微电子发展史资料

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资源描述

1微电子学概论2主要内容微电子技术发展历史半导体物理半导体器件基础集成电路制造工艺集成电路设计特种微电子器件微机电系统纳米电子学分子电子学微电子技术发展的规律和趋势3绪论什么是微电子学晶体管的发明集成电路的发展历史集成电路的分类微电子学的特点4微电子学:Microelectronics微电子学——微型电子学核心——集成电路5集成电路:IntegratedCircuit,缩写IC通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件,按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,执行特定电路或系统功能6封装好的集成电路7集成电路•集成电路的内部电路VddABOut8实现社会信息化的网络及其关键部件不管是各种计算机和/或通讯机,它们的基础都是微电子1946年第一台计算机:ENIAC9第一台通用电子计算机:ENIACElectronicNumericalIntegratorandCalculator1946年2月14日MooreSchool,Univ.ofPennsylvania18,000个电子管组成大小:长24m,宽6m,高2.5m速度:5000次/sec;重量:30吨;功率:140KW;平均无故障运行时间:7min10微电子科学技术的发展历史晶体管的发明11沃尔特·布拉顿也是美国人,1902年2月10日出生在中国南方美丽的城市厦门,当时他父亲受聘在中国任教。布拉顿是实验专家,1929年获得明尼苏达大学的博士学位后,进入贝尔研究所从事真空管研究工作。温文儒雅的美国人约翰·巴丁是一个大学教授的儿子,1908年在美国威斯康星州的麦迪逊出生,相继于1928年和1929年在威斯康星大学获得两个学位。后来又转入普林斯顿大学攻读固体物理,1936年获得博士学位。1945年来到贝尔实验室工作。美国人威廉·肖克利,1910年2月13日生于伦敦,曾在美国麻省理工学院学习量子物理,1936年得到该校博士学位后,进入久负盛名的贝尔实验室工作。12开始,布拉顿和巴丁在研究晶体管时,采用的是肖克利提出的场效应概念。场效应设想是人们提出的第一个固体放大器的具体方案。根据这一方案,他们仿照真空三极管的原理,试图用外电场控制半导体内的电子运动。但是事与愿违,实验屡屡失败。人们得到的效应比预期的要小得多。经过多少个不眠之夜的苦苦思索,巴丁又提出了一种新的理论——表面态理论。这一理论认为表面现象可以引起信号放大效应。表面态概念的引入,使人们对半导体的结构和性质的认识前进了一大步。但是也没有得到非常理想的确结果.1945年秋天,贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴丁等人。131947年12月23日,人们终于得到了盼望已久的“宝贝”。这一天,巴丁和布拉顿把两根触丝放在锗半导体晶片的表面上,当两根触丝十分靠近时,放大作用发生了。世界第一只固体放大器——晶体管也随之诞生了。在这值得庆祝的时刻,布拉顿按捺住内心的激动,仍然一丝不苟地在实验笔记中写道:“电压增益100,功率增益40,电流损失1/2.5……亲眼目睹并亲耳听闻音频的人有吉布尼、摩尔、巴丁、皮尔逊、肖克利、弗莱彻和包文。”在布拉顿的笔记上,皮尔逊、摩尔和肖克利等人分别签上了日期和他们的名字表示认同。巴丁和布拉顿实验成功的这种晶体管,是金属触丝和半导体的某一点接触,故称点接触晶体管。这种晶体管对电流、电压都有放大作用。14布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作,长期从事半导体的研究,积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察,逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现,在锗片的底面接上电极,在另一面插上细针并通上电流,然后让另一根细针尽量靠近它,并通上微弱的电流,这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化,会对另外的电流产生很大的影响,这就是放大作用。