选修材料分析x射线试题(6)

材料现代分析方法试题7（参考答案）一、基本概念题（共10题，每题5分）1．欲用Mo靶X射线管激发Cu的荧光X射线辐射，所需施加的最低管电压是多少？激发出的荧光辐射的波长是多少？答：欲使Cu样品产生荧光X射线辐射，V=1240/λCu=1240/0.15418=8042，V=1240/λCu=1240/0.1392218=8907激发出荧光辐射的波长是0.15418nm激发出荧光辐射的波长是0.15418nm2．判别下列哪些晶面属于[11]晶带：（0），（1），（231），（211），（01），（13），（12），（12），（01），（212）。答：（0）（1）、（211）、（12）、（01）、（01）晶面属于[11]晶带，因为它们符合晶带定律：hu+kv+lw=0。答：（0）（1）、（211）、（12）、（01）、（01）晶面属于[11]晶带，因为它们符合晶带定律：hu+kv+lw=0。3．用单色X射线照射圆柱多晶体试样，其衍射线在空间将形成什么图案？为摄取德拜图相，应当采用什么样的底片去记录？答：用单色X射线照射圆柱多晶体试样，其衍射线在空间将形成一组锥心角不等的圆锥组成的图案；为摄取德拜图相，应当采用带状的照相底片去记录。4．洛伦兹因数是表示什么对衍射强度的影响？其表达式是综合了哪几方面考虑而得出的？答：洛伦兹因数是表示掠射角对衍射强度的影响。洛伦兹因数表达式是综合了样品中参与衍射的晶粒大小，晶粒的数目和衍射线位置对衍射强度的影响。5．给出简单立方、面心立方、体心立方以及密排六方晶体结构电子衍射发生消光的晶面指数规律。6．透射电镜的成像系统的主要构成及特点是什么?(p144)答：透射电镜的成像系统由物镜、物镜光栏、选区光栏、中间镜和投影镜组成。各部件的特点如下：1）物镜：强励磁短焦透镜（f=1-3mm）,放大倍数100—300倍。作用：形成第一幅放大像2）物镜光栏：装在物镜背焦面，直径20—120um，无磁金属制成。作用：a.提高像衬度，b.减小孔经角，从而减小像差。c.进行暗场成像3）选区光栏：装在物镜像平面上，直径20-400um，作用：对样品进行微区衍射分析。4）中间镜：弱激磁，长焦距，放大倍数可调节（0-20倍）作用a.控制电镜总放大倍数。b.成像/衍射模式选择。5）投影镜：短焦、强磁透镜，进一步放大中间镜的像。投影镜内孔径较小，使电子束进入投影镜孔径角很小。小孔径角有两个特点：a.景深大，改变中间镜放大倍数，使总倍数变化大，也不影响图象清晰度。b.焦长深，放宽对荧光屏和底片平面严格位置要求。7．说明多晶、单晶及非晶衍射花样的特征及形成原理。答：单晶衍射的特点：1）电子束方向B近似平行于晶带轴[uvw]，因为θ很小，即入射束近似平行于衍射晶面，2）反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。3）倒易点阵的扩展。（因为使用薄晶体样品）因此，不难看出，单晶电子衍射花样就是(uvw)*0零层倒易截面的放大像。成像原理图和单晶电子衍射花样见下图。电子束照射多晶、纳米晶体时，衍射成像原理与多晶X射线衍射相似，如图多晶的衍射花样为：各衍射圆锥与垂直入射束方向的荧光屏或照相底片的相交线，为一系列同心圆环。8．试述用合成电子衍射图法如何确定两相间的取向关系？答：用合成电子衍射图法确定两相间的取向关系的步骤如下:（1）从合成的电子衍射图中分离出两套衍射斑点，分别标定两套衍射斑点指数，并确定晶带轴指数〔uvw〕A和[u/v/w/]B(2)找出互相平行的两相的矢量RA和RB，指数分别为(hkl)A和（h/k/l/）B。（3）可以确定两相的取向关系为（hkl）A//(h/k/l/)B[uvw]A//[u/v/w/]B9．解释红外光谱图的一般程序是什么？答：运用红外光谱解谱的四要素，分析吸收峰对应的基团；若是单纯物质可对照SADLTER标准图谱；还可从数据库查相应发表文献的红外光谱信息。10．红外光谱的近期发展有哪些？答：付立叶红外及差谱技术，红外二向色性，二维相关红外，动态红外光谱和表面红外技术等。11.晶面指数的确定方法(p22)1）量出待定晶面在三个晶轴的截距，并用点阵周期a,b,c度量它们。2）取三个截距系数的倒数3）将三个倒数分别乘分母的最小公倍数，把它约简化为最简的整数，并用圆括号（hkl）表示。二、综合及分析题（共5题，每题10分）1．讨论下列各组概念中二者之间的关系：1）同一物质的吸收谱和发射谱；答：λk吸收〈λkβ发射〈λkα发射2）X射线管靶材的发射谱与其配用的滤波片的吸收谱。答：λkβ发射（靶）〈λk吸收(滤波片)〈λkα发射（靶）。任何材料对X射线的吸收都有一个Kα线和Kβ线。如Ni的吸收限为0.14869nm。也就是说它对0.14869nm波长及稍短波长的X射线有强烈的吸收。而对比0.14869稍长的X射线吸收很小。