实验七混频器的仿真设计说明书

XI’ANJIAOTONGUNIVERSITY1.理解微波混频器的主要性能指标2.掌握微波混频器的分析方法及基本应用3.掌握单端微波二极管和单平衡混频器的结构特点、电路形式和工作原理；4.掌握用ADS进行混频器仿真的方法与步骤一、实验目的降频器RF滤波器前置放大器IF带通滤波器RF滤波器LNAIF滤波器IF放大器接收天线功率分配器发射天线功率放大器升频器IF放大器BaseProcessorUnit(BPU)GainControllerPADPADPLLVCO混频器是微波集成电路接收系统中必不可少的部件。在微波通信、雷达、遥控、遥感、侦察与电子对抗系统以及微波测量系统中，将微波信号用混频器降到中低频来进行处理。二、微波混频器典型电路结构及技术指标•变频损耗•噪声系数•端口隔离度•驻波比•动态范围•三阶交调系数•镜频抑制度•交调失真混频器电路的主要技术指标混频器电路的基本要求信号功率和本振功率应同时加到混频二极管上；二极管要有直流通路和中频输出通路；二极管和信号回路应尽可能匹配，以便获得较大的信号功率；本振与混频器之间的耦合量应能调节，以便选择合适的工作状态；中频输出端应能滤掉高频分量（信号和本振）下变频接收机和频差频混频器的基本概念及指标载波频率下边带上边带上变频发射机大量谐波及其高阶产物镜频多数微波系统中的混频器是单边带工作；镜频噪声使混频器的噪声系数恶化，因此需抑制镜频。tfftffABtfBtfALoRFLoRFLoRF)cos()cos(22cos2cos镜频抑制度：表征混频器对镜频信号抑制程度的指标。定义：在信号频率和镜频上分别输入同样的功率信号时所产生的中频信号幅度之比，通常用分贝表示。变频损耗指标LC：混频过程伴随着信号能量的重新分配，导致中频信号幅度低于射频信号幅度定义：为输入射频信号的资用功率PRF与输出中频信号资用功率PIF之比:噪声系数NF：定义为输入信号信噪比Si/Ni与输出信号信噪比So/No的比值：3阶交调系数Mi：输入信号包括两个以上的频率分量时，混频器输出信号中将产生交调分量，出现交调干扰（IMD）。影响最大的是3阶交调分量（3阶交调的阶次最低，幅度最大）。)(logdBcPPMavailIFIMi310混频器隔离度：是指各频率端口之间的隔离度，该指标包括三项，信号与本振之间的隔离度，信号与中频之间的隔离度，本振与中频之间的隔离度。隔离度定义是本振或信号泄漏到其他端口的功率与原有功率之比，单位为dB。)±(±21sSLωmωnω双频交调分量m+n=k为交调失真的阶数三、混频器的基本电路结构1、混频管二极管通常非线性变频管采用二极管（非线性电阻二极管：肖特基势垒二极管）,本振输入功率约2~10mW，变频损耗约-4dB左右，噪声系数约4-6dB.非线性电容二极管：变容管、阶跃恢复二极管等,利用结电容对所加电压的非线性变化来实现频率变换。一般为15-25mW，变频损耗约-6dB左右晶体管（微波场效应管，MESFET）。采用肖特基势垒二极管做变频元件：变频损耗相对较高，但是它结构简单，便于集成化，工作频带宽，可能达到几个甚至几十个倍频程。它的噪声较低而且工作稳定，动态范围大，不容易出现饱和。肖特基势垒二极管结构如图所示，在N+半导体（Si或GaAs）衬底基片上生长外延层（大约0.5μm），外延层上做一层SiO2保护层，腐蚀出小孔（直径约为1μm-5μm），再蒸发金属，小孔中的金属与外延半导体形成肖特基势垒结。在势垒金属上再镀出金属电极就构成了二极管芯。窗孔直径愈小，结电容愈小，则工作频率愈高。肖特基二极管管芯结构示意图肖特基二极管是是以金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散，于是就形成了肖特基势垒。肖特基二极管具有功耗低、电流大、正向导通压降低、反向恢复时间极短（可以小到几纳秒）的超高速半导体器件。对外主要呈现非线性电阻特性，是构成微波混频器、检波器和微波开关等的核心元件。肖特基势垒二极管混频二极管封装结构及等效电路(a)“炮弹”式封装；(b)微带封装；(c)SOT贴片封装面结合型二极管结构和等效电路肖特基势垒二极管等效电路Rj为二极管的非线性结电阻，是阻性二极管的核心等效元件。Rj随外加偏压而改变，正向时约为几欧姆，反向时可达MΩ量级。Cj为二极管的非线性结电容。Cj随二极管的工作状态而变，电容量在百分之几皮法到一皮法之间。肖特基二极管的伏安特性可表示为：SS=1exp1exp　qUIfUInkTIUe是电子电荷，k是波尔兹曼常数，T是绝对温度，一般情况n≈1至1.2。室温下α=30至40，Is是反向饱和电流混频二极管上加大功率本振、小功率信号及直流偏置(或零偏压)时定义二极管的时变电导g(t)为()0LL0LLE+Ucostv=E+Ucost0LLsdigt==fv=fE+UcostIedv电流在工作点用泰勒级数展开：二极管的非线性电阻混频机理0LLSS0LL0LLSS20LLSS(coscos)(cos)'(cos)cos1''(cos)(cos)2!ifEUtUtfEUtfEUtUtfEUtUt…SS0SSSLS1()coscoscos()nnigtUtgUtgUnt201()cos()()2nLLggtntdt混频器电流的主要频谱(设ω0=ωS－ωL)从上分析可见：•在混频器中产生了无数的组合频率分量，若负载ZL采用中频带通滤波器，就可以取出所需的中频分量而将其他组合频率滤掉（I1=g1US）•混频过程中，本振是强信号，它产生了无数的谐波，但其谐波功率大约随1/n2变化(n为谐波次数)•信号频率与本振频率产生的和频ω+=ωL+ωS、差频ω0=ωS－ωL、镜频(关于本振)ωi=2ωL－ωS=ωL－ω0分量。