15晶体管发明半年以后,在1948年6月30日,贝尔实验室首次在纽约向公众展示了晶体管。这个伟大的发明使许多专家不胜惊讶。然而,对于它的实用价值,人们大都表示怀疑。当年7月1日的《纽约时报》只以8个句子、201个文字的短讯形式报道了本该震惊世界的这条新闻。在公众的心目中,晶体管不过是实验室的珍品而已。估计只能做助听器之类的小东西,不可能派上什么大用场。161947年12月23日第一个晶体管NPNGe晶体管W.SchokleyJ.BardeenW.Brattain获得1956年Nobel物理奖17的确,当时的点接触晶体管利用触须接点,很不稳定,噪声大,频率低,放大功率小,性能还赶不上电子管,制作又很困难。难怪人们对它无动于衷。然而,物理学家肖克利等人却坚信晶体管大有前途,它的巨大潜力还没有被人们所认识。于是,在点接触式晶体管发明以后,他们仍然不遗余力,继续研究。又经过一个多月的反复思索,一个念头却在心中越来越明晰了,那就是以往的研究之所以失败,根本原因在于人们不顾一切地盲目模仿真空三极管。这实际上走入了研究的误区。晶体管同电子管产生于完全不同的物理现象,这就暗示晶体管效应有其独特之处。明白了这一点,肖克利当即决定暂时放弃原来追求的场效应晶体管,集中精力实现一种新型晶体管.181948年11月,肖克利构思出一种新型晶体管,其结构像“三明治”夹心面包那样,把N型半导体夹在两层P型半导体之间。这是一个多么富有想象力的设计啊!可惜的是,由于当时技术条件的限制,研究和实验都十分困难。直到1950年,人们才成功地制造出第一个PN结型晶体管。19晶体管的三位发明人:巴丁、肖克莱、布拉顿20Bardeen提出了表面态理论,Schokley给出了实现放大器的基本设想,Brattain设计了实验1947年12月23日,第一次观测到了具有放大作用的晶体管21这是一种用以代替真空管的电子信号放大元件,是电子工业的强大引擎,是计算机革命的关键,被媒体和科学界称为“20世纪最重要的发明”。也因此有人说:“没有贝尔实验室,就没有硅谷。”22晶体管之父肖克利1954年,成就了“本世纪最伟大发明”的晶体管之父肖克利,离开贝尔实验室返回故乡寻求发展,他的故乡恰好就在现在的硅谷。23在硅谷嘹望山,肖克利宣布成立半导体实验室。不久,因仰慕晶体管之父的大名,求职信像雪片般飞到肖克利的办公桌上。1956年,以罗伯特·诺依斯(N.Noyce)为首的8位年轻的科学家从美国东部陆续加盟肖克利的实验室。他们的年龄都在30岁以下,学有所成,有获得双博士学位者,有来自大公司的工程师,有著名大学的研究员和教授,都处在创造能力的巅峰。集成电路的发明241927年12月12日,诺伊斯(N.Noyce)生于衣阿华州东南的登马克(Durlington)小镇。诺依斯25大学就读于当地的格林纳尔学院,多才多艺的诺伊斯,他同时学习物理、数学两个专业。他擅长游泳,曾获衣阿华州跳水冠军。业余时间还演奏双簧管,并在当地电台表演广播连续剧。一次寝室晚会,大家要开一个有南太平洋风味的宴会。其中缺一只烤全猪。由于囊中羞涩,诺伊斯和另一名学生被委以重任:到邻近农场偷猪。两人不负重望,搞出一只25磅的猪,英雄般地凯旋,宴会获得极大成功。但第二天早晨情势大变,在衣阿华,偷猪和盗马,在50年前是上绞刑架的罪过。26诺伊斯保住了小命,也逃脱了刑事控告,却无法逃脱学校的处罚。经过一些交易,处罚不重:停学一学期,发配到纽约市公平人寿保险公司做统计工作。臭名昭著的偷猪使诺伊斯脸面丢尽,却也在纽约了解了花花世界。1949年初,回到格林纳尔,他已焕然一新。秋天,22岁的诺伊斯考取了MIT的博士研究生。博士论文是《对绝缘体表面光电现象的研究》。在一次音乐会上,参加演出的诺伊斯与化妆师伊丽莎白一见钟情,1953年一毕业就结了婚。27诺伊斯没有选择大公司,而是去了较小的菲尔科公司。他对物质追求很淡漠,“我唯一的梦想是能同时买两双鞋,因为我是穿着哥几个的旧鞋子长大的。”