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1知识点1–成膜（第一份）1.Sputter设备生产FFS产品时，Glass表面温度约为多少摄氏度（230）2.B3CFSheetID：CBM3X9803EFHG-123400，各位号码意思（）3.在B3CF分厂，下列选项中全部都有6轴（RobotRWL,ICL,ANL,ITO4个）4.各Line与设备之间的通讯协议是以下哪一项（）5.CSA、CSB、CSC及CSD中Crane数量分别为（1,2,1.1）6.下列靶材与Sputter背板直接接触的物质是（氧化铟锡）7.B3CFITOLine共有多少个六轴Robot（4）8.正确的防尘服穿着顺序是（）9.C/F制作过程中,32寸产品与18.5寸产品主要不同点（TN与FFS模式不同点）10.属于PM时正确做法的是（）12．Unpack装Glass的是Crate，一般每个Crate装0.7t的Glass的片数是（300）13.Sputter设备的腔体有Heater的腔体是（M3.1、M4.1、M5.1、M6.1、M7.1、M7.2、M6.2、M5.2）15.B3CFSputter设备每个Carrier上Clamp的数量为（18）16.B3CFSputter使用的Carrier上部从玻璃边缘到第一个Clamp的距离为（26mm）17.TFT-LCD显示器的显示性能指标包括（分辨率，色度，响应速度对比度等）18.Carrier到达SputterProcessChamber时Carrier与Carrier之间的间隔为（重叠）19.量产时，SputterProcessChamber内通入的气体为（氩气和氧气）20.在生产的过程中，设备重启PLC后，哪个部分不需回到原（HOME）点（Magazine）221.B3CFSputter设备RobotVaccum数值多少以上为正常（-90）22.关于FFSMODE正确工艺流程的是（）23.TNMode时LineFlow中正确流程（）24.3正5S中属于3正的是（正品、正位、正量）25.洁净间内产生最大的污染源因素是（人）26.RWL的全称是（ReworkLine）27.等离子体是整体上呈现（辉光放电）28.Sputter设备中阳极的电压是（Carrier上，电势为零）29.Sputter设备中作为阳极的是（Carrier接地）30.TN模式中ITO薄膜的主要作用是（共同电极）31.FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（电场屏蔽）32.属于ITO工艺参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power功率）33.ITO生产模式是（ProductMode）34.ITO的Bake模式是（Standbymode）35.ITO的Offline首件模式是（StartingDummyMode）36.SCS区的Buffer存放的是（InnerDummy）37.SCS区的Buffer一般存放玻璃（44枚）38.Online情况下需要ITO特性值确认时，Sample玻璃投入口为（port口）39.Offline情况下需要首件确认时，Sample玻璃投入口为（SCS的LD口）40.ITO首件Sample特性值确认项不包括（透过率阻抗膜厚）41.TN模式ITO膜厚Spec为（115-145nm最大：145NM，最小：115NM，平均：117~130NM）342.TN模式ITO阻抗spec为（35最大：＜50，最小：无，平均：＜40）43.FFS模式ITO阻抗spec为（150最大：＜140，最小：无，平均：＜120）44.19.TN模式ITO透过率spec为（PeakWavelength93%最大：无，最小：＞90%，平均：＞92%）45.TN模式玻璃镀膜表面温度（120）46.TN模式ITO膜要经过Anneal的PBK工序是为了（使ITO结晶更完全）47.TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜阻抗值（35）48.TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜透过率（93%）49.Sputter正常生产使用Carrier的数量为（11）50.Sputter中起辉气体是（Ar）51.Sputter设备共使用靶材的数量为（7）52.Sputter使用的陶瓷靶，其成分In2O3与SnO2的比例为（9:1）53.ITO特性值管控项目管控不包括（管控透过率，阻抗，膜厚）54.影响ITO膜厚的因素有（Power）56.提高成膜温度对ITO薄膜的影响（结晶更完全）57.设定Carrier定期更换的主要作用是（防止OutGas引起的阻抗超标）58.carrier更换后要进行必要那些检查（peak、Clamp，弹簧）59.ITO工序外观检查设备是（Visual）60.ITO色差外观异常产生原因是（成膜不均匀）61.Carrier停滞发生后玻璃基板应如何处理（ThoughMode单独存放与CSTRWK）62.ITOparticle多发时段在（在中期PM和末期PM前）63.ITO树状Mura产生的原因（放电异常）464.靶材中期PM的主要包括（研磨靶材、shieldBox更换）65.如果阻抗值超出Spec.值，首先要进行（停机）66.Sputter破片发生应确认（Carrier等于玻璃接触的位置）67.靶材表面凸起（Nodule）较多会影响（ITO的Particle及PH）68.B3CFSputter使用靶材厚度为上/中/下（9、7、9mm）69.下列不良中，肯定不是ICL的洗净不良造成的是（ICL的Brush会产生竖线）70.下列Cleaner采用的新设计中，有利于CleanRoom内洁净度保持的是（FFU设计）71.在B3Layout中与ICL连接的Stocker是（CSA）72.ICLCleaner中Aircurtain的使用目的是（分割作用，防止药液过多流入DIWChamber）73.Cleaner内的Ionizer的作用是（除静电）74.Line中哪条线的清洗机同时带有上下Brush的是（ICL/ANL）75．