限制MOSFET开关速度的因素

限制MOSFET开关速度的因素心中有冰我们知道MOSFET的开关速度相对于三极管已经有相当大的改善，可以达到数百K，甚至上M；但我们想想，当我们需要MOSFET有更高的开关速度，更小的损耗时，限制MOSFET的开关速度有哪些因素在作怪呢？1、MOSFET的G极驱动电阻引起的延时2、PCBLayout引起的寄生电感影响驱动电流3、MOSFET封装本身引起的ESR与ESL4、MOSFET的米勒效应但是MOSFET开关频率越高，EMC越难处理。频率一高，LAYOUT就要注意。D也要加磁珠了。1.驱动电阻可以反并二极管2.增大驱动电阻，EMC会表现稍好一点。这个是经过验证了的。3.驱动电流不是问题，现在就3842那么老的都有1A。专业芯片就更不用说了。4.自己做驱动电路用变压器其实很简单的。也很便宜。老板也会很高兴。5.MOSFET本身的结电容啥的那是没得改了，出厂的时候就定下来了。只有认命了，要不就换大厂牌的，但是价格又上去了。这里面需要权衡。谁都想用RDS小的COOLMOS啊。有时候却要考虑成本。其实用COOLMOS可以适当减小发热，散热器减小，效率提高，也可以省一点成本的。6.米勒电容，没办法啊。7.LAYOUT的时候尽量走短一点。如果是铝基板散热就很好兼顾这点。如果是用散热片，从变压器,PWMIC到主MOSFET还是有一段距离的，频率一两百K看不出来，但是频率几百K的时候就郁闷了。高压功率器件速度越来越快，最早的SCR/BJT速度是大约4~20微秒开关速度；后来BJT/IGBT提高到150纳秒左右，现在实际可以达到8纳秒水平。在不久将来；会达到1纳秒左右。驱动要求也越来越高；仅以驱动线长为例，早期的驱动线没啥特别要求；只要双绞就基本够用了。后来的高速IGBT/FET的栅线；除双绞外；长度被限制在10CM以内。从现在的测试看；要求未来的高速器件的驱动线被限制在1CM以内。就这驱动线长的问题；估计大多数工程师只是经验所谈；没多少人能从理论上说清楚而自觉的设定工程参数。理论的缺乏和经验口口相传的不确定性；直接拖了应用后退。找各种理由去解释？就上面提出的假设；多是出自于此。（电源网原创文章转载请注明出处）