第五章--晶体中电子能带理论

1第五章晶体中电子能带理论一、填空体1.晶体中电子的能量为E（k），则电子的平均速度为)(1kEk，电子的准动量为：k。2.晶体中电子的能量为E（k），则电子的平均速度为)(1kEk，电子的准动量为：k。3.晶体电子受到的外力为dtdkF。4.晶体电子的倒有效质量张量为kkEm)(1122*k。5.在外加电磁场作用下，晶体电子的状态变化满足：)(BvΕkedtd或)(*BvΕvmedtd。6.能带理论的基本假设主要有单电子近似、绝热近似、周期场近似二、基本概念1.布里渊区在倒格空间中，选取一倒格点为原点，将原点与其它倒格点连线的垂直平分面的连线所组成的区域称为布里渊区。2.第一布里渊区或简约布里渊区包含原点的最小布里渊区。3.等能面在波矢空间中，电子的能量等于定值的曲面称为等能面。4.空穴半导体的近满带中未被电子占据的量子太成为空穴。5.绝热近似答：近似认为在原子核运动的每一瞬间，电子的运动都快到足以调整其状态到原子核瞬时分布情况下的本征态，即认为电子是在准静态的核构成的势场中运动，从而可以把电子的运动和核的运动分开试论。6.平均场近似2答：在多电子系统中，可把多电子中的每一个电子，看作是在离子场及其他电子产生的平均场中运动的考虑。8.周期场近似答：假定所有离子产生的势场和其他电子的平均势场是周期势场，其周期为晶格所具有的周期。9.近自由电子近似答：用一个平均场来代替电子和电子之间的相互作用，即在电子体系的哈密顿量中忽略电子和电子之间的相互作用项，而增加一个稳定的平均场作为近似。10.紧束缚近似答：如果电子受原子核束缚较强，且原子之间的相互作用因原子间距较大等原因而较弱，此时，晶体中的电子就不像弱束缚情况的近自由电子，而更接近束缚在各孤立原子附近的电子，称为紧束缚近似。11..布洛赫波答：周期性场中单电子波函数应该是一个调幅平面波：,其中调幅因子+Rnikrnnnlkkkkreururur，晶体周期性场的作用只是用一个调幅平面波取代了平面波，称为布洛赫波。12.满带答：一个能带的所有状态都被电子占据称为满带。13.禁带答：能带之间存在一些相当大的能量间隙，在这些能量区间，不存在薛定谔方程的本证解，称为禁带。14.导带答：在导体中，除去完全充满的一系列能带外，还有只是部分地被电子填充的能带，后者可以起导电作用，称为导带。15.有效质量答：有效质量实际上是包含了晶体周期势场作用的电子质量，晶体电子的倒有效质量张量为kkEm)(1122*k三、简答题1.能带理论的基本假设答：能带理论的基本假设有以下三个方面1）只考虑电子体系的运动，离子实固定在格点上；2）单电子近似，假定每一个电子都处于一个相同的势场V(r)中运动；3）把价电子与芯电子分开，将芯电子与原子核看成是一个原子实，考虑电子运动时只考虑价电子的运动。4）周期场近似2.写出布洛赫定理的数学形式答：当电子在一个周期势场中运动时，电子的波函数满足)()(),(nrkikRrururue其中nR是正格矢。33.从能带论的观点来看，半导体、绝缘体能带的差别为：答：从能带论的观点来看，半导体、绝缘体能带的差别为：价带和导带之间的禁带宽度大小不同。半导体的禁带内有杂质能级。4.布洛赫电子论作了哪些基本近似？它与金属自由电子论相比有哪些改进？答：布洛赫电子论作了3条基本假设，即①绝热近似，认为离子实固定在其瞬时位置上，可把电子的运动与离子实的运动分开来处理；②单电子近似，认为一个电子在离子实和其它电子所形成的势场中运动；③周期场近似，假设所有电子及离子实产生的场都具有晶格周期性。布洛赫电子论相比于金属自由电子论，考虑了电子和离子实之间的相互作用，也考虑了电子与电子的相互作用。5.周期场对能带形成是必要条件吗？答：周期场对能带的形成是必要条件，这是由于在周期场中运动的电子的波函数是一个周期性调幅的平面波，即是一个布洛赫波。由此使能量本征值也称为波矢的周期函数，从而形成了一系列的能带。6.一个能带有N个准连续能级的物理原因是什么？答：这是由于晶体中含有的总原胞数N通常都是很大的，所以k的取值是十分密集的，相应的能级也同样十分密集，因而便形成了准连续的能级7.禁带形成的原因如何？答：对于在倒格矢hK中垂面及其附近的波矢k，即布里渊区界面附近的波矢k，由于采用简并微扰计算，致使能级间产生排斥作用，从而使)(kE函数在布里渊区界面处“断开”，即发生突变，从而产生了禁带。8.近自由电子模型与紧束缚模型各有何特点？它们有相同之处？解：所谓近自由电子模型就是认为电子接近于自由电子状态的情况，而紧束缚模型则认为电子在一个原子附近时，将主要受到该原子场的作用，把其它原子场的作用看成微扰作用。这两种模型的相同之处是：选取一个适当的具有正交性和完备性的布洛赫波形式的函数集，然后将电子的波函数在所选取的函数集中展开，其展开式中有一组特定的展开系数，将展开后的电子的波函数代入薛定谔方程，利用函数集中各基函数间的正交性，可以得到一组各展开系数满足的久期方程。这个久期方程组是一组齐次方程组，由齐次方程组有解条件可求出电子能量的本征值，由此便揭示出了系统中电子的能带结构。9.布洛赫电子的费米面与哪些因素有关？确定费米面有何重要性？解：布洛赫电子的费米面与晶体的种类及其电子数目有关。由于晶体的很多物理过程主要是由费米面附近的电子行为决定的，如导电、导热等，所以确定费米面对研究晶体的物理性质及预测晶体的物理行为都有很重要的作用。410.