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陶瓷电容的选择----缺点片状独石陶瓷电容器的缺点大致有两个。第一是温度特性较差。具体体现为静电容量着温度而变化的幅度较大。铝电解电容器的容量变化在-55～+125℃的温度范围内为±15％左右，而片状独石陶瓷电容器不同，有的种类（比如F特性的产品）在+30～-80％的范围内便会大幅变化。因此，在将片状独石陶瓷电容器用于汽车车内等高温环境下或滑雪场等寒冷环境下的电子设备时，需要在考虑了容量变化的基础上来设计电子电路。不过，要注意的是，温度特性较差的缺点只存在于介电体材料使用钛酸钡（BaTiO3）的高介电常数型（2类，CLASS-II）片状独石陶瓷电容器中。使用氧化钛（TiO2）的1类（CLASS-I）片状独石陶瓷电容器，在-55～+125℃范围内的容量温度系数最大只有±60ppm/℃。但目前氧化钛存在介电常数较小的问题，因此未能实现大容量产品。图3：直流电压特性片状独石陶瓷电容器具有施加直流电压后实际静电容量减少的特性。这也被称为DC偏压特性。（点击放大）第二是存在直流电压特性（DC偏压特性）。直流电压特性是指在向片状独石陶瓷电容器施加直流电压后实际静电容量会减少的现象（图3）。比如，在向额定电压为6.3V、静电容量为100μF的片状独石陶瓷电容器实施加直流4V电压时，如果是B特性产品的话，静电容量就会减少约20％，F特性产品甚至会减少约80％。而铝电解电容器和钽电解电容器则不会出现这种现象。因此，在选择片状独石陶瓷电容器时，需要事先测定信号的直流电压成分，掌握实际静电容量的减少程度（参阅“考虑DC偏压因素的标记方法，JEITA实施标准化”）。不过，“利用最尖端微细加工技术制造的半导体芯片，其电源电压已经降低到了非常低的程度。最近，在1.0V左右的电压下工作的芯片也不罕见。因此，直流电压特性的问题还不显著”（村田制作所元器件事业本部本部长山内公则）。另外，出现直流电压特性问题的也仅限于2类产品。原因是钛酸钡为强介电体的缘故。因此，使用本身为顺电体的氧化钛的1类产品不会发生直流电压特性问题。以上论述中的B特性就是氧化钛（TiO2）的1类（CLASS-I）片状独石陶瓷电容器，F特性是钛酸钡（BaTiO3）的高介电常数型（2类，CLASS-II）片状独石陶瓷电容器，而目前市面上的陶瓷电容都是F特性的。因此您的PCB上选用陶瓷是有问题的，应该选电解电容或者钽电容，如果贵公司做的是档次比较高的产品，建议采用钽电容