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第页共312014—2015学年度第一学期期中试题高一《电子技术基础与技能》一、填空题：（每空1分，共30分）1、二极管的基本特性是，即加正电压，加反电压。2、一般硅二极管的死区电压约为V,正向导通压降约为V；一般锗二极管的死区电压约为V,正向导通压降约为V。3、三极管有三个极它们分别是、、，两个PN结分别是、。4、稳压二极管是一种工作在的特殊二极管。5、三极管工作在放大状态，条件是发射结偏，集电极结偏。6、单相半波整流电路由三部分组成、、。7、整流电路分为_____________和_____________两种，其整流元件是_____________，利用了它的单向导电性。8、电容滤波器是利用电容器的作用使输出电压趋于平滑。9当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结，集电结时，工作在饱和区；发射结、集电结时，工作在截止区。10、三极管放大电路共有三种组态分别是、、放大电路。二、选择题（每题2分，共20分）1、如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（）。A、正常B、内部断路C、已被击穿2、NPN型三极管处于放大状态时，各极电位关系是（）。A、VC＞VB＞VEB、VC＜VB＜VEC、VC＞VE＞VB3、二极管具有（）A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性D、负阻特性4、二极管两端加正向电压时（）。A、立即导通B、超过击穿电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过死区电压就导通5、若要将交流电转换为脉动直流电，实现这一转换的方法是（）。A、稳压B、整流C、滤波D、振荡6、单相桥式整流电路，如果负载电流为10A，则流过每只二极管的电流是（）A、10AB、6AC、5AD、2.5A7、三极管极间电流满足IC=ΒiB关系时，三极管肯定工作在（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区8、如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大，则二极管（）A、特性良好B、已被击穿C、内部开路D、功能正常9、三极管各电极对地电位如图所示，工作于饱和状态的三极管是（）。-6V5V4V-5V-2.3V0.7V4.3V-1.7V-2V0V3.6V-2V（A）（B）（C）（D）题号一二三四五总分得分学校班级姓名学号第页共3210、下列元器件中，（）可以将电信号转变为光信号。A、二极管B、三极管C、发光二极管D、光电二极管三、判断题（每题1分，共14分）1、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（）2、二极管的正向电阻比反向电阻大。（）3、二极管两端加上0.7V的电压就能导通。（）4、整流输出电压加电容滤波后，电压脉动减小了，输出电压也下降了。（）5、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）6、滤波电容的耐压必须大于变压器二次电压u2的峰值，即UC≥√2U2。（）7、二极管加正向电压就导通，加反向电压就能截止。（）8、在半波整流电路中，接入滤波电容时输出电压平均值UL=U2。（）9、桥式整流电路在输入交流电压的每个半周内都有两只二极管导通。（）10、三极管的发射区和集电区都是同类半导体材料，因此c、e极可以互换。（）11、半导体中的空穴带正电。（）12、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。（）13、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）14、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。（）四、画出下列元器件的电路符号及文字符号（每题2分，共6分）1、发光二极管2、稳压二极管3、NPN三极管五、计算题（第1题6分，其余每题8分共24分）1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：①二极管导通还是截止？②UA0=？2、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12微安增大到22微安，IC从1毫安变为2毫安，那么它的β约为多少。3、单相半波整流电路如下，若u2的幅值为6V。(输入为正弦波)(1)画出u2与uo的波形;(2)当二极管D接反时,有何结果?第页共334、桥式整流电容滤波电路如图示电路，设U0=24V，RL=300Ω。⑴求二次有效电压U2⑵求流过负载电流IL(3)求流经二极管的平均电流ID