一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法[发明专利]CN201510292141.X_中国科学院宁波材料技术与工程研究所2015年5月30日本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其包括如下步骤:a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征,筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素;b通过离子束法形成类金刚石薄膜,并在类金刚石薄膜的成膜过...查看全文-下载全文-导出2一种LED发光单元的制备方法[发明专利]CN201410522187.1_佛山市国星光电股份有限公司2014年9月30日本发明公开一种LED发光单元的制备方法,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上生长一层类金刚石薄膜;2)在类金刚石薄膜上制备电极通孔;3)在所述类金刚石薄膜裸露的一面制备电极通孔阵列,同时在电极通孔内壁上电镀一层金属,并在...查看全文-下载全文-导出3DLC光能污水净化方法及其装置[发明专利]CN201510313230.8_刘南林2015年6月5日本发明是应用DLC(类金刚石薄膜英文缩写)纳米新材料技术、太阳能利用技术、有机化工催化反应填充柱技术设计的新型污水净化方法及其装置。其原理为:类金刚石薄膜表面在太阳光照射下,吸收紫外光,形成加速有机物降解反应的催...查看全文-下载全文-导出4基于类金刚石薄膜的纳米孔测量系统及其制备方法[发明专利]CN201410707203.4_中国科学院重庆绿色智能技术研究院2014年11月28日本发明公开了基于类金刚石薄膜的纳米孔测量系统,包括纳米孔系统、盐溶液腔室和电流监测系统,所述纳米孔系统包括衬底和复合在衬底上表面的类金刚石薄膜I,所述衬底和类金刚石薄膜I表面包覆有绝缘保护层,该衬底刻蚀有锥形...查看全文-下载全文-导出5一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201510298974.7_常州大学2015年6月3日本发明属于类金刚石薄膜制备技术领域,特别涉及一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法。本发明方法以掺杂氟的二氧化锡导电玻璃、ITO或单晶硅为阴极,碳棒为阳极,卤代羧酸溶液为电解液。在常温条件下,通过在阴阳两电极之间施...查看全文-下载全文-导出6一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块[实用新型]CN201420704604.X_佛山芯光半导体有限公司2014年11月21日本实用新型公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块(包括IGBT,MOSFE,二极管等功率模块),结构包括硅凝胶(1)、金属电极(2)、铝基板(3)、类金刚石薄膜(4)、铜膜(5)、焊膏(6)、功率芯片(7)和铝线(8)。该功率模块适用于MO...查看全文-下载全文-导出7一种纳米润滑体系及其制备方法[发明专利]CN201410712608.7_苏州锦富新材料股份有限公司2014年12月1日本发明公开了一种纳米润滑体系及其制备方法。具体而言,该纳米润滑体系包括沉积在摩擦副表面上的类金刚石薄膜纳米层和用于涂覆类金刚石薄膜纳米层的水基润滑剂,其中所述类金刚石薄膜纳米层为加氢型类金刚石薄膜纳米层,其...查看全文-下载全文-导出8一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块[发明专利]CN201410671812.9_佛山芯光半导体有限公司2014年11月21日本发明公开了一种可以采用类金刚石薄膜铝基板的功率模块(包括IGBT,MOSFE,二极管等功率模块),结构包括硅凝胶(1)、金属电极(2)、铝基板(3)、类金刚石薄膜(4)、铜膜(5)、焊膏(6)、功率芯片(7)和铝线(8)。该功率模块适用于MOSFET...