电子科技大学集成电路实验报告版图部分实验报告

微电子与集成电路设计实验报告使用L-Edit编辑单元电路布局图一、实验学时：4学时二、实验目的1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧。三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice文件。四、实验结果：1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是（C:\TannerLb\LEdit\TECH\mosis\morbn20.tdb）文件的。其设计规则主要有：Rule（设计规则）RuleType（规则类型）RuleLayers（对应层）RuleDistance1.1WellMinimumWidthMinimumWidthNwell10lambda1.3WelltoWell(SamePotential)SpacingSpacingNwell6lambda2.1ActiveMinimumWidthMinwidthActive3lambda2.2ActivetoActiveSpacingSpacingActive3lambda2.3aSource/DrainActivetoWellEdgeSurroundPdiff,Nwell5lambda2.3bSource/DrainActivetoWellSpaceSpacingNdiff,Nwell5lambda2.4aWellContact(Active)toWellEdgeSurroundNActive,Nwell3lambda2.4bSubsContact(Active)toWellSpacingSpacingPactive,Nwell3lambda3.1PolyMinimumWidthMinwidthPoly2lambda3.2PolytoPolySpacingSpacingPoly2lambda3.3GateExtensionoutofActiveExtensionActive,Poly2lambda3.4a/4.1aSource/DrainWidthExtensionPolyorploy2,nactive3lambda3.4b/4.1bSource/DrainWidthExtensionPolyorploy2,pactive3lambda3.5PolytoActiveSpacingSpacingPoly,Active1lambda4.2a/2.5ActivetoN-SelectEdgeSurroundActivenotinNPN,NSelect2lambda4.2b/2.5ActivetoP-SelectEdgeSurroundActivenotinNPN,PSelect2lambda4.3aSelectEdgetoActCntSurroundActivecontact,ndiff1lambda4.3bSelectEdgetoActCntSurroundActivecontact,pdiff1lambda4.3cNotExists:ActCntnotonActiveNotexistActCnt_not_on_act\4.4aNSelectMinimumWidthMinwidthNSelect2lambda4.4bPSelectMinimumWidthMinwidthPSelect2lambda4.4cSelecttoSelectSpacingSpacingNSelect2lambda4.4dSelecttoSelectSpacingSpacingPSelect2lambda4.5NotExisting:pSelOverlapofnSelNotexistpSelect&nSelect\4.6NotExisting:NotSelectedActiveNotexistNotSelectedActive\5.1APolyContactExactSizeExactWidthPolyContact2lambda5.2A/5.6BFieldPolyOverlapofPolyCntSurroundPolyContact,FieldPoly1.5LocatorUnit5.2bNotExists:PolyCntnotonPolyNotexistPolyCnt_not_on_Poly\5.3APolyContacttoPolyContactSpacingSpacingPoly_Contact2lambda6.1AActiveContactExactSizeExactWidthActiveContact2lambda6.2AFieldActiveOverlapofActCntSurroundActiveContact,Fieldactive1.5LocatorUnit6.3AActCnttoActCntSpacingSpacingActiveContact2lambda6.4AActiveContacttoGateSpacingSpacingActiveContact,gate12lambda7.1Metal1MinimumWidthMinwidthMetal13lambda7.2Metal1toMetal1SpacingSpacingMetal13lambda7.3Metal1OverlapofPolyContactSurroundPoly_Contact,Metal11lambda7.4Metal1OverlapofActiveContactSurroundActiveContact,Metal11lambda8.1ViaExactSizeExactWidthViaNotOnPad2lambda8.2ViatoViaSpacingSpacingViaNotOnPad3lambda8.3Metal1OverlapofViaSurroundViaNotOnPad1lambda8.4aViatoPolyContactspacingSpacingViaNotOnPad,Poly_Contact2lambda8.5b.ViatoActiveContactSpacingSpacingViaNotOnPad,ActiveContact2lambda8.5aViatoPolySpacingSpacingViaNotOnPad,Poly2lambda8.5bVia(OnPoly)toPolyEdgeSurroundViaNotOnPad,Poly2lambda8.5cViatoActiveSpacingSpacingViaNotOnPad,Active2lambda8.5dVia(OnActive)toActiveEdgeSurroundViaNotOnPad,Active2lambda9.1Metal2MinimumWidthMinwidthMetal23lambda9.2Metal2toMetal2SpacingSpacingMetal24lambda9.3Metal2OverlapofVia1SurroundVia,Metal21lambda2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。先确定W。W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位4，则先加10后再乘以2。所以，要绘制的是一个L=2u，W=（16u）的PMOS管掩膜版图。（当时我没注意要按学号画，是按指导书上画的，截完图会来看报告才发现）所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：该PMOS管的截面图为：3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。所完成的经DRC检查无错误的NMOS版图为：该NMOS管的截面图为：4、运用前面绘制好的nmos组件与pmos组件绘制反相器inv的版图。加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。所完成的DRC检查无错误的版图为：5、将反相器布局图转化为T-Spice文件，该文件的内容为：五、实验总结与体会：进行任何实验时对实验原理的的掌握都是最重要的。由于实验前的准备不足，实验时遇到了很多的困难，需要好好复习MOS工艺的的基本知识。在进行版图设计时，需要严格遵循设计规则中对参数、位置的要求，任何的偏差都可能导致错误。所以每进行一步都要进行检查，修正；但有些错误可以在后续的步骤中自动解决，也需要加以注意。