搜索
重要科技事業屬於製造業及技術服務業部分適用範圍標準中華民國八十六年二月廿七日修訂中華民國八十七年十二月三十日修訂第一條本標準依促進產業升級條例第八條第三項規定訂定之。第二條重要科技事業之適用範圍，其屬製造業者，應符合下列各要件：一、投資計畫生產之產品屬通訊工業、資訊工業、消費性電子工業、半導體工業、精密器械與自動化工業、航太工業、高級材料工業、特用化學品與製藥工業、醫療保健工業及污染防治工業，且未經申請重要投資事業之獎勵。二、投資計畫之實收資本額或增加實收資本額新臺幣二億元以上。三、投資計畫之全新機器、設備購置金額新臺幣一億元以上。重要科技事業之適用範圍，其屬技術服務業者，應符合下列各要件：一、投資計畫提供之技術服務屬前項第一款工業所需。二、投資計畫之實收資本額或增加實收資本額新臺幣五千萬元以上。三、投資計畫之全新機器、設備購置金額如下：控系統之設計及更新業、輻射防護及監測業、核廢料處理業及產品工程服務業為新臺幣一千五百萬元以上。保護工程及技術業、生物技術與製藥業服務業、節省能源之工程及技術服務業為新臺幣七百萬元以上。第一項第二款及前項第二款實收資本額，得於核定之投資計畫期間內分次增資、分次收足。第一項第三款及前項第三款之機器、設備，得於核定之投資計畫期間內分次購置。公司之投資計畫應於符合重要科技事業適用範圍核准函核發之次日起三年內完成。第三條前條投資計畫生產之產品或提供之技術服務，其範圍如下：一、通訊工業：電話機：(含Internetgateway)。900MHz以上有線主機無線副機。ChannelSpace小於5KHz者。(呼叫器除外)。線數位式用戶交換機或內線五百門號以上之數位式用戶交換機。64Kbps之有線數據機及速率未達1Gbps之有線區域網路卡除外）。(衛星直播接收設備除外)。片型濾波器。(RFPowerAmplifier)。(如積體化DCConverter,Inverter等高度6.75mm以下之變壓元件)。800MHz以上之鎖相迴路鎖頻器。800MHz以上之射頻IC及其模組。800MHz以上之天線。(外徑精度0.5um)。(表面粗糙度最大值0.5um)。50um以下，開放角度82度以上。1000pixels以上。1mmDiameter內解析度4000pixels支單光纖維以上。300MHz以上之區域網路電纜(含伸線、蕊線押出、絞線、被覆、測試)。二、資訊工業：CPU在40MIPS以上之工作站。、通信服務之任一功能者。(PersonalDigitalAssistant,PDA)：以具有通訊功能者為限。IC卡讀寫機。SingleChipCPU且符合ISO7816規定之IC智慧卡。公布之五四Ｏ一常用中文字，辨識速度在每秒五字以上且辨識率在百分之九十以上。(可辨識四ＯＯ個以上之字彙且辨識率在百分之九十以上)。DPI以上。DPI，輸入筆為無線電磁式，再現性(絕對定位裝置)為-0.01~+0.01吋。1%以內，觸摸期間3ms以內。1%以內，觸摸期間3ms以內。DPI之非透明式手觸板(TouchPad)。OPTICALDISKDRIVER）。PCMCIA規範之IC記憶卡。(撞擊式除外)。(3D/VR)：(3DSurroundsoundcard)。境力量反應之多自由度運動平台(DynamicSimulationMechanicDevice)為限。(3DInput/OutputDevice)：以三維滑鼠、三維軌跡球、三維掃瞄器、資料手套、頭盔、力感迴授裝置等產品為限。MPEGII壓縮、解壓縮裝置(卡)。磁碟機讀寫頭。(OFF-LINE除外)。1.27公釐以下之電腦或通訊及週邊設備用精密連接器。三、消費性電子工業：０條以上(雙倍掃瞄者除外)。(需內裝調諧器)。(TFT-LCD)為顯示螢幕之彩色液晶電視機。(VCDPLAYER)或數位多功能光碟機(DVDPLAYER)。(0.28mmdotpitch以下)或二十九吋以上或螢幕寬高比一六比九者為限。玻璃面板、玻璃斗部。