查看全文-下载全文-导出9超薄类金刚石薄膜过滤膜[发明专利]CN201410239501.5_北京大学2014年5月30日本发明公开了一种超薄类金刚石薄膜过滤膜,该过滤膜包括基底和直接附着在基底上的超薄类金刚石薄膜层,且薄膜层具有纳米量级孔径的通道。本发明提供的超薄类金刚石薄膜过滤膜具有高硬度,优异的耐磨性以及优异的化学惰性,...查看全文-下载全文-导出10一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201310631026.1_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所2013年11月29日一种制备含锗和银的类金刚石薄膜的方法属于薄膜沉积技术领域,采用已有的真空室及工艺配置,在室温下调节基底至End-Hall型离子源之间的距离;调节真空室的真空度达到1×10-3Pa量级;选择CH4作为气体,在气体流量控制计的控制...一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201110308211.8_湖北久之洋红外系统有限公司2011年10月12日本发明涉及一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法,属于涂层技术领域,适用于硅、锗半导体材料以及钢及其合金、铝及其合金金属材料表面类金刚石膜的化学气相法镀制,产品特别适合在盐雾、海水、酸、碱、盐等腐蚀环境下...查看全文-下载全文-导出12一种强激光辐照制备类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201310377771.8_江苏大学2013年8月27日本发明涉及一种强激光辐照制备类金刚石薄膜的方法:采用高功率脉冲激光辐照沉浸在循环水溶液下基体的石墨涂层,石墨吸收激光能量迅速气化、电离,产生大量的高速等离子体,并在基体表面产生瞬间的高温高压微区,随后又以极快...查看全文-下载全文-导出13一种在刀具表面均匀沉积类金刚石薄膜的装置[实用新型]CN201520031486.5_内蒙古工业大学2015年1月16日本实用新型公开了一种在刀具表面均匀沉积类金刚石薄膜的装置,其包括真空腔以及设置在真空腔两侧壁底部的进气口,在真空腔外壁设有接地端子,在真空腔内腔顶部活动固定设有尖端向下设置的刀具基底;在刀具基底下方的真空腔...查看全文-下载全文-导出14柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法[发明专利]CN201210550894.2_中国科学院兰州化学物理研究所2012年12月18日本发明涉及一种在柱塞表面类金刚石薄膜批量化沉积方法,多层多组分类金刚石薄膜组成Cr+CrTi+CrTiN+CrTi/CrTiC+CrTiC/DLC;采用多靶脉冲磁控溅射方法,经过超声波清洗和真空系统中氩等离子体溅射清洗柱塞;溅射沉积Cr+CrTi...查看全文-下载全文-导出15金属表面镀制类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201210227099.X_陈伟2012年6月29日本发明公开了一种金属表面镀制类金刚石薄膜的方法,主要步骤是:(1)超声波清洗,抽真空;(2)离子清洗,通入氩气,开启离子清洗源,产生大量氩离子对工件表面进行轰击;(3)将金属工件和真空室之间加载负偏压,开启钛电弧源使金属...查看全文-下载全文-导出16一种含金属类金刚石薄膜制备方法[发明专利]CN201210193088.4_中国地质大学(北京)2012年6月13日本发明公开了一种含金属类金刚石薄膜制备方法,所述方法为采用多离子束辅助沉积系统(IBAD)、通过调节溅射靶材的溅射气体压力、脉冲基体负偏压和靶电流,采用在基体中加入非碳化物形成元素,制备类金刚石薄膜,所得到的类金刚...查看全文-下载全文-导出17一种空间用齿轮沉积钨掺杂含氢类金刚石薄膜的中间过渡层制备方法[发明专利]CN201110396601.5_中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所2011年12月4日本发明公开了一种空间用齿轮沉积钨掺杂含氢类金刚石薄膜的中间过渡层制备方法,属于表面改性领域。