第七章存储系统

第七章：存储系统一、选择题1、外存储器与内存储器相比，外存储器(速度慢，容量大，成本低)。2、EPROM是指(光擦除可编程只读存储器)。3、没有外存储器的计算机初始引导程序可以放在(ROM)。4、存储单元是指(存放一个机器字的所有存贮元集合)。5、主存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来(存放数据和程序)。6、软磁盘、硬磁盘、磁带机、光盘属于(外存储器)设备。7、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是(解决CPU和主存之间的速度匹配问题)。8、采用虚拟存贮器的主要目的是(扩大主存贮器的存贮空间，并能进行自动管理和调度)。9、单片机或单板机要扩展8K的EPROM需要（13）条地址线。10、假设V1和V2是用DW定义的变量，下列指令中正确的是（A）。A、MOVV1，20HB、MOVAL，V1C、MOVV1，V2D、MOV2000H，V211.下列（A）指令不合法。A、INAX，0278HB、RCRDX，CLC、CMPSBD、RET412.为了使MOVAX，VAR指令执行后，AX寄存器中的内容为4142H，数据定义（C）是错误的。A、VARDW4142HB、VARDW16706C、VARDB42H，41HD、VARDW，‘AB’13.在下列指令中，隐含使用AL寄存器的指令有（4）条。SCASB；XLAT；MOVSB；DAA；NOP；MULBH；14.下列描述不正确的是（A）。A.汇编语言即是机器语言B.汇编语言程序不可直接运行C.汇编语言的指令语句与机器指令一一对应D.汇编语言程序运行速度快，阅读方便，但仍属于面向机器的程序设计语言15.下列描述正确的是（B）。A.汇编语言是由若干条指令语句构成B.汇编语言包括指令语句和伪指令语句C.指令语句和伪指令语句的格式是完全相同的D.指令语句和伪指令语句需经汇编语言翻译成机器代码后才能运行16.汇编语言程序经汇编后不能直接生成（A）。A、.exe文件B、.crf文件C、.obj文件D、.lst文件17.下列标识符定义正确的是（B）。A、9APPLEB、APPLE@9C、APPLE9D、APPLE.918.设8086CPU的（SS）=1178H，（SP）=0008H，（AX）=1234H，当执行一条PUSHAX指令时，（SS）=（A）。A、1178HB、1186HC、114EHD、1158H19.下列指令合法的是（D）。A、ADDCS，BXB、MOV45H，AXC、SUB[AX]，[57H]D、MOVSI，[SI]20.下列指令中正确的是（B）。A、XCHGAL，BXB、XCHGCL，DHC、XCHG12H，[SI]D、XCHGAX,BYTEPTR[DI]21.假设VAR为变量，指令MOVAX，OFFSETVAR的源操作数的寻址方式是（立即寻址）。22.假设（AL）=74H，（CH）=38H，依次进行SUBAL，CH指令和DAS指令后，AL的值是（36H）。23.半导体动态随机存储器需要每隔（1ms～2ms）对其刷新一次。24.半导体EEPROM写入的内容，可以通过（紫外线照射）擦除。25.半导体EPROM写入的内容，可以通过（电信号）擦除。26.HM6116芯片地址线及数据线为（11条地址线；8条数据线）.27.Intel2164A芯片地址线及数线为（8条地址线；1条数据线）.28.Intel2732A芯片地址线及数据线为（12余地址线；8条数据线）.29.存储器系统中，通常SRAM芯片所用控制信号有（B）。A.CE、OE、READYB.CE、OE、WEC.CE、OE、ALED.CE、OE30.当内存储器系统中内存储器芯片较少时，其片选信号可以采用（D）。A.74LS138B．74LS245C．74LS244D.与门31.对于EPROM而言，只有（A）信号同时有效时才能输出所需要的数据。A.CE、OEB．CE、WEC.OE、WED.OE、RD32.8086系统中若访问奇存储体的一个字节单元，则此时BHE与0A是（B）状态。A.1，0B.0，1C．