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1(120)1．纯净的半导体叫（）。掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。A．43dBB．40dBC．37dBD．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。（）1．设图3-1中二极管、为理想二极管，判断它们是导通还是截止？输出电压=？（4分）22．测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。（6分）根据图4某共射单放电路中三极管的输出特性曲线及交、直流负载线，试求（1）静态Q点；（2）三极管电流放大系数β；（3）集电极电阻；（4）最大不失真输出电压幅度。OTL互补对称功率放大电路如图5。(1)说明电容C的作用，电容上的电压等于多少？(2)当输入交流正弦电压时，问最大的输出功率是多少？效率是多少？（8分）判断图6-1、6-2所示放大电路的反馈极性和组态。3设图7所示电路的静态工作点合适，、的β分别为、，发射结电阻分别为、，画出它们的交流等效电路，并写出、和的表达式。试用相位平衡条件判断图8-1、8-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。P8.5试求图9所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。41．B，C，D2．A，C3．B，D（D，B），A，C4．D5．C6．D，B，C7．C8．C9．B，D10．A11．B1．×2．×3．4．×5．1．解：假设、断开，的阳极为0V，阴极为-9V；的阳极为-12V，阴极为-9V；∴导通，截止，输出电压=0V2．PNP；硅管=0．02mA，≈1mA，≈3V；β≈50；≈3KΩ；≈1．5V解：电容的作用传输交流信号，其两端的充电电压在输入信号的负半周充当一个负电源。若电容容量足够大，即比输入信号的周期大得多，=1/2直流电源电压。，，。解：电流并联交直流负反馈；电压串联交直流负反馈。解：图8-1能，图8-2不能。5(120)1．掺入5价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠（）导电。A．空穴B．N型半导体C．P型半导体进制D．自由电子2．PN结反偏时，少子的（）运动较强，空间电荷区变厚，结电阻较（）。A．扩散B．漂移C．小D．大3．为保证三极管工作在放大区，接入电路时，应使它的发射结、集电结保持（）偏置。A．正向，正向B．正向，反向C．反向，正向D．反向，反向4．设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（）。A．B．C．5．在BJT三种基本组态放大电路中，输入电压与输出电压反相的电路是（）；不具有电压放大作用的的是（）。A．共射电路B．共集电路C．共基电路6．若要改善放大器的带负栽能力，应引入（）；若要增大输入电阻，应引入（）。A．电压反馈B．电流反馈C．串联反馈D．并联反馈7．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（），共模信号是两个输入端信号的（）。A．差B．和C．平均值8．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体管极间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适9．欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用（）。A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路C．积分运算电路D．微分运算电路10．已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用（）滤波电路。A．带阻B．带通C．低通D．有源11．在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的最大功耗约为（）。A．1WB．0．5WC．0．2W12．直流稳压电源的基本组成有变压器、（）、滤波、稳压。A．整流B．比较C．调整13．负反馈所能抑制的干扰和噪声是（）。A．反馈支路产生的干扰和噪声B．反馈环路内的干扰和噪声C．反馈环路外的干扰和噪声D．输出信号中的干扰和噪声14．RC文氏电桥正弦波振荡电路要能起振，要求放大电路的电压增益（）。A．1B．3C．=3(210)1．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）2．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）3．阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。（）4．若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）65．在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（）1．电路如图3-1，已知=10sinwt(v)，E=5v，R=1kW，试用理想模型分析电路的功能，并画出的波形。2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。(10分)固定偏流电路如图4-1所示。已知：=12V，=280kΩ，=3kΩ，=3kΩ，三极管β=50,取=200Ω，=0．7V。求：（1）静态工作点Q；（2）求电压增益；（3）假如该电路的输出波形出现如图4-2所示的失真，问是属于截止失真还是饱和失真？调整电路中的哪个元件可以消除这种失真？如何调整？差分放大电路如图5所示，已知三极管的β均为100，=0．7V，=10K，=20K，=11．3K。1．求静态工作点（，，）；2．求双出的、。