线性电子电路试题

浙江省2003年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每空1分，共20分)1.利用晶体二极管的___________和___________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。2.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成___________电流，由外加电场引起载流子运动形成___________电流。3.已知某晶体三极管的VBE=0.7V,VCE=1.0V,则该管工作在区，由___________材料制造。4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是___________电容，集电结的结电容主要是___________电容。5.通常将反型层称为增强型MOS管的源区和漏区之间的___________沟道，其中由___________形成的沟道称为N沟道。6.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈___________关系，故又称该区为___________。7.在晶体管放大器中，即能放大电压也能放大电流的是___________组态放大电路；可以放大电压但不能放大电流的是___________组态放大电路。8.放大电路的失真分为___________和___________两大类。9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是___________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的___________。10.深度负反馈条件是___________，此时反馈放大器的增益近似等于___________。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结外加正向电压时，扩散电流()漂移电流。A.大于B.小于C.等于D.近似等于2.当P型半导体和N型半导体相接触时，在P型和N型半导体交界处，形成一个区域，下列的哪种名称不能描述该区域?()A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层3.有四个晶体三极管：已知它们的电流放大系数β及穿透电流ICEO的值，使用时选用哪个更合适?()A.β=200,ICEO=10μAB.β=10,ICEO=0.1μAC.β=50,ICEO=0.1μAD.β=100,ICEO=10μA4.常温下，某晶体三极管在ICQ=1mA处，rbe=1.6KΩ，β=50,则等于()。A.200ΩB.300ΩC.400ΩD.500Ω5.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是()。A.P沟道结型管B.耗尽型PMOS管C.耗尽型NMOS管D.增强型PMOS管6.场效应管工作在放大状态时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的()。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.击穿区7.具有相同参数的相同放大电路的两级放大器，在组成它的各个单级放大器的截止频率处，总的电压放大倍数下降()。A.3dBB.6dBC.20dBD.9dB8.集成运算放大器实质上是一种()。A.交流放大器B.高电压增益的交流放大器C.高电压增益的直接耦合放大器D.高增益的高频放大器9.多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是()。A.各级电路的参数很分散B.回路增益||大C.闭环增益大D.放大器的级数少10.负反馈可以改善放大器的性能，下述哪种说法不准确?()A.减少放大器增益B.改变输入电阻C.改变输出电阻D.改善噪声系数三、简答题(每小题5分，共15分)1.设二极管为理想，试判断图三(1)电路中，各二极管是否导通，并求VAO的值。2.设图三(2)所示电路中三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.在图三(3)所示电路中，已知MOS管的,VGs(th)=1.0V,试求IDQ,VGSQ,VDSQ的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大器电路如图四(1)所示，已知场效应管的gm=2ms,rds忽略不计，所有电容对交流呈短路。求：(1)电压放大倍数Av；(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro；(3)只考虑CD的影响，求低端转折频率fL的值。2.差动放大电路如图四(2)所示，已知IEE=1mA，所有管子特性相同，β=100,=0,|VA|=100V，求：(1)差模输入电阻Rid和差模输出电阻Rod；(2)差模电压放大倍数Aυd=υo/(υi1-υi2)；(3)由T3管构成的恒流源的等效内阻ro3.3.电路如图四(3)所示。(1)采用υ01输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(2)采用υ02输出时，该电路属于何种类型与极性的反馈放大电路?(3)假设为深度负反馈，试求第2种情况下的电压增益Aυf=υo2/υi.4.运放电路如图四(4)所示，各运放均为理想，试求(1)υ03和υo(t)及υ02和υ03的关系；(2)写出υo(t)和υs(t)之间的关系式。5．电路如图四(5)所示，所有运放均为理想且最大输出电压为±12V，设υi1=υi2=0V时，υo=+12V(1)当υi1=-10V，υi2=0V时，经过多少时间，υo由+12V跳变为-12V?(2)υo变成-12V后，υi2由0V变为+15V，求再经过多少时间，υo由-12V跳变为+12V?(3)说明A1、A2各为什么单元电路。浙江省2003年7月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.杂质半导体中的多数载流子是由_______产生的，少数载流子是由_______产生的。2.一般而言，击穿电压在6V以下的属于_______击穿，6V以上的主要是_______击穿。3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=_______IB，IE=_______IC.4.根据外加电压的不同，晶体三极管的输出特性曲线族可划分为放大区、区、饱和区和_______区。5.已知场效应管VGS(th)=4V，当VGS=6V时，ID=1mA，试写出饱和区转移特性的表达式ID=_______，当VGS=3V时，ID=_______。