Cu靶X射线:Kα=0.15418nmKβ=0.13922nm。3）X射线管靶材的发射谱与被照射试样的吸收谱。答：Z靶≤Z样品+1或Z靶Z样品X射线管靶材的发射谱稍大于被照射试样的吸收谱，或X射线管靶材的发射谱大大小于被照射试样的吸收谱。在进行衍射分析时，总希望试样对X射线应尽可能少被吸收，获得高的衍射强度和低的背底。2．叙述X射线物相分析的基本原理，试比较衍射仪法与德拜法的优缺点？叙述X射线物相分析的基本原理，试比较衍射仪法与德拜法的优缺点？答：X射线物相分析的基本原理是每一种结晶物质都有自己独特的晶体结构，即特定点阵类型、晶胞大小、原子的数目和原子在晶胞中的排列等。因此，从布拉格公式和强度公式知道，当X射线通过晶体时，每一种结晶物质都有自己独特的衍射花样，衍射花样的特征可以用各个反射晶面的晶面间距值d和反射线的强度I来表征。其中晶面网间距值d与晶胞的形状和大小有关，相对强度I则与质点的种类及其在晶胞中的位置有关。通过与衍射分析标准数据比较鉴定物相。与照相法相比，衍射仪法的优缺点。（1）简便快速：衍射仪法都采用自动记录，不需底片安装、冲洗、晾干等手续。可在强度分布曲线图上直接测量2θ和I值，比在底片上测量方便得多。衍射仪法扫描所需的时间短于照相曝光时间。一个物相分析样品只需约15分钟即可扫描完毕。此外，衍射仪还可以根据需要有选择地扫描某个小范围，可大大缩短扫描时间。（2）分辨能力强：由于测角仪圆半径一般为185mm远大于德拜相机的半径（57.3/2mm），因而衍射法的分辨能力比照相法强得多。如当用CuKa辐射时，从2θ30o左右开始，Kα双重线即能分开；而在德拜照相中2θ小于90°时Kα双重线不能分开。（3）直接获得强度数据：不仅可以得出相对强度，还可测定绝对强度。由照相底片上直接得到的是黑度，需要换算后才得出强度，而且不可能获得绝对强度值。（4）低角度区的2θ测量范围大：测角仪在接近2θ=0°附近的禁区范围要比照相机的盲区小。一般测角仪的禁区范围约为2θ＜3°（如果使用小角散射测角仪则更可小到2θ＝0.5～0.6°），而直径57．3mm的德拜相机的盲区，一般为2θ＞8°。这相当于使用CuKα辐射时，衍射仪可以测得面网间距d最大达3nmA的反射（用小角散射测角仪可达1000nm），而一般德拜相机只能记录d值在1nm以内的反射。（5）样品用量大：衍射仪法所需的样品数量比常用的德拜照相法要多得多。后者一般有5～10mg样品就足够了，最少甚至可以少到不足lmg。在衍射仪法中，如果要求能够产生最大的衍射强度，一般约需有0.5g以上的样品；即使采用薄层样品，样品需要量也在100mg左右。（6）设备较复杂，成本高。显然，与照相法相比，衍射仪有较多的优点，突出的是简便快速和精确度高，而且随着电子计算机配合衍射仪自动处理结果的技术日益普及，这方面的优点将更为突出。所以衍射仪技术目前已为国内外所广泛使用。但是它并不能完全取代照相法。特别是它所需样品的数量很少，这是一般的衍射仪法远不能及的。3．（1）为什么f.c.c.和b.c.c.结构发生二次衍射时不产生额外的衍射斑点？（2）当两相共存且具有对称取向关系时，其一幅衍射花样中常常出现许多斑点群，这时，可能怀疑其为二次衍射，请问应该如何鉴定其为二次衍射。答：（1）对于bcc结构F0的条件：h+k+l=偶数若（h1k1l1）和（h2k2l2）之间发生二次衍射，二次衍射斑点（h3k3l3）=（h1k1l1）+（h2k2l2）h3+k3+l3=偶数（h3k3l3）本身Fh3k3l30，即应该出现的。即不会出现多余的斑点，仅是斑点强度发生了变化。对于fcc结构F0的条件是：h,k,l全奇数或全偶数（h3k3l3）=（h1k1l1）+（h2k2l2）显然h3、k3、l3为全奇数或全偶数，本身是存在的。因此，不会出现多余的斑点，仅是斑点强度发生了变化。4．说明孪晶与层错的衬度特征，并用各自的衬度形成原理加以解释。答：孪晶的衬度特征是：孪晶的衬度是平直的，有时存在台阶，且晶界两侧的晶粒通常显示不同的衬度，在倾斜的晶界上可以观察到等厚条纹。层错的衬度是电子束穿过层错区时电子波发生位相改变造成的。其一般特征是：1）平行于薄膜表面的层错衬度特征为，在衍衬像中有层错区域和无层错区域将出现不同的亮度，层错区域将显示为均匀的亮区或暗区。2）倾斜于薄膜表面的层错，其衬度特征为层错区域出现平行的条纹衬度。3）层错的明场像，外侧条纹衬度相对于中心对称，当时，明场像外侧条纹为亮衬度，当时，外侧条纹是暗的；而暗场像外侧条纹相对于中心不对称，外侧条纹一亮一暗。4）下表面处层错条纹的衬度明暗场像互补，而上表面处的条纹衬度明暗场不反转。5．分别指出谱图中标记的各吸收峰所对应的基团?答：3250–含氢键的O-H.伸缩振动，2820–可能是醛的C-H，1690–对应C=O但共轭存在，3120和1200—分别是芳香族C-H和酚C-O吸收带，1600&1500--芳香核，780和720对应定位取代基。