第二章应变式传感器[教学目的]掌握电阻应变片应变原理,金属应变片的主要特性[教学重点]掌握电阻应变计的基本原理与结构;灵敏度的概念;应变式传感器主要特性、温度补偿方法[教学难点]应变片的结构,灵敏度的概念[教学方法及手段]多媒体课堂教学[课外作业][学时分配]2[教学内容]电阻应变片原理,结构,金属应变片的主要特性,工作原理,应变效应等。[自学内容]2.1电阻应变式传感器2.2.1电阻应变计的基本原理结构和应用(一)工作原理电阻—应变效应SLR求R的全微分得:SSLLRR式中LL是长度相对变化,即应变金属丝的变形有:LLrrSS22式中:泊松比,μ为电阻丝材料的泊松比(与材料有关,μ=-径向应变/轴向应变),负号表示应变方向相反;也叫横向变形系数,反映材料横向变形的弹性常数。对于钢285.0故:)21(RR(2—1)灵敏度系数21RRkK-----标志着该类丝材电阻应变片应变效应显著与否。ε为测点处应变,为无量纲的量,但习惯上仍给以单位微应变,常用符号με表示。K受两个因素影响:1+2μ------材料几何尺寸(dρ/ρ)/ε-------材料的电阻率在电阻丝拉伸极限内,电阻的相对变化与应变成正比,即K为常数。a.金属材料的应变电阻效应1+2μ>>(∆ρ/ρ)/ε以结构尺寸变化为主,对金属或合金,一般Km=1.8~4.8(2—2)图2—1应变效应原理图)21(RdR金属材料的电阻相对变化与其线应变成正比。这就是金属材料的应变电阻效应。b.半导体材料的压阻效应-------半导体材料,当某一轴向受外力作用时,其电阻率ρ发生变化的现象。(2—3)式中:π——半导体材料的压阻系数;σ——半导体材料的所受应力;E——半导体材料的弹性模量;ε——半导体材料的应变。半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。通常Ks=50~80Km2.1.2电阻应变计的类型与结构1.分类:常用的电阻应变计有两种:丝式:有回线式和短接式二种。回线式最为常用,制作简单,性能稳定,成本低,易粘贴,但横向效应较大。金属箔式:横向部分可以做成比较宽的栅条,使横向效应较小;箔栅很薄,能较好地反映构件表面的变形,因而测量精度较高;栅的尺寸准确、一致性好、适于大批量生产,易于小型化、易散热、疲劳寿命高等。半导体应变计:灵敏度高,体积小,省电,滞后小,可测静态应变、低频应变。由单晶半导体经切型、切条、光刻腐蚀成形,但重复性、温度及时间稳定性差。2.结构金属电阻应变片的结构,如图2—2所示,则敏感栅,基底,盖片,引线和粘结剂组成。2—2应变片的结构敏感栅:合金丝或合金箔制成的栅。尺寸用栅长L和栅宽B表示,是电阻应变计的核心组成部分。灵敏系数大都在2.0~4.0间,常用的金属敏感栅材料主要有铜镍合金、镍铬合金、镍钼合金、铁基合金、铂基合金、钯基合金等;以半导体材料为敏感栅(硅、锗等半导体材料)的电阻应变计的灵敏系数大都在150左右引线:应具有低和稳定的电阻率以及小的电阻温度系数(直径取约0.1~0.15mm)。常温应变计,紫铜引线的表面镀锡。中温应变计、高温应变计紫铜引线的表面镀银、镀镍、镀不锈钢,或者采用银、镍铬(或改Ed良型)、镍、铁铬铝、铂或铂钨等。2.1.3、电阻应变计的应用1、应变计的选用(1)选择类型——使用目的、要求、对象、环境等(2)材料考虑——使用温度、时间、最大应变量及精度(3)阻值选择——根据测量电路和仪器选定标称电阻(4)尺寸考虑——试件表面、应力分布、粘贴面积(5)其他考虑——特殊用途、恶劣环境、高精度2、应变计的使用(1)粘结剂的选择通常在室温工作的应变片多采用常温、指压固化条件的粘结剂如聚脂树脂、环氧树脂类。(2)应变计的粘贴(录像)①准备——试件和应变片;②涂胶;③贴片;④复查;⑤接线;⑥防护。2.2金属电阻应变片的主要特性1.应变片的电阻值(R0)60,120,350,600,1000Ω等各种规格.2.绝缘电阻敏感栅与基底之间电阻值.3.灵敏系数(K)4.允许电流静态测量时,允许电流一般为25mA;动态测量时,允许电流可达75~100mA;5.横向效应与横向灵敏系数图2—3横向效应将应变片粘贴在受单向拉伸应力试件时,其电阻相对变化可表示为ggxxKKRR(2—4)当εg=0时,可得轴向灵敏系数xxxRRK)((2—5)当εg=0时,可得横向灵敏系数gggRRK)((2—6)横向灵敏系数与轴向灵敏系数的比值称为横向效应系数H,H=Kg/Kx由此可写为gxxHKRR(2—7)6.机械滞后如图2—4所示;其最大差值Δεm称为应变片的机械滞后值。7.应变极限指示应变εm与受力试件的真实应变εi的相对误差达到规定值(一般为10%)时的真实应变εj(图2—5)图2—4机械滞后图2—5应变极限8.零漂和蠕变9.动态特性受力试件内的应变波为阶跃变化时(图2—6(a)),应变片对其响应如图2—7(b)(理论响应)和图2—6(c)(实际响应)所示。响应特性用上升时间tr表示tr=0.8l/v图2—6动态特性受力试件内的应变波为正弦变化时,考虑应变波峰值处应变片的响应情况如图2—8(a)所示。图2—7应变波沿试件内传播的应变波为ε=ε0sin(2πx/λ)应变片响应的应变(平均应变)εp为/2cos/2cos2/2sin120012021xxlxxdxxxxp/sin000ll(2—8)应变波幅值测量的相对误差1/sin0000llp(2—9)当n=λ/l0=10~20时,δ=1.6%~0.4%δ2%时,应变片的响应频率0201101lf