半导体工艺光刻+蚀刻

芯片制造技术中的光刻、刻蚀工艺INTRADUCTION芯片制造工艺光刻工艺刻蚀工艺光刻+蚀刻最重要决定着芯片的最小尺寸制造时间的40-50%制造成本的30%玻璃模版光刻光化学反应蚀刻腐蚀光刻胶膜硅片光刻工艺photoresistsiliconsubstrateoxide紫外光光刻胶上的阴影光刻胶的曝光区模版上的铬岛硅衬底光刻胶层氧化层岛使光衰弱的被曝光区光刻胶显影后的最终图形窗口光刻胶层氧化层硅衬底光刻原理使用光敏材料（光刻胶）和可控制的曝光在光刻胶膜层形成三维图形在后续工艺(蚀刻)中,保护下面的材料光刻工艺显影检查曝光后烘焙显影坚膜烘焙紫外光模版对准和曝光光刻胶旋转涂胶软烘清洗+喷涂粘附剂HMDS光刻工艺步骤光刻工艺涂胶曝光显影模板NormalIncompleteoverunder光刻工艺——显影后光刻工艺——显影后光刻胶上的IC设计图形晶圆表面腐蚀作用，从Si片表面去除不需要的材料，如Si、SiO2，金属、光刻胶等湿法和干法蚀刻工艺刻蚀工艺用液体化学剂（如酸，碱和溶剂等）以化学方式去除Si表面的材料刻蚀工艺——湿法Plasma刻蚀工艺——干法把衬底表面曝露于气态的等离子体，等离子体与硅片发生物理或/和化学反应，从而去掉曝露的表面材料。亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法曝光显影显影液蚀刻酸气体去光阻去光阻液光刻+刻蚀开启电极接触窗口蒸金，光刻+刻蚀制作连接导线连接导线的制作知识回顾KnowledgeReview