搜索
第一章1.Whatisawafer?Whatisasubstrate?Whatisadie?什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。2.Listthethreemajortrendsassociatedwithimprovementinmicrochipfabricationtechnology,andgiveashortdescriptionofeachtrend.列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。3.Whatisthechipcriticaldimension(CD)?Whyisthisdimensionimportant?什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。4.Describescalinganditsimportanceinchipdesign.描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。5.WhatisMoore'slawandwhatdoesitpredict?什么是摩尔定律，它预测了什么答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。第二章6.Whatistheadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化镓相对于硅的优点是什么答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。7.Whatistheprimarydisadvantageofgalliumarsenideoversilicon?砷化镓相对于硅的主要缺点是什么答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。第三章8.Whatisanactivecomponent?Givetwoexamplesofthistypeofcomponent.什么是无源元件，举出两个无源元件的例子答：有源器件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。例子：电阻，电容。9.Whataresomenotablecharacteristicsofbipolartechnology?Whatisbiggestdrawbacktobipolartechnology?双极技术有什么显著特征，双极技术的最大缺陷是什么答：显著特征：高速，耐久性和功率控制能力。最大缺陷：功耗高。10.Whatarethebenefitsofthefield-effecttransistor(FET)?场效应管有什么优点答：低电压和低功耗。11.WhatarethetwobasictypesofFETs?Whatisthemajordifferencebetweenthem?FET的两种基本类型是什么，他们之间的主要区别是什么答：类型：结型（JFET）和金属-氧化物型（MOSFET）半导体。区别：MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。12.WhatarethetwocategoriesofMOSFETs?Howaretheydistinguishablefromoneanother?MOSFET有哪两种类型，他们怎样区分答：类型：nMOS（n沟道）和pMOS（p沟道）区分方法：可有各自器件的多数载流来区别。13.WhattwoICtechnologiesareusedinBiCMOS?BiCMOS使用了哪两种集成电路技术答：采用了CMOS和双极技术14.Whatcouldadigital/analog(D/A)converterchipbeusedfor?Whatcouldananalog/digital(A/D)chipbeusedfor?数模转换器芯片能用做什么，模数转换器芯片能用做什么答：数/模转化器芯片可用来提供用做电子机械设备的控制模拟驱动信号。模/数转换器芯片可用来测量模拟驱动信号的输出。15.Explainthedifferencebetweenanenhancement-modetransistoranddepletion-modetransistorwithregardstotheirstandbycondition.解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别答：增强型晶体管很好地工作于数字陆机应用中，只需要单极的输入信号控制场效应晶体管。耗尽型被已经存在的闭合沟道部分开启。输入电压可以在一个方向变化以提高流过沟道的电流，或者在相反方向降低流过的沟道电流。如果栅极的输入电压在反向更大地提高，耗尽型晶体管将会断开。第四章16.Whyisitnecessarytohavemonocrystalsiliconforwaferfabrication?为什么要用单晶进行硅片制造答：半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构，这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。17.WhichcrystalplaneorientationismostcommonMOS?Whichismostcommonforbipolar?MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种答：MOS：(100)面的硅片；双极型：（111）面的硅片18.Definecrystalgrowth.WhatistheCZmethodforcrystalgrowth?定义晶体生长，什么是CZ单晶生长法答：晶体生长：是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。CZ单晶生长法：是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。19.Listsevenwaferqualityrequirementsforasiliconwafer.列举硅片的七种质量要求答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗粒；体电阻率20.Whatisanepitaxiallayer,andwhyisitusedonwafers?什么是外延层，为什么在硅片上使用它答：在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。第八章21、Whatisplasma?WhyisRFenergyusedinplasma?什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量答：等离子是一种中性，高能量，离子化的气体，包含中性原子或分子，带电离子和自由电子。RF能量的使用可以产生一个高功效的等离子体。第九章22、Listthesixdistinctproductionareasinawaferfabandgiveashortdescriptionofeacharea.列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述答：扩散：扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜沉积的区域。光刻：使用黄色莹光管照明使得光刻区与芯片厂中的其他各个区明显不同。刻蚀：是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。离子注入：采用高电压和磁场来控制并加速离子。薄膜生长：主要负责生产各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。抛光：为了使硅片表面平坦化，是通过将硅片表面突出的部分减薄到下凹部分的高度实现。23、Identifythethreeproductionareaswherephotoresistcoatedwaferscanbefound.确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域答：光刻区，刻蚀区和离子注入区24、Whatisthepurposeoftheetchprocess?Namethemostcommontoolsusedinthisarea?刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么答：目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。25、Whatarethereasonsforthethermalannealprocessafterionimplantation?离子注入后进行退火工艺的原因是什么答：可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。26、Whatisshallowtrenchisolation(STI)?Whatprocessdiditreplace?什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺答：浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。取代了局域氧化工艺（LOCOS）第十章27、Whatisthedifferencebetweenagrownandadepositedoxidelayer?生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么答：在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。28、Describethefieldoxidelayer,andstateitsrangeofthickness.描述场氧化层及其厚度范围答：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层范围：2500~12000*10^-10（A上面一个圈）之间29、Whyisthegateoxidethermallygrown?为什么删氧要用热生长答：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点，栅氧一般通过热生长获得。30、Listsixapplicationsforthermaloxidesinwaferfabricationandgiveapurposeforeachapplication.列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的答：金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。31.Ifanoxidelayeristhermallygrowritobe2,000Athick,howmuchsiliconisconsumed?如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少答：920A（每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）32.ListthefourtypesofoxidechargesSi/Si02interface.列出Si/Si02界面处的4种氧化物电荷答：正的电荷。负的电荷。界面陷阱电荷。可移动氧化物电荷33.Givetwoadvantagestousingchloijinatedagentsduringoxidation.举出氧化工艺中掺氯的两个优点答：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。34、Whateffectdoesdopinghaveo