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1晶体二极管及整流电路练习题（一）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）A.多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管6、稳压二极管稳压时，其工作在()，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D.不确定7、发光二极管发光时，工作在()。A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区D．不确定8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A.增大B.减小C.不变D.等于零9、稳压二极管是利用PN结的（）。A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为()。A.正、反向电阻相等B.正向电阻大，反向电阻小C.反向电阻比正向电阻大很多倍D.正、反向电阻都等于无穷大212、关于晶体二极管的不正确叙述是：（）A普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。B普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。C硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。D以上说法都不对。二、判断题：1、()将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。4、（）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。5、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V。6、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）7、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）8、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（）9、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）10、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）11、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）12、二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）三、填空题：1、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。2、二极管的特性是.3、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。34、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管,则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。5、二极管最主要的特性是。6、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数、。7、整流二极管的整流作用是利用PN结的特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的特性。四、分析判断题1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当VI足够大时，计算各VO值。VO=________________VO=_______________VO=________________VO=_______________2、如图，V1、V2为理想二极管。VAB=S合上时，VP=S断开时，VP=3VRV112VABVoR8V7.5VVI++--VoR8V7.5VVI++--VoR8V7.5VVI++--VoR8V7.5VVI++--+12V+3VRV2SP43、桥式整流电路中，若:1）V1内部短路，会出现什么现象？2）V1虚焊，会出现什么现象？3）V1方向接反，会出现什么现象？4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响？