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第三章习题一、填空题：1.广泛使用的A.______和B.______都是半导体随机读写存储器。前者速度比后者C.______，集成度不如后者高。2.CPU能直接访问A.______和B.______,但不能直接访问磁盘和光盘。3.广泛使用的______和______都是半导体随机读写存储器,前者比后者速度快,______不如后者高。它们断电后都不能保存信息。4.由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行扩充才能满足实际需求。5.Cache是一种A______存储器，是为了解决CPU和主存之间B______不匹配而采用的一项重要的硬件技术。6.虚拟存贮器通常由主存和A______两级存贮系统组成。为了在一台特定的机器上执行程序，必须把B______映射到这台机器主存贮器的C______空间上，这个过程称为地址映射。7.半导体SRAM靠A______存贮信息，半导体DRAM则是靠B______存贮信息。8.主存储器的性能指标主要是存储容量，A.______和B.______。9.由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行扩充才能满足实际需求。10.存储器和CPU连接时，要完成A.______的连接；B.______的连接和C.______的连接，方能正常工作。11.广泛使用的A.______和B.______都是半导体随机读写存储器，它们共同的特点是C.______。12.对存储器的要求是A.______，B.______，C.______，为了解决这三个方面的矛盾。计算机采用多级存储器体系结构。13.虚拟存贮器通常由主存和A______两级存贮系统组成。为了在一台特定的机器上执行程序，必须把B______映射到这台机器主存贮器的C______空间上，这个过程称为地址映射。14.多个用户共享主存时，系统应提供A______。通常采用的方法是B______保护和C______保护，并用硬件来实现。15.由于存储器芯片的容量有限，所以往往需要在A.______和B.______两方面进行扩充才能满足实际需求。16.相联存储器是按A.______访问的存储器，在cache中用来存放B.______，在虚拟存储器中用来存放C.______。在这两种应用中，都需要D.______查找。17.DRAM存储器的刷新一般有A.___,B.___,C.___三种方式。18.并行处理技术已成为计算计技术发展的主流。它可贯穿于信息加工的各个步骤和阶段。概括起来，主要有三种形式A.______并行；B.______并行；C.______并行。19.主存与cache的地址映射有A.______、B.______、C.______三种方式。其中______方式适度地兼顾了前二者的优点，又尽量避免其缺点，从灵活性、命中率、硬件投资来说较为理想。20.动态半导体存贮器的刷新一般有A.______、B.______和C.______三种方式。21.根据地址格式不同，虚拟存贮器分为A______、B______和C______三种。二、选择题：1.EPROM是指______。A.读写存储器B.只读存储器C.可编程的只读存储器D.光擦除可编程的只读存储器2.在主存和CPU之间增加cache存储器的目的是______。A.增加内存容量B.提高内存可靠性C.解决CPU和主存之间的速度匹配问题D.增加内存容量，同时加快存取速度3.采用虚拟存储器的主要目的是______。A.提高主存储器的存取速度B.扩大存储器空间，并能进行自动管理C.提高外存储器的存取速度D.扩大外存储器的存储空间4.存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于______。A.存放程序B.存放软件C.存放微程序D.存放程序和数据5.在______的计算机系统中，外设可以和主存储器单元统一编址，因此可以不使用I/O指令。A.单总线B.双总线C.三总线D.多总线6.CD-ROM光盘是______型光盘，可用做计算机的______存储器和数字化多媒体设备。A.重写，内B.只读，外C.一次，外D.只读，内7.在主存和CPU之间增加cache存储器的目的是______。A.增加内存容量B.提高内存可靠性C.解决CPU和主存之间的速度匹配问题D.增加内存容量，同时加快存取速度8.某机字长32位，存储容量1MB。若按字编址，它的寻址范围是______。A.0~1MB.0~512KBC.0~256KD.0~256KB9.计算机的存储器系统是指______。A.RAM存储器B.ROM存储器C.主存储器D.cache，主存储器和外存储器10.某存储器芯片的存储容量为8K×1位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为______A.12B.13C.14D.1511.存储周期是指______。A．存储器的读出时间B．存储器的写入时间C．存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔D．存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔12.某存储器芯片的存储容量为8K×8位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为______。A.21B.20C.18D.1613.某计算机字长为32位，其存储器容量为16MB，若按字编址，它的寻址范围是______。A.0~8MBB.0~4MC.0~4MBD.0~8M14.某存储器芯片的存储容量为8K×8位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为______。A.21B.20C.18D.1615.某计算机字长32位，其存储容量为32KB，若按字编址，那么它的寻址范围是______。A.0~32KB.0~16KC.0~8KD.0~32KB16.常用的虚拟存储系统由______两级存储器组成，其中______是大容量的磁表面存储器。A.快存－辅存，辅存B.主存－辅存，辅存C.