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材料科学基础试卷(一)一、概念辨析题（说明下列各组概念的异同。任选六题，每小题3分，共18分）1晶体结构与空间点阵2热加工与冷加工3上坡扩散与下坡扩散4间隙固溶体与间隙化合物5相与组织6交滑移与多滑移7金属键与共价键8全位错与不全位错9共晶转变与共析转变二、画图题（任选两题。每题6分，共12分）1在一个简单立方晶胞内画出［010］、［120］、［210］晶向和（110）、（112）晶面。2画出成分过冷形成原理示意图（至少画出三个图）。3综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。4以“固溶体中溶质原子的作用”为主线，用框图法建立与其相关的各章内容之间的联系。三、简答题（任选6题，回答要点。每题5分，共30分）1在点阵中选取晶胞的原则有哪些？2简述柏氏矢量的物理意义与应用。3二元相图中有哪些几何规律？4如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型？5材料结晶的必要条件有哪些？6细化材料铸态晶粒的措施有哪些？7简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。8晶体中的滑移系与其塑性有何关系？9马氏体高强度高硬度的主要原因是什么？10哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷，为什么？四、分析题（任选1题。10分）1计算含碳量w=0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后，组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。2由扩散第二定律推导出第一定律，并说明它们各自的适用条件。3试分析液固转变、固态相变、扩散、回复、再结晶、晶粒长大的驱动力及可能对应的工艺条件。五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111)[110].（15分）(1)指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量.(2)如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向.(3)如果滑移由纯螺型位错引起,试指出位错线的方向.(4)在(2),(3)两种情况下,位错线的滑移方向如何?(5)如果在该滑移系上作用一大小为0.7MPa的切应力，试确定单位刃型位错和螺型位错线受力的大小和方向。（点阵常数a=0.2nm)。六、论述题（任选1题，15分）1试论材料强化的主要方法、原理及工艺实现途径。2试论固态相变的主要特点。3试论塑性变形对材料组织和性能的影响。材料科学基础试卷(一)参考答案一、概念辨析题（说明下列各组概念的异同。每小题3分，共18分）（评分标准：给出每个概念的定义各得1分，说明异同得1分）1晶体结构与空间点阵异：点的属性、数目、有无缺陷；同：描述晶体中的规律性。2热加工与冷加工异：热加工时发生回复、再结晶与加工硬化；冷加工只发生加工硬化；同：发生塑性变形。3上坡扩散与下坡扩散异：扩散方向；同：驱动力－化学位梯度。4间隙固溶体与间隙化合物异：结构与组成物的关系；同：小原子位于间隙位置。5相与组织异：组织具有特定的形态；同：都是材料的组成部分。6交滑移与多滑移异：多个滑移系的滑移；同：交滑移中滑移系具有相同的滑移方向。7异：电子共用范围不同,金属键中电子属所有原子共用,共价键中属若干原子共用.同：成键方式为电子共用.8异：柏氏矢量与点阵常数的关系不同.同：都是线缺陷,即位错.9异：共晶转变为从液相转变,共析转变为从固相转变.同：在恒温下转变产物为两个固相.二、画图题（任选两题。每题6分，共12分）1在一个简单立方晶胞内画出［010］、［120］、［210］晶向和（110）、（112）晶面。图略；每个指数各计1分，指数规范性1分。(参考聂金凤图)2画出成分过冷形成原理示意图（至少画出三个图）。