试述晶体中的电子作准经典运动的条件和准经典运动的基本公式。解：在实际问题中，只有当波包的尺寸远大于原胞的尺寸，才能把晶体中的电子看做准经典粒子。准经典运动的基本公式有：晶体电子的准动量为kp；晶体电子的速度为)(1kvkE；晶体电子受到的外力为dtdkF晶体电子的倒有效质量张量为kkEm)(1122*k；在外加电磁场作用下，晶体电子的状态变化满足：)(BvΕkedtd)(*BvΕvmedtd11.试述有效质量、空穴的意义。引入它们有何用处？解：有效质量实际上是包含了晶体周期势场作用的电子质量，它的引入使得晶体中电子准经典运动的加速度与外力直接联系起来了，就像经典力学中牛顿第二定律一样，这样便于我们处理外力作用下晶体电子的动力学问题。当满带顶附近有空状态k时，整个能带中的电流，以及电流在外电磁场作用下的变化，完全如同存在一个带正电荷q和具有正质量*m、速度v(k)的粒子的情况一样，这样一个假想的粒子称为空穴。空穴的引入使得满带顶附近缺少一些电子的问题和导带底有少数电子的问题十分相似，给我们研究半导体和某些金属的导电性能带来了很大的方便。12.试述导体、半导体和绝缘体能带结构的基本特征。解：在导体中，除去完全充满的一系列能带外，还有只是部分地被电子填充的能带，后者可以起导电作用，称为导带。在半导体中，由于存在一定的杂质，或由于热激发使导带中存有少数电子，或满带中缺了少数电子，从而导致一定的导电性。在绝缘体中，电子恰好填满了最低的一系列能带，再高的各带全部都是空的，由于满带不产生电流，所以尽管存在很多电子，并不导电。四、证明计算1.用紧束缚方法处理简立方晶体，已知晶格常数为a，求1)s态电子的能带；2）画出第一布里渊区[111]方向的能带曲线；3）求出带底和带顶电子的有效质量。解：1）用紧束缚方法处理晶格的s态电子，当只计及最近邻格点的相互作用时，其能带表示式5为nRkissatssneJCEkE)(Rn是最近邻格矢．对简立方晶格，取参考格点的坐标为（0，0，0），则6个最近邻格．点的坐标为（±a，0，0）（0，±a，0）（0，0，±a）将上述6组坐标代入能带的表示式，得)coscos(cos2)(akakakJCEkEzyxssatss2）在［111］方向上kkkkzyx33且第一布里渊区边界在kx=ky=kz=±π/a于是能带化成kaJCEkEssatss33cos6)(3)由能带的表示式及余弦函数的性质可知，当k=(0,0,0)时，Es取最小值，即是能带底，电子有效质量为sxxxJakEm222222同理可得6szzyyJamm222当k=（±π/a，±π/a，±π/a）时，Es取最大值，即能带顶，此时电子的有效质量为：sxxxJakEm222222同理可得szzyyJamm2222.已知一维晶格中电子的能带可写成),2cos81cos87()(E22kakamak式中a是晶格常数，m是电子的质量，求1）能带宽度；2）电子的平均速度；3）在带顶和带底的电子的有效质量。解：1）能带宽度minmaxEEE由于其能带可写成为)2cos81cos87()(E22kakamak)]1cos2(81cos87[222kakama)81cos41cos87(222kakama)3cos4(cos4222kakama222224)2(cos4makama则当0k时0minEak时22max2maE能带宽度22minmax2EEEma2）电子的平均速度为)kE(1kv7)2sin41(sinkakama3）在带顶（ak）电子的有效质量为mkakamkEakakak32)2cos21(cosm1222在带底（0k）电子的有效质量mkakamkEkkk2)2cos21(cosm01022203.一维周期场中电子的波函数)(xk应当满足布洛赫定理。若晶格常数为a，电子的波函数为（1）xaxksin)(；（2）xaixk3cos)(；（3）ikiaxfx)()(（其中f为某个确定的函数）。试求电子在这些状态的波矢。解：布洛赫函数可写成)()(xuexkikxk，其中，)()(xuaxukk或写成)()(xeaxkikak（1）)(sinsin)(xaxaaxaxkk故1ikaeak)(sin)(xuexaeexkxaixaixaik显然有)()(xuaxukk故xaxksin)(的波矢是a。（2）)(3cos)(3cos)(xaxiaaxiaxkk所以1ikaeak8)(3cos)(xueaxieexkxaixaixaik显然有)()(xuaxukk故xaixk3cos)(的波矢a。（3）)()(])1([)()(xmaxfaixfiaaxfaxkmiik故1ikae0k)()()(00xueiaxfexkxiiaik故ikiaxfx)()(的波矢为0。要说明的是，上述所确定的波矢k并不是唯一的，这些k值加上任一倒格矢都是所需的解。因为k空间中相差任一倒格矢的两个k值所描述的状态是一样的。4.已知电子在周期场中的势能为时，当时，当bnaxbanxUbnaxbnanaxbmxU)1(0)(])([21)(222其中：ba4，为常数。（1）画出势能曲线，并求出其平均值；（2）用近自由电子模型求出此晶体的第1及第2个禁带宽度。解：（1）该周期场的势能曲线如下所示：其势能平均值为：2222233614)(21)()(bmbdxxbmdxdxxUdxdxxUUbbbbbb（2）根据近自由电子模型，此晶体的第1及第2个禁带宽度为112UE222UEOxUbbb3