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LatchUp的起因，经过，结果（转载&&节选）在CMOS制程里，这种情况就是由于npn或pnp结构形成的放大电路造成的。所以要了解latchup现象，就必然首先了解放大电路是如何构成的，而最根本的就归结到npn或pnp晶体管是如何工作的。了解晶体管的工作原理是研究latchup的重点。而解决这一问题的关键又在于了解放大电路是如何构成的，这是两个方面，以下着重讨论。一、晶体管的工作原理半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散，形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。这是三极管的符号，B(base)代表基电极，C(collector)代表集电极，E(emitter)代表发射极。晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。以下以基极接地(共基极)为例进行分析：如上图所示，在E-B之间加正向偏置，在B-C之间加反向偏置。此时发射区的电子浓度上升，在正向偏置的情况下，大部分电子都扩散到基区因为基区很薄，有少部分电子流出，但大部分在电场的作用下，漂移到集电区。其中有些情况，比如基区向发射区的漂移(发射区很高的杂质浓度)，集电区向基区的扩散等微乎其微(反向偏置)，所以可以忽略。所示npn的能够工作，除了发射区浓度很高，基区很薄，还有保证E-B正向偏置，B-C反向偏置。相应电流关系如下：Ie=Ib+Ic。假设Ie占Ic的比例为a,即Ic=aIe,Ib=(1-a)Ie称为电流传输率。Ic/Ib=(Iea)/[(1-a)Ie]=a/(1-a)设定a/(1-a)为β，称为电流放大倍数。通过比例关系可知，如果电流传输率为90%，电流放大9倍。换句话如果电流传输率为99%,电流将放大99倍。90%到99%,放大倍数的骤增，可以想像Ib只要有小的变动，电流放大倍数就有大的变化。如此可见，晶体管是电流控制器件。二、放大电路是如何构成及触发条件现在进行实际操作，为了分析方便，以如图所示的电路具体进行分析。对应CMOS的简单版图如下：以下来看一下对应的剖面图。任何相邻的pnp或npn都可以构成晶体管，所以考虑起来似乎比例麻烦!!从晶体管偏置来看，npn的发射区为衬底上的任一n+型区域，集电区为nwell及nwell上的n+。此时npn,基区接vss发射区接vss/in/out,集电区接vdd。就正反偏的原则来看，只要发射区联接电压小于vss,即npn可以触发。而另一边的pnp,基区接vdd,发射区接out/vdd/in，集电区接vss,触发的可能就是发射区电位高于vdd。从浓度与尺寸来看,也就是发射区浓度最高，基区尺寸最小，集电区有足够的大。基区的尺寸在npn管看来，似乎比较乐观，可惜npn的构成是横向的，也就是说如果把pmos与nmos画得太近的话就有问题了。对nwell来说，如果nwell的厚度很薄，因为npn的形成是在衬底横向的，而pnp却是在nwell中的纵向。nwell厚度足够的薄，意味着势垒相对较低，实现触发的可能性很大。对于日新月异的现在科技来讲，尺寸在不断的缩小，这也是在表明基区在逐渐的变小，触发的可能突显出来。我们提到了正反偏的触发和浓度及尺寸的触发，现在我们不得不对寄生电阻产生兴趣。对上述电路中，nwell和p-sub上形成的寄生电阻最有可能影响到晶体管的触发。R1是nwell寄生于pnp基区与发射区的电阻。R2是p-sub寄生于npn的基区与发射区的电阻。在正常情况下，没有过高或过低电压出现，浓度与尺寸不去考虑的情况下，R1拉低了pnp基区的电位，R2阻碍了npn基区电位的降低。B-C反偏，B-E正偏的情况就会出现，触发的可能存在。上面我们只是单方面的对一个管子进行分析，既然是存在在两个三极管在电路中，就有可能其中一个受另一个的影响。当其中一个触发时，另一个晶体管有可能被这个晶体管触发。当正反馈环路增益大于1时，触发就能维持并被不断放大。三、一些解决办法的介绍通常我们提到减少latchup的可能时，都会想到加guardring。想法简单，而且我们从来就没有怀疑过，也没有真正考虑过，加guardring这么几个词的意义何在。更可惜的是，这种想法并不是我们自己的，是别人跟你讲，你就认同了，是被别人迷惑了还是被别人收买了呢？!!而且，你有没有发现，增加guardring时有附加了designrule吗？做layout的真是自由，爱加多宽就加多宽，爱加几道就几道，孰不知，要是加出问题来，该归究谁的责任呢？!!如果加得太宽，增加了面积，增加的成本，老板可不会对你客气。遗憾的是计算这个rule，确实可以写成一篇论文，然后买个好价钱，也可以天天过上老婆孩子热炕头的好日子。回到正题，解决的方法多种多样，如果出发点不同，解决的方法也就各异。比如可以在工艺上控制杂质浓度，基区尺寸，加外延层等。对layout来讲，比较简单的还是加guardring，主要的作用会在下面详细分析。在电路上加钳位二极管控制电位，但对钳位二极管的开关速度等方面的参数需要慎重考虑。上图为加guardring后的效果。[1]中认为在nwell中扩散n+或在p-sub中扩散p+所做的guardring为多数载流子保护环，反之则为少数载流子保护环。少数载流子保护环作用是先于寄生集电区，提前收集会引起触发的少数载流子。这种结构对横向寄生晶体管有效，但对纵向晶体管几乎没有作用。而且这种保护环并不见得都要成封闭状态，它应该包围在潜在的发射区。多数载流子保护环，在局部位置减轻了寄生电阻，并且在对发射区的远近上，分别称为弱势结构和强势结构。强势结构较为有效，因为它靠发射区较近，有电流导向的作用。上图中所加的guardring中，从左到右，依次为强弱弱强结构。建议多打nwellcontact和p-subcontact，以减轻连入的寄生电阻。上述办法，完全是针对layout而言的。其他的解决方法也只能靠制程的工程师做相应的对策了。例如：2.加深Isolation.就是在NMOS和PMOS之间加隔离，比如STI(0.25um以下)和FieldOX(0.35um以上)。但是，隔离深度总是有限的，电子或空穴总有办法绕过去。3.SOI。SilicononInsulator,在Si的表面加一层SiO2，使well或者N+无法直接与P-sub连接，这样电子或空穴就到不了下面。4.Retrogradedwell，倒阱，用高能离子注入将杂质打入阱底部，这种阱不像常规的阱表面浓度最高，阱底部浓度最低，而是正相反，所以叫做倒阱。这个概念极为重要！下面的浓度很大，那么电子或空穴到了基极以后，高浓深井可以有效的增加复合，就不想到集极去了，降低bipolar的放大系数，使没有backbias偏置的晶体管免于latch-up。5.EPIwafer。这也是一个重要的概念，在heavydopedsubstrate上面，加上一层轻微掺杂的EPIlayer，这就是EPIwafer。当这层EPIlayer够薄的时候，pnp的载流子就不想去npn了，而是跑到更舒服的heavydopedsubstrate，因为heavydoped底材的浓度比P－sub的掺杂浓度高多了。很明显，EPIlayer越薄越好，3um的EPIlayer，triggercurrent（引发latchup的电流)最大,最不容易发生latchup。但是不能太薄，不然底材的离子就扩散到EPIlayer里面，造成离子浓度改变。这是用EPIwafer的原因，EPIwafer缺点只有一个：贵！6.Designrule。这个很简单，在design的时候，会规定P＋，N＋的距离，guardring离P＋，N＋的距离等等。