RWL产生不良主要包括（ITO残留，Pattern残留等等）76．玻璃基板在RWL流动顺序是（PSStripper-ITOEtch-RGBStripper）77．RWL流动影响基板洗净效果因素有（温度，洗净时间）78．RWL中使用酸性药液主要是为了（刻蚀ITO层）79．RGBStripper单元有（）个Chamber（4个StripperChamber）80.Stripper药液tank最高使用温度（75℃）（第二份）1.CFICL有(3)台Robot。2.TFT-LCD显示器中，控制各像素电流的器件是(IC驱动电路，TFT)3.TFT-LCD显示器的显示性能指标包括(分辨率、色彩浓度、可视角度、响应速度、对比度、亮度)54.属于Sputter工艺需要关注的参数的是(温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power功率）5.下列没有E-UV装置的Line是(OC、ITO、ANL)6.量产时，SputterProcessChamber内通入的气体为(Ar、O2)7.Carrier到达SputterProcessChamber时Carrier与Carrier之间的间隔为(重叠)8.B3CF一台Sputter用到的Target的个数为(7)9.UPK的NG口处，NGglass在tiltingconveyor上倾斜的角度是(60°)10.哪条生产线没有AOI(RWL，ICL，ITO，PRL)11.关于CFCleaner的Module12.CFCleanerRollerBrush（ICL4组16个，ANL1组4个）13.UPK的NG口处，最多可以容纳的NGglass的数量(2张)14.B3C/FCIM中从LinePC得到生产计划并下放到各设备的是()15.Array的5Mask工艺流程顺序是()16.TFTLCD中国大陆第一条6代线的量产时间是(2010年9月16日)17.AOI可以检出的Defect的全部信息(size等)18.CF工场中SheetID：CBM3X9803EFHG-123400，其中的“1234”指的是(SheetID)19.Rework药剂的说法错误的是()20.ANLPostbake设备Buffer多少层(28层)21.Rework设备基本作业流程(PSStripper-ITOEtch-RGBStripper)22.哪种情况在ITOLine中不会产生Particle()23.TFT-LCD显示器中，需要偏光片的数量是(2)24.以下Line中，Tact最短的是(ITO)25.下面广视角技术中，属于BOE独有专利的是(FFS或ADS)626.在CF基板上负责形成金属膜层的设备是(Sputter)27.B3CF工场一台Sputter设备的TactTime为(39.5)28.CFUPK1个Crate装0.7tBareGlass的数量是(300)29.下列Line中没有LD口的是(ICL)31.FFS模式中ITO薄膜的主要作用是（屏蔽电场）32.属于ITO工艺参数的是（温度、氧气和氩气气体流量及比例、腔体压力、Power功率）33.ITO生产模式是（productMode）36.SCS区的Buffer存放的是（InnerDummy）37.SCS区的Buffer一般存放玻璃（44s）38.Online情况下需要ITO特性值确认时，Sample玻璃投入口为（Port口）39.Offline情况下需要首件确认时，Sample玻璃投入口为（SCSLD口）40.ITO首件Sample特性值确认项不包括（管控透过率，阻抗，膜厚）41.Sputter设备检漏使用的气体是(He气)42.等离子体是整体上呈现(辉光放电)43.Sputter设备中阳极的电压是(0伏特)44.Sputter设备中作为阳极的是(carrier)50.ITO的Bake模式是(stand-bymode)54.Online情况下需要ITO特性值确认时,Sample玻璃投入口为(Port口)55.Offline情况下需要首件确认时，sample玻璃投入口为(SCSLD口)56.ITO首件sample特性值确认项不包括(管控透过率，阻抗，膜厚)57.TN模式ITO膜厚Spec为(115-145nm最大：145NM，最小：115NM，平均：117~130NM）)758.Stripper药液tank最高使用温度（75℃）59.TN模式ITO阻抗spec为(35最大：＜50，最小：无，平均：＜40）62．玻璃基板在RWL流动顺序是（PSStripper-ITOEtch-RGBStripper）63．RWL流动影响基板洗净效果因素有（药液温度，洗净时间）64．RWL中使用酸性药液主要是为了（刻蚀ITO层）67.TN模式ITO膜要经过Anneal的PBK工序是为了(使ITO结晶更完全)68.TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜阻抗值(35)69.TN型产品经过Anneal的后的ITO薄膜透过率(93%)70.Sputter正常生产使用carrier的数量为(11)71.Sputter中起辉气体是(氩气)72.Sputter设备共使用靶材的数量为(7)73.Sputter使用的陶瓷靶，其成分In2O3与SnO2的比例为(9:1)74.ITO特性值管控项目管控不包括(管控透过率，阻抗，膜厚)76.下列说法正确的是()77.提高成膜温度对ITO薄膜的影响(使ITO结晶更完全)78.不属于ITO工序管理项目是(管控透过率，阻抗，膜厚)79.设定Carrier定期更换的主要作用是(防止产生树状MURA)80.carrier更换后要进行必要那些检查(peak、Clamp，弹簧)8知识点2-光刻（第一份）1.PS高度设备中无法进行测量的项目是（ITO电阻）2.使用于Clean设备中2流体的原材料是（DIW,CDA）3.BML上正确的曝光机Process顺序是（PreAlignment→Gap制御→Alignment→曝光_）4.工程设备顺序对的是（）5.以下受升华物影响发生的问题点中受