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GroupATest(针对芯片产品的环境应力测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范预处理PCA17730FailsJEDECJ-STD-020JESD22-A113有偏温湿度或高加速度应力测试THBorHASTA27730FailsJEDECJESD22-A101orA110高压或无偏高加速度应力测试或无偏温湿度ACorUASTorTHA37730FailsJEDECJESD22-A102,A118orA101温度循环TCA47730FailsJEDECJESD22-A104andAppendix3(针对绑线测试的塑封开启指导)功率温度循环PTCA54510FailsJEDECJESD22-A105高温存储寿命测试HTSLA64510FailsJEDECJESD22-A103GroupBTest(针对芯片产品/IP/工艺库的寿命加速模拟测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范高温工作寿命HTOLB17730FailsJEDECJESD22-A108早期失效率ELFRB280030FailsAEC-Q100008NVM擦写次数，数据保持和工作寿命EDRB37730FailsAEC-Q100005GroupCTest(针对芯片产品封装过程中的封装完整性测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范绑线切应力WBSC1Cpk〉1.33Ppk1.67AEC-Q100001绑线拉力WBPC2Cpk〉1.33Ppk1.67或温度循环（#A4）后0FailsMIL-STD883method2011可焊性SDC315195%引脚覆盖JEDECJESD22-B102最少5个器件中的30个绑线物理尺寸PDC4103Cpk1.33Ppk1.67JEDECJESD22-B100andB108锡球切应力SBSC5最少10个器件中的5个锡球3Cpk1.33Ppk1.67AEC-Q100010引线完整性LIC65个零件每一个的10个引线1无破损或开裂JEDECJESD22-B105GroupDTest(针对Foundry厂的工艺可靠性测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范电迁移EMD1----经时介质击穿TDDBD2----热载流子注入HCID3----负偏压温度不稳定性NBTID4----应力迁移SMD5----GroupETest(针对芯片产品/IO库的电气可靠性测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范应力测试前后功能参数TESTE1ALLALL0Fails测试项目根据供应者数据规格或用户手册人体模式/机器模式静电放电HBM/MME2参考测试规范10Fails2KVHBM(H2或更高)200VMM(M3或更高)AEC-Q100-002AEC-Q100-003带电器件模式静电放电CDME3参考测试规范10Fails700V边角引脚500V其他引脚(C3B或更高)AEC-Q100-011闩锁效应LUE4610FailsAEC-Q100-004电分配EDE5303见AEC-Q100-009AEC-Q100-009故障分级FGE6--见AEC-Q100-007第4节AEC-Q100-007特性描述CHARE7---AEC-Q003电热效应引起的栅漏GLE8610FailsAEC-Q100-006电磁兼容EMCE911-SAEJ1752/3-辐射短路特性描述SCE101030FailsAEC-Q100-012软错误率SERE1131-JEDEC无加速：JESD89-1加速：JESD89-2或JESD89-3GroupFTest(针对芯片产品测试过程的缺陷筛选指南)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范部件平均测试PATF1---AEC-Q001统计良率分析SBAF2---AEC-Q002GroupGTest(针对芯片产品封装过程后的封装完整性测试)应力测试缩写编号每批样品个数批数接受标准遵循的测试规范机械冲击MSG13930FailsJEDECJESD22-B104变频振动VFVG23930FailsJEDECJESD22-B103恒加速应力CAG33930FailsMIL-STD883Method2001粗/细气漏GFLG43930FailsMIL-STD883Method1014跌落测试DROPG5510Fails-盖板扭力测试LTG6510FailsMIL-STD883Method2024芯片切断DSG7510FailsMIL-STD883Method2019内部水蒸气含量IWVG8310FailsMIL-STD883Method1018Notes：H：仅要求密封器件P：仅要求塑封器件B：仅要求焊球表面贴装器件（BGA）N：非破坏性测试，器件还可用于其他测试或者用到生产上D：破坏性测试，器件不能重新用来认证或生产S：仅要求表面贴装塑封器件G：承认通用数据，见表1的2.3节和附录1K：使用AEC-Q100-005方法来对独立非易失存储器（NVM）集成电路或带有NVM的集成电路进行预处理所有应力测试前后的电气测试都要在每个器件定义的温度和极限参数范围内进行附加要求仅用于表面贴器件附加要求JEDECJESD22-A108附加要求附加要求附加要求附加要求附加要求K：使用AEC-Q100-005方法来对独立非易失存储器（NVM）集成电路或带有NVM的集成电路进行预处理所有应力测试前后的电气测试都要在每个器件定义的温度和极限参数范围内进行