郑大远程教育《微机原理及接口技术》第06章在线测试

《微机原理及接口技术》第06章在线测试《微机原理及接口技术》第06章在线测试剩余时间：58:39答题须知：1、本卷满分20分。2、答完题后，请一定要单击下面的“交卷”按钮交卷，否则无法记录本试卷的成绩。3、在交卷之前，不要刷新本网页，否则你的答题结果将会被清空。第一题、单项选择题（每题1分，5道题共5分）1、可读可写、需要刷新的半导体存储器是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、SRAMB、DRAMC、FlashmemoryD、EPROM2、向SRAM芯片某个存储单元写入数据，该芯片控制信号组合是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、片选有效，写入信号有效B、片选有效，写入信号无效C、片选无效，写入信号有效D、片选无效，写入信号无效3、下列存储器在断电后，存储信息会消失的是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、EPROMB、FlashmemoryC、EEPROMD、SRAM4、用16M×1的DRAM芯片组成128MB存储容量，要使用＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿片。A、128B、64C、32D、165、如果在8088处理器地址总线A19～A13＝0001110时，选中某个存储器芯片，则这个存储器芯片占用的地址范围是＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、1C000H～1FFFFHB、1D000H～1DFFFHC、1C000H～1CFFFHD、1C000H～1DFFFH第二题、多项选择题（每题2分，5道题共10分）1、相对部分译码方式，全译码方式的特点有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、地址唯一B、地址不重复C、连接最简单D、译码复杂E、地址重复2、相对DRAM，SRAM芯片的特点有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、速度较快B、需要刷新C、单位容量价格较低D、集成度高E、功耗高3、EEPROM芯片的特点有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、用电擦除B、用紫外线擦除C、需要刷新保持信息有效D、断电后信息不丢失E、可以编程写入4、地址对齐的数据存储有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、16位数据起始于偶地址B、16位数据起始于奇地址C、4字节数据起始于模2地址D、4字节数据起始于模4地址E、8字节数据起始于模8地址5、断电后信息丢失的存储器芯片有＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿。A、ROMB、PROMC、FlashMemoryD、SRAME、DRAM第三题、判断题（每题1分，5道题共5分）1、部分译码可以简化译码电路，不会减少可用的存储空间。正确错误2、数据存储实现地址对齐将比不对齐具有更高的程序执行性能。正确错误3、存储器芯片的片选信号无效时，CPU无法读写该存储器芯片。正确错误4、存取周期不小于存取时间。正确错误5、存储系统的刷新地址通常提供给所有DRAM芯片。正确错误