半导体器件基础.ppt

第5章半导体器件基础5.1半导体基础知识本征半导体；杂质半导体；PN结5.2半导体二极管二极管的结构和符号；二极管的伏安特性；特殊二极管；二极管的主要参数5.3晶体三极管三极管的结构和符号；三极管的电流放大原理；三极管的共射特性曲线；三极管的主要参数5.1.1本征半导体1）导体、半导体和绝缘体导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，还有酸碱性的水溶液、人体、大地等。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料、干木材、空气等。半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。5.1半导体基础知识下一页总目录章目录返回上一页(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入极微量的某些杂质，可使其导电能力剧增(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。光敏性：当受到光照时，导电能力大大增强(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点：2）本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。晶体中原子的排列方式单晶硅中的共价健结构共价健共价键中的两个电子，称为价电子。SiSiSiSi价电子SiSiSiSi价电子价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。空穴自由电子在绝对温度T=0K时，所有的价电子都紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，此时本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。可见本征激发同时产生电子空穴对。当外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。与本征激发相反的现象——复合当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流：(1)自由电子逆电场方向运动电子电流(2)价电子递补空穴，顺电场方向运动空穴电流自由电子和空穴都称为载流子；总电流＝电子电流+空穴电流。自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。本征半导体的导电机理注意：(1)本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；(2)温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能也就愈强。所以，温度对半导体器件性能影响很大。5.1.2N型半导体和P型半导体掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。掺入五价元素SiSiSiSip+多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子在本征半导体中掺入微量的其它元素（称为杂质）,形成杂质半导体。在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。1.N型半导体2.P型半导体掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。掺入三价元素SiSiSiSi在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。杂质离子带负电。B–硼原子接受一个电子变为负离子空穴注意：无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。5.1.3PN结1.PN结的形成多子的扩散运动内电场少子的漂移运动浓度差P型半导体N型半导体内电场越强，漂移运动越强，而漂移运动使空间电荷区变薄。扩散的结果使空间电荷区变宽。空间电荷区也称PN结扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－形成空间电荷区2.PN结的单向导电性（1）PN结加正向电压（正向偏置）PN结变窄P接正、N接负外电场IF内电场被削弱，多子的扩散运动加强，形成较大的扩散电流。PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。内电场PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–R（2）PN结加反向电压（反向偏置）外电场P接负、N接正内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+RPN结变宽外电场内电场被加强，少子的漂移运动加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。IRP接负、N接正温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。–+PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。内电场PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－5.2半导体二极管5.2.1二极管的结构和符号PN结用外壳封装起来，并加上电极引线，就成为半导体二极管。阴极阳极D(b)二极管的符号阳极引线阴极引线外壳(a)二极管的结构示意图PN5.2.2二极管的伏安特性硅管0.5V,锗0.1V。反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。正向特性反向特性特点：非线性，单向导电性硅0.6~0.8V锗0.1~0.3Vui死区电压PN+–PN–+反向电流IS在一定电压范围内保持常数。TS(e1)uUiI=-端电压温度的电压当量反向饱和电流电流常温下UT=26mV温度对二极管伏安特性的影响：T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移UonU(BR)温度每升高10C，正向压降减小2~2.5mV；温度每升高100C，反向电流约增大一倍。二极管电路分析举例定性分析：判断二极管的工作状态导通截止否则，正向管压降硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳V阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳V阴或UD为负(反向偏置)，二极管截止若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。（单向导电性）电路如图，求：UABV阳=－6VV阴=－12VV阳V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。D6V12V3kBAUAB+–两个二极管的阴极接在一起取B点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。V1阳=－6V，V2阳=0V，V1阴=V2阴=－12VUD1=6V，UD2=12V∵UD2UD1∴D2优先导通，D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=0V例2:D1承受反向电压为－6V流过D2的电流为mA43122DI求：UABBD16V12V3kAD2UAB+–ui8V，二极管导通，可看作短路uo=8Vui8V，二极管截止，可看作开路uo=ui已知：二极管是理想的，试画出uo波形。Vsin18itu8V例3：uit18V参考点二极管阴极电位为8VD8VRuoui++––作业：5-95-105-14（5-65-7)直接在书上做下一页总目录章目录返回上一页复习1.P型半导体和N型半导体P型半导体：掺杂3价元素，空穴为多数载流子N型半导体：掺杂5价元素，自由电子为多数载流子2.PN结PN结的形成，PN结的单向导电性3.二极管二极管伏安特性二极管电路的分析ui05.2.3特殊二极管（1）伏安特性及电路符号UZIZIZMUZIZ稳压管正常工作时加反向电压使用时要加限流电阻稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。_+uiO1.稳压二极管（2）主要参数①稳定电压UZ稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。②稳定电流IZ③最大允许耗散功率PZM和最大稳定电流IZM最大耗散功率PZM是在结温升允许的情况下的最大功率，一般为几十毫瓦至几百毫瓦。因PZM=UZIZM由此可确定最大稳定电流IZM稳定电流是保证稳压管正常稳压的最小工作电流，电流低于此值时稳压效果不好。一般为毫安数量级。UZIZIZMUZIZuiOP97例5.3如图所示电路中，已知输入电压UI=12V，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，稳定电流IZ=5mA,额定功率PZM=90mW，试问输出电压能否等于6V。+UZ-UZIZIZMUZIZuiO发光二极管2.发光二极管是一种将电能转换成光能的半导体器件，其基本结构是一个PN结。它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，约为1～2伏，电流为几~几十mA。当管子正向导通时将会发光。发光二极管常用作显示器件，如指示灯、七段显示器、矩阵显示器等。常见的LED发光颜色有红、黄、绿等，还有发出不可见光的红外发光二极管。3.光电二极管是一种将光信号转换成电信号的器件。其基本结构也是一个PN结。光电二极管工作在反偏状态下。当无光照时，与普通二极管一样，反相电流很小，称为暗电流。当有光照时，反向电流随光照强度的增加而上升，称为光电流。照度增加5.2.4二极管的主要参数1.最大整流电流IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.最高反向工作电压UR是保证二极管不被击穿而给出的反向电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。3.反向电流IR指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IR受温度影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。作业：5-145.3晶体三极管5.3.1基本结构NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大5.3.2三极管的电流放大原理三极管的三种工作状态：（1）当发射结和集电结均反偏时，处于截止状态；（2）当发射结正偏，集电极反偏时，处于放大状态；（3）当发射结和集电结均正偏时，处于饱和状态。BECNPNBECNNP基极发射极集电极1.三极管放大状态的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB从电位的角度看：NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB2.各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.950.0010.721.542.363.184.05结论:1）三个电极电流关系：IE=IB+IC2）ICIB，ICIE3）ICIB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。BECNNPEBRBECRCIEICIB下一页总目录章目录返回上一页3.三极管内部载流子的运动规律BECNNPVBBRBVCCIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。基区的非平衡少子在外电场的作用下越过基区到达集电区，形成漂移电流ICE。集电结反偏，有少子形成的反向饱和电流ICBO。RCIC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数，即BCCBOBCBOCBECEIIIIIIIICEOBCBOBC)(1IIIIIBCCEOIII，有忽略集－射极穿透电流，温度ICEO(常用公式)若IB=0,则ICICEO5.3.3三极管的共射特性曲线即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载