(参考”聂金凤”图)图略：每个图各计2分。3综合画出冷变形金属在加热时的组织变化示意图和晶粒大小、内应力、强度和塑性变化趋势图。(参考”张耕”图)图略：组织示意图计2分，每个指标各计1分。三、简答题（任选6题，回答要点。每题5分，共30分）1在点阵中选取晶胞的原则有哪些？反映对称性；相等的棱和角最多；直角最多；体积最小。（每条计1分；叙述计1分）2简述柏氏矢量的物理意义与应用。代表位错；判断位错类型；表示晶体滑移的方向与大小；守+恒性及其推论。（每条计1分）3二元相图中有哪些几何规律？相区接触法则；三相区是一条水平线…；三相区中间是由它们中相同的相组成的两相区；单相区边界线的延长线进入相邻的两相区。（每条计1分；叙述计1分）4如何根据三元相图中的垂直截面图和液相单变量线判断四相反应类型？图略。（垂直截面图部分2.5分，单变量线部分2.5分。）5材料结晶的必要条件有哪些？过冷；结构起伏；能量起伏；成分起伏（合金）。（每项计各1分，叙述1分）6细化材料铸态晶粒的措施有哪些？提高过冷度；变质处理；振动与搅拌。（每项各计1.5分，叙述0.5分）7简述共晶系合金的不平衡冷却组织及其形成条件。(1)伪共晶-非共晶合金得到的完全共晶组织;条件:冷却速度快,合金成分位于共晶点附件.(2)不平衡共晶-共晶线以外的合金得到的共晶组织;条件:冷却速度快,合金成分位于共晶线以外端点附近..(3)离异共晶-两相分离的共晶组织;条件:不平衡条件下,合金成分位于共晶线以外端点附近;平衡条件下,合金成分位于共晶线以内端点附近.8晶体中的滑移系与其塑性有何关系？(1)一般滑移系越多,塑性越好;(2)与滑移面密排程度和滑移方向个数有关;(3)与同时开动的滑移系数目有关.9马氏体高强度高硬度的主要原因是什么？固溶强化;细晶强化;相变强化.(要求简要论述)10哪一种晶体缺陷是热力学平衡的缺陷，为什么？是点缺陷.因为在一定浓度点缺陷存在的情况下晶体的能力可达到最低状态.四、分析题（任选1题。10分）1计算含碳量w=0.04的铁碳合金按亚稳态冷却到室温后，组织中的珠光体、二次渗碳体和莱氏体的相对含量。分别为10.6%,3.10%和86.30%。（计算过程1分，每个结果各计3分。）2由扩散第二定律推导出第一定律，并说明它们各自的适用条件。略。(参考聂金凤推导)五、某面心立方晶体的可动滑移系为(111)[110].（15分）－每小题3分。(1)指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量.a[110]/2.(2)如果滑移由纯刃型位错引起,试指出位错线的方向.[112](3)如果滑移由纯螺型位错引起,试指出位错线的方向.[110](4)在(2),(3)两种情况下,位错线的滑移方向如何?分别平行和垂直于柏士矢量－具体指数。(5)如果在该滑移系上作用一大小为0.7MPa的切应力，试确定单位刃型位错和螺型位错线受力的大小和方向。（点阵常数a=0.2nm)。方向：垂直于位错线－具体指数。结果：9.9＊10-11MN/m六、论述题（任选1题，15分）1试论材料强化的主要方法及其原理。固溶强化.原理:晶格畸变、柯氏气团，阻碍位错运动；方法：固溶处理、淬火等。细晶强化：原理：晶界对位错滑移的阻碍作用。方法：变质处理、退火等。弥散强化：原理：第二相离子对位错的阻碍作用；方法：形成第二硬质相如球化退火、变质处理等。相变强化：原理：新相为高强相或新相对位错的阻碍。方法：淬火等。加工硬化；原理：形成高密度位错等。方法：冷变形等。答案略。每个要点3分。2试论固态相变的主要特点。（参考聂金凤试卷）答案略。每个要点3分。3试论塑性变形对材料组织和性能的影响。（参考姜程程试卷）组织：纤维组织、形变织构、位错胞；性能：加工硬化、物性变化每个要点3分。《材料科学基础》考试试卷（第一套）课程号6706601060考试时间120分钟一、名词解释（简短解释，每题2分，共20分）空间点阵线缺陷吸附渗碳体组织适用专业年级（方向）：材料科学与工程专业2006级考试方式及要求：闭卷考试题号一二三四五六总分得分阅卷人固态相变稳态扩散形核率调幅分解霍尔-配奇方程平衡凝固二、选择题（只有一个正确答案，每题1分，共10分）1、弯曲表面的附加压力△P总是()曲面的曲率中心。