第五章存储系统

第五章存储系统一、存储器的分类1、按存储介质分类半导体存储器（SemiConductorMemory，SCM）体积小、功耗低、速度快磁表面存储器（MagneticSurfaceMemory，MSF）非易失、价格低廉光介质存储器（FerroelectricMemory，FeM）记录密度大2、按访问周期是否均等分类随机访问存储器（RandomAccessMemory，RAM）访问时间与存储位置无关顺序访问存储器（SerialAccessStorage，SAS）访问时间与存储所在位置有关3、按访问类型分类可读/写存储器（亦称为RAM）只读存储器（ReadOnlyMemory，ROM）4、按在计算机系统中的作用分类主存（亦称为内存）通常在计算机系统中的内部辅存（亦称为外存）通常在计算机系统中的外部，有时可以看作外部设备高速缓冲存储器（Cache）*计算机存储系统的层次结构*局部性原理（1）时间局部性：现在正在访问的信息可能马上还会被访问到（2）空间局部性：现在正在访问的信息，与之相邻的信息可能马上也会被访问到二、半导体存储器1、基本结构地址线位数由地址空间决定，如空间大小1K（即210），则地址线10位片内Cache寄存器片内CacheCPU主存辅存从左至右容量依次增大、速度依次减慢、每位价格依次降低存储阵列译码驱动读写驱动地址线数据线CSR/W数据线位数由存储单元决定，如存储单元字长为8，则数据线8位*译码驱动方式（1）线性译码，亦称单译码，即只有一个译码器特点：控制简单、速度快、但地址空间较小（2）多重译码，即包含多个译码器，只有当全部译码器选中才工作特点：控制复杂、地址空间大2、随机访问存储器RAM（1）静态RAM（StaticRAM，SRAM）特点：存储一位二进制数需要6个三极管（触发器工作原理）速度快、控制简单、容量小（2）动态RAM（DynamicRAM，DRAM）特点：存储一位二进制数仅需要1个三极管（靠三极管的极间电容存储数据）速度略慢、控制复杂、需要刷新和重写操作、容量大3、动态RAM的刷新*原因：利用极间电容存储数据，电容会自放电*周期：2ms，超过2ms不重新写入，原数据不可读*方式：按行（或列）完成，即一次刷新完一行（或一列）（1）集中式刷新集中一段时间逐行刷新完整个存储阵列（由于刷新时无法进行读写操作，此段时间亦称为死时间）特点：实现简单（定时电路按时触发）、存在死时间（2）分散式刷新扩展每个存储周期，读写操作后自动刷新一行（因此新的存储周期是原来的2倍）特点：对外无死时间、速度变慢、刷新操作过于频繁静态RAM与动态RAM的比较（1）动态RAM的优点（相对静态RAM来说）集成度高、容量大、地址可以分批写入、芯片引脚变少、功耗低、价格低（2）动态RAM的缺点（相对静态RAM来说）需要刷新操作、需要重写等辅助电路、速度慢应用范围：一般来说，主存广泛使用动态RAM，高速缓存采用静态RAM4、只读存储器ROM（1）掩膜ROM（MaskedROM，MROM）生产厂家在生产芯片时，利用掩膜工艺，把需要的数据直接存入芯片内。芯片生产后，内部数据无法更改，典型意义的ROM（2）可编程ROM（ProgrammedROM，PROM）内部由厂家设置熔丝，需要时可用特殊的写入电压把相应的熔丝熔断（该操作称为编程写入），熔丝熔断后无法再次设置，因此只可写一次（3）可擦除PROM（ErasablePROM，EPROM）内部的电子三极管栅极具有浮动栅，不设置浮动栅，正常的导通操作；设置浮动栅则阻碍导通。根据需要设置相应的浮动栅（由特定的写入电压完成），即写入相应的数据，如不需要用紫外线照射，电子获得能量后浮动栅去除，所以可以多次写入擦除（4）电可擦除PROM（ElectricallyEPROM，EEPROM或E2PROM）擦除操作不需要紫外线，直接用特定的电流完成，操作更简单*闪存（FlashMemory）可以理解为一种快速的EEPROM，即闪速存储器三、主存储器*由DRAM芯片（通常为多片）构成，主要考虑速度、容量和价格的平衡1、容量的扩展（1）扩位连接：扩展数据例：用芯片2114（1K×4）组成1K×8的存储器分析，2114有10根地址、4根数据，要组成的存储器需10根地址、8根数据，则从数量上看需要2片2114，共同构成8位数据，工作时一起操作。