快存－主存，辅存D.通用寄存器－主存，主存17.某一RAM芯片，其容量为1024╳8位，其数据线和地址线分别为______。A.3，10B.10，3C.8，10D.10，818.和内存储器相比，外存储器的特点是______。A.容量大，速度快，成本低B.容量大，速度慢，成本低C.容量小，速度快，成本高D.容量小，速度快，成本低19.某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数目应为______。A.13B.15C.18D.2020.某计算机字长16位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的寻址范围是______。A.0—8MB.0—4MC.0—2MD.0—1M21.某RAM芯片，其存储容量为1024×16位，该芯片的地址线和数据线数目为______。A.20，16B.20，4C.1024，4D.1024，1622.某计算机字长32位，存储容量是8MB，若按双字编址，那么它的寻址范围是______。A.0—256KB.0—512KC.0—1MD.0—2M23.和外存储器相比，内存储器的特点是______。A．容量大、速度快、成本低B．容量大、速度慢、成本高C．容量小、速度快、成本高D．容量小、速度快、成本低24.一个256KB的存储器，其地址线和数据线总和为______。A.16B.18C.26D.2025.某存储器芯片的存储容量为8K×1位，则它的地址线和数据线引脚相加的和为____。A.11B.12C.13D.1426.机器字长32位，其存储容量为4MB，若按字编址，它的寻址范围是______。A．0-1MB．0-1MBC．0-4MD．0-4MB27.某一SRAM芯片，其容量为512×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数目应为______。A.23B.25C.50D.1928.某SRAM芯片，其存储容量为64ⅹ16位，该芯片的地址线和数据线数目为______。A.64，16B.16，64C.64，8D.16，629.计算机的存储器系统是指______。A．RAM存储器B．ROM存储器C．主存储器D．主存储器和外存储器30.某计算机字长16位，它的存储容量是64K,若按字节编址，那么它的寻址范围是______。A.0—64KB.0—32KC.0—64KBD.0—32KB31.存储器是计算机系统的记忆设备，主要用于______。A.存放程序B.存放软件C.存放微程序D.存放程序和数据32.CPU读/写控制信号的作用是______。A.决定数据总线上的数据流方向B.控制存储器操作（R/W）的类型C.控制流入、流出存储器信息的方向D.以上任一作用33.双端口存储器和多模块交叉存储器属于A.______存储器结构。前者采用B.______技术，后者采用C.______技术。34.双端口存储器所以能高速进行读写，是因为采用______。A．高速芯片B．两套相互独立的读写电路C．流水技术D．新型器件35.相联存储器是按______进行寻址的存储器。A．地址指定方式B．堆栈存取方式C．内容指定方式D。地址指定与堆栈存取方式结合36.在虚拟存储器中，当程序正在执行时，由______完成地址映射。A.程序员B.编译器C.装入程序D.操作系统37.下列有关存储器的描述中，不正确的是______。A.多体交叉存储器主要解决扩充容量问题B.访问存储器的请求是由CPU发出的C.cache与主存统一编址，即主存空间的某一部分属于cacheD.cache的功能全由硬件实现38.模4交叉存储器有4个存储模块，它们有各自的______。A.地址寄存器B.地址寄存器和指令寄存器C.地址寄存器和数据缓冲寄存器D.地址寄存器、数据缓冲寄存器和指令寄存器39.双端口存储器之所以能高速进行读/写，是因为采用______。A.新型器件B.流水技术C.两套相互独立的读写电路D.高速芯片40.交叉存储器实质上是一种___存储器，它能___执行___独立的读写操作。A.模快式，并行，多个B.模快式，串行，多个C.整体式，并行，一个D.整体式，串行，多个41.双端口存储器在___情况下会发生读/写冲突。A．左端口与右端口的地址码不同B.左端口与右端口的地址码相同C．左端口与右端口的数据码相同D.左端口与右端口的数据码不同42.没有外存贮器的计算机监控程序可以存放在______。ARAMBROMCRAM和ROMDCPU43.在多级存储体系中，“cache—主存”结构的作用是解决______的问题。A.主存容量不足B.主存与辅存速度不匹配C.辅存与CPU速度不匹配D.主存与CPU速度不匹配44.下面的描述中有错误的是______。A．主存和CPU是通过数据通道存取数据B．主存和CPU是通过系统总路线存取数据C．CPU和外存是通过I/O接口存取数据D．外存和CPU是通过数据通道存取数据45.EEPROM是指______。A.读写存储器B.只读存储器C.电擦除可编程的只读存储器D.光擦除可编程的只读存储器46.在下列因素下，与cache的命中率无关的是____。A.主存的存取时间B.块的大小C.cache的组织方式D.cache的容量47.虚拟段页式存储管理方案的特点为______。A.空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、不能动态连接B.空间浪费小、存储共享容易、存储保护不易、不能动态连接C.空间浪费大、存储共享不易、存储保护容易、能动态连接D.空间浪费大、存储共享容易、存储保护容易、能动态连接48.在cache的地址映射中，若主存中的任意一块均可映射到cache内的任意一块的位置上，则这种方法称为_____。A.全相联映射B.直接映射C.组相联映射D.混合映射三、简答题：1.DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？2.现有一64K×2位的存储器芯片，欲设计具有同样存储容量的芯片，应如何安排地址线和数据线引脚的数目，使两者之和最小。并说明有几种解答。3.已知某8位机的主存采用半导体存储器，地址码为18位，采用4K×4位的SRAM芯片组成该机所允许的最大主存空间，并选用模块条形式，问：若每个模块条为32K×8位，共需几个模块条？每个模块条内有多少片RAM