搜索
Copyright@SEMIPOWERElectronicTechnologyCo.,Ltd.Allrightsreserved.SymbolParameter中文描述应用系统关联参数解读RthjcThermalresistance,Junctiontocase结到封装的热阻该系列参数均表明在发热相同条件下器件散热能力的强弱，热阻越小散热越快。RthcsThermalresistance,CasetoSink封装到散热片的热阻RthjaThermalresistance,Junctiontoambient结到空气热阻1/2SymbolParameter中文描述对电源系统的影响VDSSDraintoSourceVoltage漏源电压标称值参考BVDSSIDContinuousDrainCurrent(@TC=25oC)漏源标称电流漏源间可承受的电流值，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP、OLP的过程中会引起电流击穿的风险。ContinuousDrainCurrent(@TC=100oC)IDMDraincurrentpulsed漏源最大单脉冲电流反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP或OLP测试时，有电流击穿的风险。VGSGatetoSourceVoltage栅漏电压栅极可承受的最大电压范围，在任何条件下，必须保证其接入的电压必须在规格范围内。MOSFET的栅极也是MOSFET最薄弱的地方。EASSinglepulsedAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量MOSFET漏源极可承受的最大单次或多次脉冲能量，该能量如果过小在做OCP、OLP、SURGER、耐压等测试项目时有失效的风险。EARRepetitiveAvalancheEnergy重复雪崩能量dv/dtPeakdiodeRecoverydv/dt漏源寄生二极管恢复电压上升速率（1）dv/dt反应的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。（2）对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。PDTotalpowerdissipation(@TC=25oC)最大耗散功率该值越大越好，由于该值的测试是模拟理想环境，所以测试出来值跟实际应用比起来差异特别大，参考意义比较有限。DeratingFactorabove25oCTSTG,TJOperatingJunctionTemperature&StorageTemperature结温及贮存温度该参数表明MOSFET的温度承受能力，越大越好TLMaximumLeadTemperatureforsolderingpurpose,1/8fromCasefor5seconds.最大引线焊接温度该参数是针对插件类产品来说，该参数值越大，焊接时温度承受能力越好。功率MOSFET在电源板上参数解读---朱鹏SymbolParameter中文描述应用系统关联参数解读ISContinuoussourcecurrent最大连续续流电流漏源间可承受的最大持续电流，该值如果偏小，在设计降额不充裕的系统中或在测试OCP、OLP的过程中会引起电流击穿的风险。ISMPulsedsourcecurrent最大单脉冲续流电流反应的是MOSFET漏源极可承受的单次脉冲电流强度，该参数过小，电源系统在做OCP或OLP测试时，有电流击穿的风险。VSDDiodeforwardvoltagedrop.二极管源漏电压该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。TrrReverserecoverytime反向恢复时间该参数如果过大，在桥式或LLC系统中会导致系统损耗过大，温升过高。同时也加重了电路直通的风险。QrrReverserecoveryCharge反向恢复充电电量该参数与充电时间成正比，一般越小越好。SAMWINPDF文件使用pdfFactoryPro试用版本创建@SEMIPOWERElectronicTechnologyCo.,Ltd.Allrightsreserved.SymbolParameter中文描述应用系统关联参数解读OffcharacteristicsBVDSSDraintosourcebreakdownvoltage漏源击穿电压漏源极最大承受电压，该参数为正温度系数。如果BVDSS过小，应用到余量不足的系统板中会引起MOSFET电压失效，从而引起大电流环路里的电阻保险等相关器件的烧毁。ΔBVDSS/ΔTJBreakdownvoltagetemperaturecoefficient漏源击穿电压的温度系数正温度系数，反应的是BVDSS温度稳定性，其值越小，表明稳定性越好。IDSSDraintosourceleakagecurrent漏源漏电流正温度系数，IDSS越大，MOSFET关断时的损耗越大，会导致相应的温升效应。IGSSGatetosourceleakagecurrent,forward栅极驱动漏电流栅极漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。Gatetosourceleakagecurrent,reverseOncharacteristicsVGS(TH)Gatethresholdvoltage开启电压（1）VGS(TH)越高，MOSFET米勒平台也就越高，开启越慢，开关损耗越小，进而产生的温升也越小。（2）其直接反应MOSFET的开启电压，MOSFET实际工作时电压必须大于平台电压，如果栅极驱动电压长期工作在平台附近，会导致器件不能完全打开，内阻急剧上升，从而器件产生相应的热失效现象。RDS(ON)Draintosourceonstateresistance导通电阻同一规格的MOSEFETRDS(ON)越小越好，其直接决定MOSFET的导通损耗，RDS(ON)决越大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较大功率电源中，RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。RDS(ON)的变化会引起客户系统板OCP过流保护点的变化。GfsForwardTransconductance正向跨导其反应的是栅电压对漏源电流控制的能力，Gfs过小会导致MOSFET关断速度降低，关断能力减弱，Gfs过大，会导致关断过快，EMI特性差，同时伴随关断时漏源会产生更大的关断电压尖峰。DynamiccharacteristicsCissInputcapacitance输入电容=Cgs+Cgd该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因。但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性。CossOutputcapacitance输出电容=Cds+Cgd这两项参数对MOSFET关断时间略有影响，其中Cgd会影响到漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响。CrssReversetransfercapacitance反向传输电容=Cgd(米勒电容)td(on)Turnondelaytime漏源导通延迟时间这些参数都是与时间相互关联的参数。开关速度越快对应的优点是开关损耗越小，效率高，温升低，对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高。trRisingtime漏源电流上升时间td(off)Turnoffdelaytime漏源关断延迟时间tfFalltime漏源电流下降时间QgTotalgatecharge栅极总充电电量QgsGate-sourcecharge栅源充电电量QgdGate-draincharge栅漏充电电量SAMWIN2/2PDF文件使用pdfFactoryPro试用版本创建