连接图见下图：（2）扩字连接：扩展地址例：用芯片2114（1K×4）组成2K×4的存储器分析，2114有10根地址、4根数据，要组成的存储器需11根地址、4根数据，则从数量上看需要2片2114，共同构成2K个存储单元，工作时一次只一片操作，由高位地址片选控制。连接图见下图：（3）即扩字又扩位：即扩数据又扩地址，上述二者的结合方法同上，具体略例：设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用MREQ（低电平有效）作访存控制信号，R/W作读/写控制信号（高电平读、低电平写），现有8片8K×8位的RAM芯片。完成下列要求：*用74LS148译码器画出CPU与RAM的连接图。21142114A9A8A0D4D0D3D7A8A10A9A0D0D3CS21142114CS*写出每片RAM的地址范围*如果运行时发现无论往哪片RAM写入数据时，以A000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据，分析其原因。连接图见下图：各片RAM地址范围如下：0片：0000H—1FFFH1片：2000H—3FFFH2片：4000H—5FFFH3片：6000H—7FFFH4片：8000H—9FFFH5片：A000H—BFFFH6片：C000H—DFFFH7片：E000H—FFFFH以A000H为起始地址的存储芯片为第5片，片选信号为Y5，当无论往哪片RAM写入数据时，其都有相同的数据写入，说明其片选一直有效，如不考虑其他，可能Y5接地。2、几个主要的技术指标（1）存储容量＝存储单元个数×存储字长*为了便于相互比较，现在习惯上把存储字长转换为Byte（8位）的倍数。（2）速度*存取时间：启动一次操作到完成该操作的时间（仅与器件本身有关）*存储周期：在系统中，存储器进行两次连续独立操作的最小间隔时间（与所在系统有关），通常存储周期的值要大于存取时间（3）带宽：单位时间内存储器完成的最大数据传输位数CPUA14A15A0A12A13D0D7R/WMREQ0片1片7片G1G2BG2AY1Y0Y7CBA*是一个速率值，单位时间通常取1s*是理论上的最大值（即峰值），在实际中一般很少出现例：若某存储器一次读写操作最大可以传输16位，存储周期为500ns（10-9s），求该存储器的存储带宽。分析，一次操作16位，即2Byte；一秒内最多可以完成1s/500ns＝2×106次存储操作；则存储带宽＝（2×106）×2Byte＝4MB/s注意：在数值计算时，因210=1024，近似为1000（即103），所以103有时可缩写为1K，同理106可缩写为1M，看清前后上下文。3、主存储器的地址分配（1）字节地址和字地址*主存的编址原则：按字节编址（一个8位数据对应一个物理地址）即不论机器的具体组织结构，一个地址就对应1Byte（8位二进制数）*存储字：主存为了提高工作速度，实际一次访存数据要大于8位（通常为Byte的整数倍数），对应存储器的具体组织结构，一般称一次实际访存所对应的组织结构为存储单元（亦称存储字），该单元内存放的二进制数的位数值为存储字长。示例如下图：上图一个存储单元内含4个字节，对应字节地址值为方框内数据，每个存储单元前的数据为字地址值。字节地址和字地址变换关系见下表（字节地址字长取8位）：十进制地址值字节地址值（字节地址去掉2位后即变为字地址）字地址值位置值000000000100000001200000010300000011400000100500000101600000110700000111800001000上表每4行一组（对应示例图中的4个字节构成一个存储字），则每组内前6位相同（正好对应为存储单元的字地址），后两位依次变化，对应为每个存储字内的不同位置值。