HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06PN结的形成空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流图01.01.08PN结的形成HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流漂移电流内电场图01.01.08PN结的形成HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06空穴电子多子少子空穴电子NP扩散电流漂移电流内电场图01.01.08PN结的形成HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下:因浓度差多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散扩散电流漂移电流=HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06PN加正向电压时的导电情况IFPN结NP内电场外电场内电场图01.01.11PN结加正向电压REHIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06PN结加反向电压时的导电情况PN结NP内电场内电场图01.01.12PN结加反向电压RE外电场ISHIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06图01.01.13势垒电容示意图UNP势垒电容CBUCB0U反向区HIT基础电子技术电子教案----PN结2006.06NPPN结Oxnppn1212+-RUU少子浓度扩散电容CD图01.01.14扩散电容示意图