这一干就是3年。1956年,在华盛顿的技术报告会上,肖克利被他的报告深深打动。“1个月后,肖克利打来电话,说他打算到西海岸开一家公司,要与我商量加入该公司的事宜。”招齐员工后,肖克利下令实验室大量生产晶体管,要把成本降到每只5分钱。然而,肖克利虽然雄心勃勃,但对管理却一窍不通,把实验室的生产指挥得一塌糊涂,全然听不进别人的善意规劝。28年轻人彻底地失望了:一年之中,实验室没有任何拿得出手的产品问世。1957年,8位青年中的7人偷偷聚在一起,瞒着肖克利商量叛逃的办法。想来想去,决定自己创办一家公司。可他们也都不懂生产管理,大家一致同意策反诺依斯,他看起来是唯一有点儿领导才能的人。当8位青年联名递上辞职书的时候,肖克利不由得火冒三丈:你们简直是一群叛徒!“肖克利指着诺依斯的鼻子,怒不可遏。年轻人们面面相觑,但还是义无返顾地离开了他们的“伯乐”。这就是电脑史上人所共知的有关“8大叛徒”的趣谈,不过,肖克利本人后来也改口把他们称为“8个天才的叛逆”。肖克利实验室因主要骨干出走而一蹶不振。最后肖克利只好回到大学教书.29天才八叛逆1957年9月,“八叛逆”手拿《华尔街日报》,按纽约股票栏目挨家挨户寻找合作伙伴,最后圈定了35家公司。301957年10月,地处美国东部的仙童照相器材和设备公司,为“八叛逆”投资了3500美元种子资金,组建起一家以诺依斯为首的仙童(Fairchild)半导体公司,仍在嘹望山租下一间小屋,着手制造一种双扩散基型晶体管,以便用硅来取代传统的锗材料。在诺依斯精心运筹下,“仙童”的业务逐渐有了较大发展,员工增加到100多人。同时,一整套制造硅晶体管的平面处理技术也日趋成熟。科学家赫尔尼(J·A·Hoermi)是众仙童中的佼佼者,他像变魔术一般把硅表面的氧化层挤压到最大限度。诺依斯等人首创的晶体管制造方法也与众不同,他们先在透明材料上绘好晶体管结构,然后用拍照片的办法,把结构显影在硅片表面氧化层上,腐蚀去掉不需要的图形后,再把那些具有半导体性质的微粒扩散到硅片上。31这一套半导体平面处理技术仿佛为仙童们打开了一扇奇妙的大门,他们突然看到了一个广阔的空间:用这种方法既然能做一个晶体管,为什么不能在硅片上集成几十个、几百个、乃至成千上万个呢?1959年1月23日,诺依斯在日记里详细地记录了这一闪光的设想。就在仙童公司诺依斯等人还在大胆设想的时候,晶体管的集成化试验却已在德克萨斯仪器公司悄悄地进行。32几乎在同一时期,美国南部达拉斯市,德克萨斯仪器公司(TI)的青年研究人员基尔比(J.kilby)也想到了类似的技术创意。读中学时,基尔比的父亲期盼他能考上麻省理工学院,成为优秀的电子工程师。考试的结果,成绩一贯优秀的基尔比以3分之差落第,不得已进入伊利诺伊大学就读。基尔比在伊利诺斯大学和威斯康星大学所学专业都是电子工程学,他从英国科学家达默的思想里获得了启发。达默(Dummer)早在1952年就指出,由半导体构成的晶体管,可以把它们组装在一块平板上而去掉之间的连线。33达默(W.A.dummer)在英国的一次会议上讲到电子学的可靠性时说过:随着晶体管的出现和半导体工作的普遍化,现在似乎可以设想在固体板块中的电子设备无需连接的导线。板块本身就包括了绝缘的导电层、整流和放大的材料,通过切割各层面积的办法直接把电学功能连接在一起”。根据这种想法,基尔比在笔记本上画出了设计草图。34集成电路草图基尔比(J.kilby)351958年7月,达拉斯天气炎热,TI公司宣布放一次长假,绝大多数员工兴高采烈离开岗位。基尔比那年35岁,到TI公司任职不足两个月,无权享受休假的乐趣。人去楼空,反而给他提供了思考和试验的机会。基尔比曾在一家小型实验室干了10年,搞过晶体管助听器和其他电子工艺,积累了丰富的实践经验。TI公司目前交给他的任务是把许多单独的晶体管挤进很小的空间,为军方制作一种“微模组件”。36基尔比暗自思忖,别看晶体管较大,其中真正起作用的,只是很小的晶体,尺寸不到百分之一毫米,而无用的支架、管壳却占去多数体积。37基尔比原来设想用硅材料制作电路,但
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