《数字电子技术基础》第五版-阎石-第7章-课件PPT

第七章半导体存储器教学内容§7.1概述§7.2只读存储器§7.3随机存储器§7.4存储容量的扩展§7.5用存储器实现组合逻辑函数教学要求1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和存储单元结构；会用ROM实现组合逻辑函数。2.熟悉RAM的结构和操作过程；了解RAM的扩展方式。7.1概述半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。按存储功能分只读存储器（ROM）随机存储器（RAM）按制造工艺分双极性MOS型7.2只读存储器（ROM)优点：电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。缺点：只适用于存储固定数据的场合。电路结构ReadOnlyMemory只读存储器分类：掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只能读出。PROM：可编程，只能写一次。EPROM:用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次数也不宜多。E2PROM:电信号擦除，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长。快闪存储器(FlashMemory)：吸收了EPROM结构简单，编程可靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。7.3随机存储器（RAM)优点：读、写方便,使用灵活。缺点：一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。基本结构：地址译码器、存储矩阵和读\写控制电路构成。RandomAccessMemory...P368图7.3.27.4存储容量的扩展字线位线存储容量＝字数×位数存储容量＝22×4＝4×4地址输入端数据输出端位扩展8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。字扩展4片256×8位的RAM接成1024×8位的RAM。7.5用存储器实现组合逻辑函数例7.5.2试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAY4321ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADABCDBCADCBAYCDBADCBABCDADBCAY4321解：化为最小项之和的形式：CDBADCBABCDADBCAY1BCDADABCDBCADCBAY2DCBADABCY3ABCDDCBAY4