如果在输入电路中将镜频反射回二极管并重新与本振混频，即可再次产生中频ωL－ωi=ω0（镜频回收以减小变频损耗）。2、单端混频器：最简单的混频器电路。用于要求不高的场合1—定向耦合器(本振与信号隔离)；2—阻抗变换器；3—相移线段(阻抗匹配)；4—混频二极管;5—高频旁路；6—半环电感及缝隙电容(滤除高频、中频回路)；7—中频和直流通路(高频有效短路及偏压)；8—匹配负载设计微带线长度时是以信号频率对应的微带波导波长为基准的。由于信号频率和本振频率很接近，按信号波长设计对本振传输带来的影响不大；另一方面是由于信号功率比较弱，电路设计务必要保证信号的损失最小，因此只能牺牲部分本振功率。λg/2镜频开路单端混频器2.双管单平衡混频器电路结构：混合网络+两个单口混频器优点：噪声系数低、动态范围大、本振功率小、无偶数阶产物电桥作用：（环形桥、分支线定向耦合器）输入信号、本振功率平分加到两个混频管，得到充分利用增加工作带宽RF端口实现完全匹配RF-LO完全隔离抑制谐波，减少失真、干扰与损耗LfSfiffl434l4l12344l1D2Dπ/2型（90˚）移相型平衡混频器加到两管上的信号(本振)相位差为π/2。1212cos()cos()2cos()cos()2ssssssLLLLLLuVtuVtuVtuVt混频电导为：2()012cos()2tnLnngggnt1()012cos()tnLngggntn混频电流为：11()1012cos()cos()2tsnLssniguggntnVt22()2012cos()cos()2tsnLssnniguggntVt中频电流为：01110cos()cos()22ssLsigVtgVt0211001cos()cos()22ssLsigVtgVti输出中频电流为：00102011022cos()2siiiigVt)]2((cos[)()]()2(cos[)(21tntmUgtitntmUgtiLSSnLSSnnLSmnmnLSmnmtnmjnjItitnmnmjIti])(exp[]2exp[)(])exp[j()]2(exp[)(21nLSmnmjnjmjntnmjItiti)]2exp()2][exp(exp[])(exp[)()(21两管输出端电流表示成傅立叶级数总电流m=n各项不存在相差2的各项不存在（例m=1，n=3，…..)单平衡混频器的组合频率1800（反相型）平衡混频器加到两管上的信号同相，本振相位差为π。本振偶次谐波组合频率无输出、结构复杂。12cosSSSsUUVt2cosLLLUVt1cos()LLLUVt两管的混频跨导分别为：2()012costnLngggnt1()012cos()tnLngggntn流过两管的电流分别为：12()012cos()costsnLssniguggntnVt21()012coscostsnLssniguggntVtLfSfiffl434l4l12344l1D2DfLfS中频电流成分为：0211001110cos()coscos()cosssLsssLsigVtgVtigVtgVt总输出中频电流为：00201102cossiiigVt对随同本振进入的噪声：2cosnnnuVt1cos()nnnuVt混频后产生的中频噪声输出为：2110cos()cosnnnLnnigVtgVt1110cos()()cosnnnLnnigVttgVt在输出端实际输出的噪声电流为：210Lnnniii在输出端可有效抑制本振噪声，改善噪声性能输出：212cos21nsLsiiigVitn为偶数的高次谐波电流被完全抵消，只剩下奇次谐波电流(n=2i+1)，所以电路本身抵消了一半高次谐波电流分量。对混频后产生的高次谐波21cos()cos()nsLsnsLsigVntigVntn3、镜像回收混频器(a)给出了分支线电桥的信号和本振输入端都放置了平行耦合镜像带阻滤波器，在该处它们镜像开路。由于该处距二极管约为λSg／4,因而在两个二极管输入接点处镜像信号被短路到地。(b)在靠近连接二极管端口处有一耦合微带线作带阻滤波器，该滤波器由两段1/4镜频波长的短线组成，一段终端开路，另一段与主传输线平行，形成平行耦合微带线。位置要调整到刚好使镜频和本振二次混频后的中频和一次混频的中频同相叠加，可回收镜频能量，提高混频器性能。（a）镜像短路平衡混频器（b）镜像开路平衡混频器平衡混频器实例Photographofa35GHzmicrostripmonopulseradarreceivercircuit.Threebalancedmixersusingringhybridsareshown,alongwiththreestepped-impedancelow-passfilters,andsixquadraturehybrids.Eightfeedlinesareaperturecoupledtomicrostripantennasonthereverseside.ThecircuitalsocontainsaGunndiodesourceforthelocalo