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→穿透电流Iceo是怎么形成的呢？我们可以用图10进行解释。图中，基极开路，集电极于发射极之间接入了电源Ec，电源电压分别降落在集电结与发射结上。根据电源的极性，集电结获得的是反向电压，发射结获得的是正向电压，集电结的电阻很大，发射结的电阻很小，所以Ec的大部分降落在集电结上，引起集电极反向电流Icbo，小部分降落在发射结上，促使发射区向基区注入电子。这种情况如同把Ec拆成两组电池，分别加在e、b和b、c之间，又如图中所示一样（注意，基极与外电路仍然是断开的，图中从基极引出的虚线只是为了用来说明两个PN结所承受的电压）此时，发射区的电子注入基区，形成电流I'e，在基区输运的过程中，一部分电子与基区的空穴复合，形成基极电流I'b。由于基极是断开的，基区中被复合掉的空穴只能依靠从集电极漂移过来的相应数量的空穴来补充，这就决定了基区复合电流I'b在数值上必须与集电极反向电流Icbo相等，以保持电流的连续性。根据晶体管的电流分配关系，输运到集电区的电子，总是保持一定的比例，即I'b=βI'cbo,集电极电流Ic则由I'c与Icbo汇合而成，即：Ic=I'c+Icbo=βI'cbo+Icbo=(β+1)Icbo发射极电流Ie与Ic相等。综合上面谈到的，在基极开路时，由提个反向电流从集电极穿透到发射极，这就是穿透电流Iceo。