6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结_______中的_______来实现的。7.放大器中的线性失真可分为_______失真和_______失真两类。8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为_______。采用电容耦合方式是否存在这种现象?_______。9.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用_______负反馈；若希望负载变化时输出电压稳定，则应引入_______负反馈。10.若引入反馈减弱了输入信号的作用，使放大倍数_______，这样的反馈称为_______。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当PN结反向工作时，其结电容主要是()。A.势垒电容B.扩散电容C.平板电容D.势垒和扩散电容并存2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将()。A.增大B.减小C.不变D.近似不变3.晶体管的混合π型等效电路模型在下列哪种情况下才能应用?()A.小信号，管子处在饱和区B.大信号，管子处在放大区C.小信号，管子处在放大区D.大信号，管子处在饱和区4.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于()。A.100B.150C.200D.3005.P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是()。A.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th)B.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th)C.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th)D.VGSVGS(th),VDSVGS-VGS(th)6.当场效应管工作在()区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。A.饱和B.截止C.非饱和D.击穿7.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的()。A.和值B.差值C.迭加D.平均值8.多级放大电路放大倍数的波特图是()。A.各级波特图的叠加B.各级波特图的乘积C.各级波特图中通频带最窄者D.各级波特图中通频带最宽者9.已知某一放大器的A=100，现要求引入反馈以后增益Af=10，问反馈系数kf应为多少?()A.0.01B.0.05C.0.09D.0.10三、简答题(每小题5分，共15分)1.如图三(1)所示电路中的二极管为理想，试画出电路的传输特性曲线(v0～vi的关系曲线)，并写出分析过程。2.设图三(2)所示电路中的三极管为硅管，β=50，试通过估算判断它的静态工作点位于哪个区?3.图三(3)所示电路中，设两管特性相同，T1管的(W/L)是T2管的5倍，=1000cm2/V·S，Cox=3×10-8F/cm2，(W/L)1=10,VGS(th)=2V，求ID2的值。四、分析计算题(每小题9分，共45分)1.放大电路如图四(1)所示，已知晶体管的β=50,γbb′=0Ω，电容对交流短路，γb′e=5.2kΩ，γce忽略不计。试求：(1)放大电路的输入电阻Ri和输出电阻R0；(2)电压增益Av和源电压增益Avs.2.图四(2)是高输入阻抗型场效应管差分放大电路，用作高阻型集成运放的输入级。已知gm=2ms，RL=10kΩ，求：(1)差模电压增益Avd；(2)共模电压增益Avc，共模抑制比KCMR.3.反馈放大电路的交流通路如图四(3)所示，试：(1)判别级间反馈的类型；(2)设满足深度负反馈条件，计算源电压增益Avfs=v0/vs.4.理想运放电路如图四(4)所示，求v01、v02、v03的值。5.迟滞电压比较器电路如图四(5)所示，已知稳压管的VZ=6.3V，VD(on)=0.7V，运放的最大输出电压为±10V，VREF=3V，试：通过分析，画出比较特性(v0～vi)曲线。浙江省2004年4月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码：02340一、填空题(每小题2分，共20分)1.半导体中，由浓度差引起非平衡载流子运动，形成______电流，由外电场引起载流子运动，形成______电流。2.PN结具有电容特性，正偏时以______电容为主，反偏时以______电容为主。3.晶体三极管的ICBO是指______极开路的情况下，______的电流。4.已知某三极管VBE=0.7V，VCE=0.3V，则该管工作在______区，是由______材料制造的。5.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在______和______之间转换。6.就VGS而言，增强型MOS管是______极性的，而耗尽型MOS管是______极性的。7.多级直接耦合放大电路的两个主要问题是______和______。8.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为______失真，这时输出信号中将产生______频率成份。9.反馈量来自放大电路的输出电压，而又以电流信号的形式迭加到放大电路的输入端，称此种类型的负反馈是______。这种反馈可以使放大电路的输入电阻______。10.设计一个负反馈放大电路，若要稳定输出电压，应引入______负反馈，若要稳定输出电流应引入______负反馈。二、单项选择题(在每小题的四个备选答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号内。每小题2分，共20分)1.当半导体二极管的反向击穿电压小于6V，主要发生何种击穿现象?()A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿2.一个硅二极管在正向电压VD=0.6V时，正向电流ID为10mA，若VD增大到0.66V(即增加10%)，则电流ID()。A.约为11mA(也增加10%)B.约为20mA(增大1倍)C.约为100mA(增大到原先的10倍)D.仍为10mA(基本不变)3.如果将放大电路中的晶体三极管的基极和发射极短路，则()。A.管子深饱和B.发射结反偏C.管子截止D.集电结烧坏4.测得某放大电路中的三极管三个管脚对地电位分别是2V、2.3V、5V，则可判断该管的材料和类型是()。A.硅、NPNB.硅、PNPC.锗、