(grid)、底座(stem)、陰極(cathode)、收集環(getter)等零件至少三種以上者。片。陣型液晶顯示器或模組(以具玻璃面板製程為限)。(以具玻璃面板製程為限)。(EL)。(以具導光板製造為限)。(僅切割者除外)。解銅箔(切割或上膠者除外)。(玻璃態轉化溫度Tg170oC以上)。(細度69Tex以下，並有抽絲設備者)、電子級玻璃纖維布(基重110g/m2以下)。(0.28mmdotpitch以下)或高畫質電視機影像管用者為限。、二極體等二種或二個以上複合積體表面黏著元件。(BH)max值在40MGOe以上。(VFD)。(模組組裝者除外)。四、半導體工業：(含再生晶圓)。八腳以上；球陣列矩陣基板(BGA)。(含覆晶)或測試。(ＣＣＤ)。DPI以上之接觸式影像感測器。(FED)。Thyristor,TRIAC,GTO,PowerMOSFET,頻率達800MHz以上之FET,IGBT,SIT,SITH,MCT,電力用BJT,高頻電力用電容器，高頻磁性元件用之鐵心等元件為限。(切割、紅光在If=20mA時封裝前亮度小於40mcd者除外)。五、精密器械與自動化工業：藉由電腦之控制進行無人化生產之加工系統。及自動倉儲系統，並具有彈性加工能力及進行無人化生產之加工系統。，可監視及控制各單機之運轉者。Ｏ‧ＯＯ五公釐者。輸送及存取者為限。邊設備。能重現者。公釐者。三００公釐者。或鑄鍛或橡塑膠用精密模具。(往復式者除外)。0.3公釐以下者。(MFC):洩漏量10-10atm.cc/sec以下。10-4torr以下。油器：配合整車測試符合四期環保法規標準。FDA醫療用品規範或歐盟CE產品標準。瓩／公斤。(三小時放電率)以上之鉛酸電池。FTP75模式下需達28km/l以上，CO2排放標準在FTP75模式下需達125g/km以下。90%以上，下鏈機率60%以上，齒片偏擺，0.2mm以內。在30%以內，疲勞壽命：往復二萬次不破壞。(彈簧去除後)：尾端晃動量5mm以內(作用力10kgf)，疲勞壽命：往復五千次不破壞，作動力變化率小於30%，撥鏈力量：全行程4.5kgf以上。柄與大齒盤總成：齒片偏擺：0.4mm以內。91%以上、重量(含齒片、不含轂式或倒踩煞車)1.5kg以下、速比變化範圍(以內變速器單體評估)240%以上及變速操作力在7kgf以下。1MHz以下之電感波型產生器）。。附屬設備與零組件。者。KV以上之電力電纜。KV以上之電纜接頭。22KV以上或11KV以上複合材質者。KV級以上電力變壓器。40KHz以上，單機三相效率在百分之九十以上、單相效率在百分八十五以上，並具有監控單元及界面者為限。KV級電纜接頭。式無熔線開關、漏電斷路器。VCB(3.3KV以上)。(24KV以上)。。Inverter,Fuzzy或Neural方式控制或其他經由經濟部能源委員會認定具有百分之十五以上省能效益之設備者為限。請認定並經經濟部工業局核發證明者為限。六、航太工業：設備。為限。。七、高級材料工業：AOD、VOD、ESR、LF等之一者為限或以具備全自動軋製設備或具備自動控溫熱處理設備或異型棒材精密冷抽加工設備者為限。(材質304、304L、316、316L除外，惟厚度0.15mm以下鋼捲或直徑0.05mm以下細線仍准予適用。)下者。VIM、VAR等一者為限或具備全自動軋製或鍛製設備或粉末製造設備為限。合金：及運輸工具用之合金系列之板片捲者。銅或燐鐵黃銅或燐鐵青銅或銅鎳合金為限。銅為限。備者。(Polyamide)(吸水率小於1.0%)。(PC)。(M-PPO)。(PPS)。(LCP)。(PI)。(PVDF、PTFE、PFA等)。(PAR)。(sPS)。二甲酸二乙酯(PEN)。(分子量1X106以上)。MetalloceneBasedPolyolefins:mPE。mPP。mCOC。(mEPDM)。0.3丹尼，單一成分紡絲非聚酯纖維單纖細度小於或等於1.0丹尼，多成分複合紡絲單纖細度小於或等於0.01丹尼，並裝置有抽絲設備者。