如每个存储单元由8个字节组成，则字节地址后三位为位置值，去掉三位剩下的为字地址。01234567891011012（2）大端（Bigendian）存储和小端存储（Littleendian）*小端：地址按从小到大排列，最低有效地址在前面（代表机型Intel系列）即8086汇编语言所说的：高高低低原则*大端：地址按从小到大排列，最低有效地址在后面（代表机型IBM370系列）例：十六进制数12345678H存放在地址100H处，示例图如下：注意：无论大端存储还是小端存储，在高级语言编程中不可见；仅在底层数据传输时需考虑此问题。4、提高访存速度的措施（1）多端口RAM两套或多套独立的读写逻辑，可并行操作（2）单体多字一次访存，同时读出或写入多个存储字（提高了访存带宽）如连续操作相邻的地址单元，则效果明显，如连续操作跳跃的地址单元，效果不明显（3）多体并行多个存储体操作，并行效率高，但控制复杂分为高位地址交叉和低位地址交叉两种模式访存优先级原则：*易发生代码丢失的优先级高（一般来说I/O操作＞CPU操作）*严重影响CPU工作的优先级高（一般来说写操作＞读操作，不是绝对的，看具体情况）四、高速缓冲存储器Cache*问题的提出：CPU和主存的速度不匹配*基于的理论：局部性原理（即某一时间段，被访问的主存地址分布集中在某一区域）1、相关的基本原理（1）基本逻辑关系图*主存、Cache均划分为大小相同的块，操作时以块为单位（不同于主存以字为单位）*块的大小要适中，一般为几个字至十几个字块太小，影响命中率；块太大，一次调入调出的时间开销大*地址分为块号（高位）和块内地址（低位）两部分如果一个块大小为8个字，则块内地址为3位，其余情况依次类推*Cache的每个块均会设置相应的标志状态（包含多位），用来判断是否命中7856341210010110210312345678100101102103小端存储大端存储注意：Cache容量越大，则命中率越高，但价格越昂贵（2）Cache组成结构分类*旁视式Cache结构特点：处理器即可访问Cache，又可访问主存；假设访问Cache的时间为T1，访问主存的时间为T2，则Cache命中时，系统操作时间为T1，Cache不命中时，系统操作时间为T2（主存与Cache同时启动）；每次操作均需占用系统总线，总线负荷大。*透过式Cache结构特点：处理器不可直接访问主存；假设访问Cache的时间为T1，访问主存的时间为T2，则Cache命中时，系统操作时间为T1，Cache不命中时，系统操作时间为T1＋T2（主存与Cache不同时启动）；总线负荷降低。（3）完整的读数过程（以旁视式Cache结构为例，透过式Cache结构略有不同）主存块号块内主存地址MAR块内Cache块号Cache地址MAR块0块1块2块n主存块0块1块m标记Cache处理器Cache主存处理器Cache主存*地址映像变换机构：把主存地址进行变换，判断是否能生成Cache地址能映像（即可以变换，称为命中），生成相应的Cache地址，访问Cache不能映像（即无法变换，称为失效），无法访问Cache，只能访问主存*块替换机构：当Cache装满时，再需装入新块，要替换哪个块*多字宽数据总线：Cache体系所特有的结构，块不是一字一字写入的，而是一次直接写入的（主要考虑减小延迟、减小失效开销，硬件开销增大）注意：透过式Cache结构操作上的几点不同*透过式结构仅在映像地址失效后，才启动主存（主存启动次数少，主存利用效率高）*CPU无法直接访问主存，必须调入Cache后，CPU才能访问到相应的数据（失效开销大）*多核系统比较常见此种结构（每个核对应一个Cache，主存安全性较高）2、地址映像方式（AddressMapping）（1）直接映像（相当于对号入座）*主存的块号直接决定映射Cache的位置*硬件实现简单，主存的后几位地址即为Cache地址，只需一个比较器即可判断命中*Cache的