所述方法步骤如下:(1)化学清洗齿轮;(2)加热及抽真空;(3)等离子体源轰击清洗齿轮;(4)沉积Cr毗邻层;(5)沉积Cr/WC成分梯度...查看全文-下载全文-导出18一种金属掺杂无氢类金刚石碳膜的制备方法[发明专利]CN201210519829.3_中国地质大学(北京)2012年12月7日本发明公开了一种金属掺杂无氢类金刚石薄膜的制备方法。特点为利用离子束辅助沉积技术在工件表面制备金属掺杂类金刚石薄膜,采用金属靶与石墨靶进行双靶溅射。其具体步骤包括:将工件表面离子清洗和活化,沉积制备金属掺杂...查看全文-下载全文-导出19离子束快速沉积类金刚石薄膜设备[实用新型]CN201520405331.3_深圳市正和忠信股份有限公司2015年6月13日本实用新型涉及一种离子束快速沉积类金刚石薄膜设备,包括一个密封的真空腔体,该真空腔体采用左右对称的结构,在真空腔体30°及150°位置处设置有小凸腔用于放置两个对称的高能离子源,在真空腔体0°及180°位置处设置有小凸...查看全文-下载全文-导出20气相打印技术与设备[发明专利]CN201510313778.2_刘南林2015年6月5日本发明是应用高频等离子体化学气相沉积技术和程序扫描打印技术,在常温、真空密闭金属容器中,利用活动电极及其控制的等离子体化学沉积反应作为打印机扫描器件进行扫描,在物体表层定向生成类金刚石薄膜沉积物构成图文或制...查看全文-下载全文-导出一种方便豆浆的加工杯[发明专利]CN201310466582.8_哈尔滨鑫红菊食品科技有限公司2013年10月9日本发明涉及一种方便豆浆的加工杯,包括搅碎机构,搅碎机构包括电机、安装轴及搅拌刀,搅拌刀固定在安装轴上,电机带动搅拌刀旋转,所述安装轴和搅拌刀上镀有类金刚石薄膜层。通过在安装轴的表面镀有类金刚石薄膜层,使电机轴具...查看全文-下载全文-导出22掺氟类金刚石薄膜、其制备方法及包含该薄膜的压印模板[发明专利]CN201310396714.4_苏州锦元纳米科技有限公司2013年9月4日本发明公开了一种掺氟类金刚石薄膜、其制备方法以及包含该薄膜的压印模板,该薄膜沉积在基体表面上,薄膜中氟的质量含量为1%~4%;薄膜厚度为1~10nm。本发明公开的薄膜具有类金刚石薄膜的优点,同时具有优异的疏水、防粘性能以...查看全文-下载全文-导出23一种类金刚石薄膜制备工艺[发明专利]CN201410702591.7_安徽微威胶件集团有限公司2014年11月29日本发明公开了一种类金刚石薄膜制备工艺,所述制备工艺的预处理,包括如下步骤:(1)真空室预处理:在把基片放入真空室以前,先用吸尘器吸净真空室的灰尘和附着物,然后带上一次性手套,并用无水乙醇和医用纱布擦拭真空室内壁和...查看全文-下载全文-导出24一种豆浆食品加工装置[发明专利]CN201310387346.7_哈尔滨鑫红菊食品科技有限公司2013年8月30日本发明涉及一种豆浆食品加工装置,包括搅碎机构,搅碎机构包括电机、安装轴及搅拌刀,搅拌刀固定在安装轴上,电机带动搅拌刀旋转,所述安装轴和搅拌刀上镀有类金刚石薄膜层。通过在安装轴的表面镀有类金刚石薄膜层,使电机轴具...查看全文-下载全文-导出25复合二氧化钛光催化剂及其制备方法[发明专利]CN201110199080.4_刘凡新、刘宝升2011年7月15日本发明提供一种复合二氧化钛光催化剂,由惰性金属微纳结构、沉积在所述惰性金属微纳结构上的类金刚石薄膜层,以及包覆在所述类金刚石薄膜层外的纳米二氧化钛组成,其中所述类金刚石薄膜层的厚度为1~2纳米。本发明通过在惰性...查看全文-下载全文-导出26在钢铁表面制备类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201110427966.X_中国科学院兰州化学物理研究所2011年12月16日本发明公开了一种在钢铁表面制备类金刚石薄膜的方法。利用高功率脉冲磁控溅射技术在钢铁表面制备结合强度高的类金刚石薄膜。制备的薄膜结合力≥80N,摩擦系数低至0.04N。对于类金刚石薄膜在苛刻环境下的应用提供了技术支持...查看全文-下载全文-导出27在碳素钢或球墨铸铁表面制备类金刚石薄膜的方法[发明专利]CN201110426225.X_中国科学院兰州化学物理研究所2011年12月16日本发明公开了一种在碳素钢或球墨铸铁表面制备类金刚石薄膜