A.指向B.背向C.平行D.垂直2、润湿的过程是体系吉布斯自由能()的过程。A.升高B.降低C.不变D.变化无规律3、一级相变的特点是，相变发生时，两平衡相的()相等，但其一阶偏微分不相等。A.熵B.体积C.化学势D.热容4、固溶体合金的凝固是在变温下完成的，形成于一定温度区间，所以在平衡凝固条件下所得到的固溶体晶粒()A.成分内外不均匀B.不同温度下形成的各晶粒成分是不同的C.晶粒内外，晶粒形成不分先后，同母液成分是一致的5、强化金属材料的各种手段，考虑的出发点都在于()A.制造无缺陷的晶体或设置位错运动的障碍B.使位错增殖C.使位错适当的减少6、既能提高金属的强度，又能降低其脆性的手段是()A.加工硬化B.固溶强化C.晶粒细化7、根据显微观察，固液界面有两种形式，即粗糙界面与光滑界面，区分两种界面的依据是值大小()A.α=2为光滑界面B.α=1为光滑界面C.α=5为光滑界面8、渗碳处理常常在钢的奥氏体区域进行，这是因为()A.碳在奥氏体中的扩散系数比在铁素体中大B.碳在奥氏体中的浓度梯度比在铁素体中大C.碳在奥氏体中的扩散激活能比在铁素体中小9、界面能最低的相界面是()A.共格界面B.孪晶界C.小角度晶界10、铁碳合金组织中的三次渗碳体来自于()A．奥氏体；B．铁素体；C．二次渗碳体三、简述题（每题4分，共20分）1、固-固相变与液-固相变有什么区别。2、为什么非均匀形核比均匀形核更容易？3、解释回复的定义，回复阶段具有哪些特点？4、分析影响晶界迁移率的主要因素。5、写出立方晶系的{321}晶面族和﹤112﹥晶向族中的全部等价晶面和晶向的具体指数。四、请画出片状马氏体显微组织示意图。（5分）五、请写出面心立方、体心立方、密排六方金属晶体中密排面上单位位错的柏氏矢量。（5分）六、综合题（40分）1、试从晶界的结构特征和能量特征分析晶界的特点。（10分）2、请分别计算面心立方晶体（fcc）中（100）、（110）、（111）晶面的面密度。假设晶胞点阵常数为a。（10分）(在一个晶胞内计算，面密度指面上所含原子个数与该面面积比值)3、有一70MPa应力作用在fcc晶体的[001]方向上，求作用在（111）[101]和（111）[110]滑移系上的分切应力。（10分）4、假定均匀形核时形成边长为a的立方体形晶核，单位体积吉布斯自由能为ΔGv，单位面积界面能为σ。（10分）①求临界晶核边长。②求临界晶核形成功。③求临界晶核形成功与界面能的关系。材料科学基础总结一、名词解释1、空间点阵：由周围环境相同的阵点在空间排列的三维列阵称为空间点阵。2、晶体结构：由实际原子、离子、分子或各种原子集团，按一定规律的具体排列方式称为晶体结构，或称为晶体点阵。3、晶格常数：（为了便于分析晶体中的粒子排列，可以从晶体的点阵中取一个具有代表性的基本单元作为点阵的基本单元，称为晶胞。）晶格常数就是指晶胞的边长。4、晶向指数：（在晶格中，穿过两个以上结点的任一直线，都代表晶体中一个原子阵列在空间的位向，称为晶向。）为了确定晶向在晶体中的相对取向，需要一种符号，这种符号称为晶向指数。5、晶面指数：（在晶格中，由结点组成的任一平面都代表晶体的原子平面，称为晶面）为了确定晶面在晶体中的相对取向，需要一种符号，这种符号称为晶面指数。6、晶向族：原子排列相同但空间位向不同的所有晶向称为晶向族。7、配位数：每个原子周围最近邻且等距离的原子的数目称为配位数。8、致密度：计算单位晶胞中原子所占体积与晶胞体积之比，比值称为致密度。9、各向异性：晶体的某些物理和力学性能在不同方向上具有不同的数值，此为晶体的各向异性。10、晶体缺陷：通常把晶体中原子偏离其平衡位置而出现不完整性的区域称为晶体缺陷。11、点缺陷：在三维方向上尺寸都有很小的缺陷。12、线缺陷：在两个方向上尺寸很小、令一个尺寸上尺寸较大的缺陷。（指各种类型的位错，是晶体中某处一列或若干列原子发生了有规律的错排现象）13、面缺陷：在一个方向上尺寸很小，令两个方向上尺寸较大的缺陷。14、刃型位错：位错线与滑移方向垂直的位错。15、螺型位错：位错线与滑移方向平行的位错。16、混合型位错：位错线与滑移方向既不垂直也不平行而成任意角度的位错。17、位错的滑移：在切应力的作用下，位错沿滑移面的运动称为