0，0D.1，133.用74LS373作为8086微处理器最小方式地址锁存器时，其芯片两个控制信号G和OE应该分别与微处理器的（A）相连。A.ALE；接地B．接地；ALEC．ALE；RESETD.ALE；DEN34．8086微处理器工作于最小方式下的总线收发器74LS245，其控制信号G和RD分别与微处理器（A）信号相连。A.DEN；R/DTB．DEN；ALEC．DEN；WED.DEN；RD35．具有电可擦除的只读存储器是（D）A.PROMB.KEPROMC．EPROMD.EEPROM36．具有易失性的半导体存储器是（B）。A.NVRAMB．DRAMC.PROMD.EEPROM37.通过紫外线照射即可擦除全部存储信息的芯片有（A）。A.Intel2716B.Intel2164AC.Intel6116D.Intel281738．Intel2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用，所以有（8）条。39．确定存储器芯片容量的关系式是（单元数×数据线位数）.40．Intel8086／8088微处理器最大方式下，读和写存储器控制信号是（MRDC和MWTC）。41.存储器（ROM、EPROM）在断电（或关机）后，仍保留原有信息？42.DRAM是（信息需定时刷新的读／写存储器）。42.下列存储器（A）存取速度最快？A.SRAMB.磁盘C.DRAMD.EPROM43.在PC/XT机上的DRAM刷新，每（15μs）时间完成一行刷新。44.集成度最高的存储线路是（单管动）态线路。45.要组成64KB的8086系统程序存储空间，选用EPROM的最佳方案是（C）芯片。A.1片64×8位B.4片16K×8位C.2片32K×8位D.8片8K×8位46.构成8086系统最大存储器容量需用（128）片64K×1位的存储器芯片。47.用2164DRAM芯片构成8086内存的最小容量是（128KB）。48.有一SRAM芯片，地址线为0A～13A，数据线为0D～7D，则该芯片的存储容量为（16KB）。49.有一EPROM芯片的地址范围为30800H～30FFFH无地址重叠，则该芯片的存储容量为（2KB）。50.在16位存储器系统中，存储字最好存放在偶地址的优点是（A）。A.减少执行指令的总线周期B.便于快速寻址C.节省所占的内存空间D.节省所占的外存空间二、填空题1、计算机系统中的存储器分为内存和外存。在CPU执行程序时，必须将指令存放在内存中。2、主存储器容量通常以KB表示，其中K=210;硬盘容量通常以GB表示，其中G=230。3、存储器的技术指标有:存取时间、存储容量、存储周期和存储器带宽。存储容量存储周期三、判断题1.可以多次擦除、多次改写的ROM是EPROM。（×）“EPROM”改为“EPROM和EEPROM”。2．半导体存储器关机后,所存信息即丢失。（×）半导体存储器中的RAM（SRAM、DRAM）关机后所存信息及丢失。3．半导体随机存储器需要配置刷新电路，以便按时刷新。（×）改为“半导体动态随机存储器”。4.8086／8088微处理器一个字占用两个存储单元。×）8086微处理器一个字占用两个存储单元，8088微处理器仅占用内存储器一个单元。5.Intel2164A是64K×8b芯片。（×）改为“64K×lb芯片”。6.Intel2164A芯片刷新时，只送入4个7位行地址进行刷新。（√）7.Intel2164A芯片地址线仅有7A～0A共8条线、分别为行和列地址，共同构成16位地址。（√）8．2164A芯片构成存储器时，当存储器读／写操作时在RAS和CAS控制下，先送行后送列地址，以便选中待访问的存储单元。（√）9．微处理器与存储芯片连接时，当总线上挂接的器件超过微处理器所带负载能力时，则地址总线加驱动器用74LS245或Intel8287。（×）“74LS245或Intel8287”改为“74LS244或Intel8282”。10．微处理器与存储芯片连接时，当总线上连接的器件超过微处理器所带负载能力时，则数据总线加驱动器可用74LS244或Intel8282。