7试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。判断图7-1、7-2所示放大电路的反馈极性，若为负反馈，判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。81．B，D2．B，D3．B4．C5．A，B6．A，C7．A，C8．B，A9．D10．B11．C12．A13．B14．B1．2．×3．4．×5．×1．1.解：假设D断开，阳极端电位为，阴极端电位为E，则（1）E时，二极管反向截止，=；（2）E时，二极管正向导通，=E；波形如图，为单向(正向)限幅电路。2．NPN，硅管。（1）≈0．04mA，≈≈2mA，≈6V（2）≈963Ω，≈1．5KΩ，≈-78（3）饱和失真，调节偏流电阻，增大阻值。（1）（2）图6-1可能，图6-2不能。图7-1电流并联负反馈，，，；图7-2正反馈。9(120)1．在本征半导体中，掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它的多子是（）。A．N型半导体B．P型半导体C．电子D．空穴2．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。A．增大B．不变C．减小3．PN结反偏时，空间电荷区（），多子的扩散运动被阻止，只有少子的（）运动形成反向饱和电流。A．变厚B．扩散C．漂移D．变薄4．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容5．稳压管的稳压区是其工作在（）。A．正向导通B．反向截止C．反向击穿6．直流稳压电源中的整流电路利用了二极管的（）特性。A．正向伏安特性B．反向伏安特性C．单向导电性7．当信号频率等于放大电路的或时，放大倍数的值约下降到中频时的（）。A．0．5倍B．0．7倍C．0．9倍8．欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）；欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）。A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈9．欲将方波电压转换成三角波电压，应选用（）。A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路C．积分运算电路D．微分运算电路10．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（）滤波电路。A．带阻B．带通C．低通D．有源11．正弦波振荡电路的基本组成有：包含负反馈的放大电路、构成（）的选频网络和稳幅环节。A．正反馈B．负反馈C．反馈12．下面说法那个是正确的（）。A．正弦波振荡器是一个具有负反馈的放大器B．正弦波振荡器是一个具有正反馈的放大器C．正弦波振荡器是一个具有选频网络的正反馈的放大器D．正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅度值条件的选频放大器13．在差分放大电路中，若2个输入端信号分别为15mV和3mV，则其差模输入信号为（），共模输入信号为（）。A．18mVB．12mVC．9mVD．6mV14．为了使滤波电路的输出电阻小，带负载能力强，应选用（）滤波电路。A．无源B．低通C．有源15．若要求电压放大倍数较大，应选用（）放大电路；若要求放大电路的输入电阻较大，应选用（）放大电路。A．共基极B．共发射极C．共集电极(210)1．因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）2．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）103．凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。（）4．因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的＝0°，单管共集放大电路的＝0°，满足正弦波振荡的相位条件＋＝2nπ（n为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。（）5．在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。（）1．电路如图3-1，设D为理想二极管，试判断二极管的工作状态。2．测得放大电路中晶体管的直流电位如图3-2所示。在圆圈中画出管子，并说明是硅管还是锗管。（10分）射极偏置电路如图4所示。已知：=12V，=2．5kΩ，=7．5kΩ，＝2kΩ，=1kΩ，=2kΩ，三极管β=30，取=300Ω，=0．7V。求：1）静态工作点Q；（2）电压增益；（3）电路输入电阻和输出电阻。差分放大电路如图5所示，已知三极管的β均为100，=0．7V，=10K，=20K，=11．3K。1．求静态工作点；2．若输出信号从的集电极输出，计算。11试用相位平衡条件判断图6-1、6-2所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。判断图7-1、7-2所示电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。若为交流负反馈，判断组态并近似计算深度负反馈条件下的电压放大倍数。试求图8所示电路输出电压与输入电压的运算关系式。121．B，D2．A3．A，C4．C5．.C6．C7．B8．C，A9．C10．C11．A12．D13．B，C14．C15．B，C1．×2．×3．4．×5．×1．解：=12×[10/(10+50)]=2V；=-10×[2/(18+2)]+12×[5/(25+5)]=1V；，所以，二极管导通。2．NPN，硅管。（1）≈3V，≈IE≈2．3mA，≈0．077mA，≈5．1V，（2）≈650Ω，≈1KΩ，≈-46．2，（3）≈483Ω，≈RC=2KΩ。1．2．图6-1