逆变器中的关键部件

逆变器中的关键部件MOSFET场效应管:功率MOSFET是一种全控型三端开关器件。MOS管主要具备较大的安全工作区、非常强的线性控制能力、良好的散热稳定性和非常快的开关速度，，MOSFETS属于电压控制型元件，易于实现数控，因此常常作为开关器件实现电源的逆变换。MOSFET的缺点是输入阻抗高导通电阻（Rds(on)）较大，具有正温度系数，用在大电流开关状态时，导通损耗较大；开启门限驱动电压较高（一般2-4V），抗静电干扰能力差，承载能力和工作电压较低，多用于电压为500V以下的低功率高频开关逆变器。由于受功率的限制，因此它只适用于小功率逆变器。IGBT场效应晶体管:IGBT是由MOSFET和BJT组成的复合全控型电压型器件,它既有兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，又结合了双极型开关器件BJT耐压高、驱动电流大的优点。其开关速度比功率MOSFET低，但远远高于BJT，又因为它是电压控制器件，故控制电路简单、稳定性好。IGBT的击穿电压为1200V，集电极最大电流为1000A，工作频率高达100kHz。它具有电压控制和开关时间(约为300ns)极短的优点。其正向压降约为3V。MOSFET开关器件的开关频率特性是最好的，但因其目前的功率较小，故不能在大功率逆变器中应用。IGBT的开关频率特性也比较好，目前已被广泛地应用于中大型逆变器中。