力纖維：纖維強度大於10g/d，並裝置有抽絲設備者。LOI值大於三十之有機纖維，並裝置有抽絲設備者。5000g/m2/天，或耐水度達5000公釐／水柱。10micron以下）、熔噴製程（纖維細度1micron以下，且其產品具電池隔離膜功能者）及熱粘製程者。4g/d以上者，並裝置有抽絲設備者。10-3歐姆~10-8歐姆/cm2，並裝置有抽絲設備者。絲設備者。(含)以下之微薄玻璃板。部工業局核發證明者為限。八、特用化學品與製藥工業：(Phenylanaline)。(Tryptophan)。(L-Proline)。(PU)樹脂。Hexamethyl-disilazine）等矽烷化劑。PVC用丙烯酸系塑膠改質劑。限。ａ鋰：以具備冶煉設備可完成初生鋰者為限。ｂ鋰電池用鋰電解質。ｃ鹼金屬烷基化合物及烷基氧化物、氯化鋰、四氯化鋰鋁。ｄ烷基或芳香烴基鎂鹵化物。ｅ銫鹽。ｆ鋯或鈦金屬粉：以還原法由氧化鋯或氧化鈦製得，其平均顆粒小於十微米(10microns)。ｇ鋇或鋇鋁合金：以融溶法製成，其純度達九八．九％以上者。1,3︱丙烷磺酸內酯及其衍生物：以原料一貫合成生產者為限。成生產者為限。ａ異丙基塞吨酮(IsopropylThioxanthone)。ｂ（α︱取代烷基）苯基酮（α︱substitutedalkyl）phenylketone等系列產品。各金屬離子含量在5ppb以下且微粒子大於0.5um者低於或等於30顆粒以下者為限。TFT-LCD）用高純度洗淨液、蝕刻劑及剝離劑：各金屬離子含量在1ppm以下者為限。在100ppb以下且微粒子大於0.5um者低於或等於30顆粒以下者為限。(OLED)發光材料，電子、電洞傳輸材料、介電材料。(符合下列之一條件者)E-beam）或紫外線波長四三六nm以下照射或線寬3mil以下者為限。金屬膜、低介電層研磨用為限。(dk3.5)或薄型為限。(ｗ／ｗ)者，各金屬離子在１ppb以下。(含)(ｗ／ｗ)以上者各金屬離子需在5ppb以下。(Buildup)印刷電路板介電絕緣基材。(或安定劑)。ElectroMagneticInterferenceShield）：採選擇性無電解金屬吸附法，使用幾丁聚醣或其他非金屬吸附介質之聚合膜為限。(CSP)用高分子三層式薄膜基材。(以PI或LCP膜為主、應用球距在0.5mm以下者)。5-(2'-羥基-3'-奈氨基)-苯並咪唑酮(5-(2'-Hydroxy-3'-naphthoylamino)-benzimidazolone)及其衍生物(以原料一貫合成生產者為限)。5-乙醯乙醯氨基-2-苯並咪唑酮（5-Acetoacetylamino-2-benzimidazolone）及其衍生物(以原料一貫合成生產者為限)。Sol-Gel）：以金屬醇鹽、非金屬醇鹽或無機鹽為原料一貫製造者，其製成品紫外線吸收率為九十％以上，紅外線吸收率達六十％以上，透光率達九十％者為限。。（Chitin、Chitosan）長調節劑（以發酵法產製者為限）。(D)-4-羥苯基胺基乙酸((D)-4-HydroxyphenylGlycine)。以Cephalosporins,Fluoroquinolone,Fluconazole系列為限。(以潰瘍癒合劑為限)。(孤兒)藥(經行政院衛生署核准者為限)ａ人用疫苗。ｂ動物用疫苗(以新劑型者為限)。九、醫療保健工業：2.0MHz以上。值百分之十五以內。導程以上(一般式)；二導程以上(攜帶式)。(核輻射、熱輻射)。目包括(WBC、RBC、HGB或PLT項目)。或唾液之化學成份功能之一者。輸送、數據自動擷取保存及處理等功能。：具心電圖／呼吸、血壓、血氧濃度等參數之模組。利檢測查覺病源者。(人工關節、骨骼及補骨等)。(人工韌帶、血管、皮膚等)。(人工血液、脂肪液等)。(心瓣膜、心臟、腎臟、眼球水晶體等)。(血袋、真空採血器、洗腎器等)。(Bio-chip)。(Biosensor)。(限射針縮入針筒式者為限)。十、污染防治工業：PH