（×）“74LS244或Intel8282”改为“74LS245或Intel8286”。11．对于EPROM芯片与微处理器连接时，常常把CE引脚与地址译码器输出相连，OE引脚与系统控制总线中的读信号RD相连。（√）12．存储器系统中的全译码法与存储器芯片内部单译法是具有相同连接方法和译码概念。（×）“相同”改为“不相同”。13.存储器系统中的部分译码法一定有地址重叠。（√）14．存储器系统中的线选法译码方式也一定有地址重叠。（√）15．8086系统中的奇存储体和偶存储体都是512KB。（√）16．8088系统中1MB存储器地址空间，可分成偶存储体和奇存储体。（×）“8088系统”改为“8086系统”。17．8086系统中低8位数据总线与奇存储体相连，高8位数据总线与偶存储体相连。（×）8086系统中低8位数据总线与偶存储体相连，高8位数据总线与奇存储体相连。18．8086系统中访问存储器进行字读写操作时一定用一个总线周期。（×）“字读写操作”改为“对准的字读写操作”。19.通常存储器容量是由数据总线宽度决定。（×）“由数据总线带宽决定”改为“由地址总线位数决定”。20.随机存储器单元的内容读出和写入操作其内容不变。（×）随机存储单元读出内容不变，写入操作存储单元内容变化。21.由单管MOS和分布电容构成的DRAM只能存储一位信息。（√）22.动态存储器按行再生操作时，任何一列选择门都不打开。（√）四、简答题1、主存储器的性能指标有哪些？含义是什么？主存储器的性能指标主要是存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽。存储容量：一个存储器中可以容纳的存储单元总数。存取时间：又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。存储周期：是指连续启动两次独立的存储操作（如连续两次读操作）所需间隔的最小时间。存储器带宽：在单位时间中主存传输数据的速率。2、什么是虚拟存储技术？该技术的主要优点有那些？【解答】虚拟存储技术是一种存储管理技术，采用硬件、软件相结合的方法，由系统自动分批将程序调入内存，不断地用新的程序段来覆盖内存中暂时不用的老程序段。虚拟存储技术的主要优点有：（1）扩大了程序可访问的存储空间；（2）便于实施多任务的保护和隔离；（3）便于操作系统实现内存管理。2、半导体存储器有哪些优点？SRAM、DRAM各自有何特点？【解答】特点是容量大、存取速度快、体积小、功耗低、集成度高、价格便宜。SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留不变，只要不掉电所保存的信息就不会丢失。而DRAM保存的内容即使在不掉电的情况下隔一定时间后也会自动消失，因此要定时对其进行刷新3、ROM、PROM、EPROM、E2PROM、FlashMemory各有何特点？用于何种场合？【解答】掩膜式ROM中的信息是在生产厂家制造时写入的。制成后，信息只能读出不能改写。PROM中晶体管的集电极接VCC，基极连接行线，发射极通过一个熔丝与列线相连。出厂时，晶体管阵列的熔丝完好。写入信息时，选中某个晶体管，输入高低电平保留或烧断熔丝对应1和0。烧断熔丝不能再复原，因此只能进行一次编程。EPROM芯片的顶部开有一石英窗口，通过紫外线的照射可擦除片内原有信息，一块芯片可多次使用，缺点是只能进行整片写。E2PROM是可用电擦除和编程的只读存储器，能在线读写，断电情况信息不丢失，能随机改写；其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上。可作为系统中可靠保存数据的存储器。FlashMemory是新型的半导体存储器，可实现大规模电擦除，擦除功能可迅速清除整个存储器的所有内容；可高速编程；闪速存储器可重复使用，适用于文件需要经常更新的可重复编程应用中。对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器。4、动态RAM为什么需要经常刷新？微机系统如何进行动态RAM的刷新？【解答】动态RAM是利用电容存储电荷的原理来保存信息