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图中RS即为串联电阻：包括电池的体电阻、表面电阻、电极电阻、电极与硅表接触电阻等Rsh为旁漏电阻即为并联电阻，为硅片边缘不清洁及内部缺陷引起RS很小，Rsh很大理想情况下可以忽略，Ish很小串并联电阻对填充因子（FF）影响很大，串联电阻Rs越高，填充电流下降越多，填充因子减少的越多，并联电阻减少的越多效果相同。对于旁漏电阻的非常好的解释：【1】并联电阻是为了解释分流现象而引入的一个概念，实际上是不存在这样一个电阻的。举个简单的例子，一10A的恒流源接一10欧的电阻，那上面有10A的电流，如果再给它并联一个10欧的电阻，那它上面的电流只有5A了，还有5A分给了另外一个，这就是并联电阻引起的分流效应。一定的光强下光生电流是一定的，如果电池片边缘刻蚀没刻断或者体内有区域性高导杂质，都会引起分流，导致穿过P-N结势垒的电流减少，相当于和结区并联了一个电阻，并联电阻越小分流效应越明显，所以我们希望它越大越好.【2】并联电阻是一个用于描述电池特性的基本的概念。如楼上所述，并联电阻不是一个实体电阻。但是，并联电阻又与实体电阻有关。理论上，对于单p-n太阳电池，可以建立电路模型，常规的教材中均有这样的模型，可以给出一个串联电阻、并联电阻等等综合在一起的公式描述电流随电压的变化。但是对于实际的电池和组件，影响的因素非常多，譬如：1、硅片边缘的短路通道（脏污可以引起）；2、薄膜电池中由于薄膜沉积质量差，存在针孔引起的短路通道；3、薄膜组件中串联集成时引起的短路通道。4、.........因此，实际的测量系统中，是将光I－V特性曲线的接近V＝0的部分，或进行数学拟合后，或直接计算（dI/dV）的倒数，实际上就是光I-V曲线的接近V＝0的位置的微分的倒数。这样的处理，对于FF较差的电池和组件，能够定性/半定量地将串联电阻用于工艺优化和分析。而对于FF较好的电池和组件，由于测试设备所测电信号的起伏、以及所用数学拟合方法的局限，同一片样品，多次测量的重复性都很差的。因此，很多测量系统，就不给出所谓并联电阻的数据。Rs、Rsh与其他参数到底有什么关系？这个问题搞的我很晕5N(Y:x,S+N/s(m比如：RsRsh与填充因子FF什么关系或者说FF随RsRsh怎么变化？RsRsh与短路电流Isc和Voc有什么关系？怎么变化的串联电阻=硅片基体电阻+扩散方块电阻+栅线电阻+烧结后的接触电阻基体电阻由硅片决定。扩散方块电阻可以调节，但又伴随着结深的变化。栅线电阻主要靠丝网印刷参数决定，重要的是栅线的清晰度和高宽比（越大越好）。当然，若单纯的减少串联电阻，栅线可以很宽，但高度较低，但是会增大遮光面积。接触电阻主要看烧结。串联电阻Rs影响短路电流，Rs增大会使短路电流降低，而对开路电压没有影响。.L(l3^!V&W并联电阻反映的是电池的漏电水平。漏电流理论上可以归结到并联电阻上。并联电阻影响太阳电池开路电压，Rsh减小会使开路电压降低，但对短路电流基本没有影响。太阳能电池的填充因子FF可定义为最大输出功率Pm与IscVoc之比，也就是最大功率矩形面积对IscVoc矩形面积比例。对于太阳能电池说，填充因子是一个重要的参数，他可以反映太阳能电池的质量。太阳能电池的串联电阻越小，并联电阻越大，填充系数就越大，反映到太阳能电池的电流—电压特性曲线上，曲线就越接近正方形，此时太阳能电池的转换效率就越高。