲；30H-7FH;RST;2个机器周期以上的高电平；0000H;07H;FFH;PCON中IDL位置1；中断请求被响应或复位；基本定时；12；1；写入“1”；外接上拉电阻；不执行访问外RAM指令（MOVX）;1/6;外RAM;64000;16;两个8位寄存器DPH、DPL;二、多项选择题（每题2分，共40分）12345678910A,E,FB,C,DA,B,DCCA,B,CA,B,DA,C,DB,C,DA,BA,EB,C,D三、连线题（每题4分，共16分）按性能对下列ROM对应画线。MaskROM由用户一次性写入，写入后，不能更改。OTPROM由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格低廉。EPROM有生产厂商写入，用户不能擦写，不能更改。EEPROM由用户写入，紫外线擦除，可反复多次使用。FlashROM由用户写入，电可擦除，可反复多次使用，价格较高。按控制作用对下列引脚对应画线。ALE外ROM读选通信号。PSEN外RAM读选通信号。EA低八位地址锁存信号。WR内外ROM选通信号。RD外RAM写选通信号。四、编程题（每题8分，共24分）1.答：1）MOVR0,#20H;2）MOVA,20H;3）MOVX@R0,A;2.（略）