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错误率比较低的题目1、材料按电性能分为哪三类？电阻率范围是多少？2、如何控制材料的导电性能？对于金属和半导体材料哪种因素更重要，解释原因3、禁带宽度的概念4、反应材料导电性能好坏的2个参数5、杂质半导体中，多子数量和少子数量分别与什么因素有关6、本征激发的概念7、为什么Si是半导体基石？碳、硅、锗导电性差距大的原因8、能带结构中，电子和空穴的运动方向9、外加电压的作用下，P型半导体和N型半导体的主要电流，区分两种半导体的方法，P型半导体为什么是多数载流子，载流子运动定则10、对于金属材料和半导体材料，移动速率和载流子对应的主要影响11、电子迁移率比空穴大的原因12、PN结中半导体的空穴-电子形成（可画图），PN结耗尽区，激发电子及空穴移动方向13、在PN结中，简述漂移运动和扩散运动（多子和少子分别参与什么），多子、少子分别是什么，14、DSSC光转换机理15、太阳能电池中窗口层材料的作用，选择禁带宽度大的窗口层的原因16、本章中没有用到PN结的太阳能电池17、太阳能电池效率的影响因素18、TiO2染料敏化太阳能电池光电转化机理，两电极各自发生的反应及原理19、用接触理论解释半导体太阳能电池原理20、P型半导体和N型半导体分别掺入的元素及价态21、半导体电导率的影响因素，相对电导率概念22、非本征半导体的电导率影响因素23、具备什么特征的半导体能够光致发光24、光致发光效应的概念，简述其过程，如何使硅产生光致发光效应，产生光致发光效应材料的特点25、简单画出发光二极管的发光原理26、光生电场与内建电场方向是否一致，光生电场产生原因27、激光又名镭射，全名是什么？激光形成的基本条件，谐振腔的作用28、光分解水，TiO2和Pt电极表面分别得到什么气体？29、TiO2半导体的光催化，为什么在TiO2电极产O2？30、能够画出元素的能带结构，金属的能带结构特征，绘图表示钠与镁的能带重叠现象31、解释迈斯纳效应32、过渡金属的电子结构33、半导体的三种物理效应34、Ge的导电性好，而且比Si易提纯，为什么Si是半导体基石？35、经典自由电子论的概念及缺点，36、量子自由电子论与经典自由电子论的主要区别37、经典自由电子论、量子自由电子论、能带理论三种方法分析材料的主要特征38、画图表示余辉产生原理，影响因素，金属是否有余辉效应39、光电池分类（4类）40、1个原子到N个原子的2S轨道变迁41、超导体的定义及分类42、能级分裂的原因，分析能带出现的原因；间接跃迁的类型；固体电子能带的形成过程43、如何控制材料的导电性44、什么是能带、价带、导带？错误率比较高的题目1、半导体的功函数，及公式2、能带理论解释导体、半导体、绝缘体的区别，半导体的应用3、材料的物性4、长余辉材料能够得到较长余辉时间的原因，余辉时间有关的因素5、两种典型的金属与半导体的接触6、非本征半导体的种类及形成过程7、超导现象的概念8、简述PN结单向导电性的原理；PN结的中向导电性（导通、截止）及原因，半导体PN结发光原理及伏安特性9、解释N型半导体的形成10、Si、C有未满带，但是导电性差的原因11、金属的能带结构特征12、描述N型半导体及其能带结构13、三种辐射方式，自发辐射的定义14、简述光生伏特效应的概念、原理15、量子自由电子论的概念；量子自由电子轮的四个基本假设，解释导电现象16、电子填充能带原则17、如何实现粒子数反转18、费米能级定义；如何判断一个系统是否处于平衡状态19、余辉效应的概念，画图表示余辉产生原理，余辉时间有关的因素，影响因素，金属是否有余辉效应；使Si具有荧光效应的方法20、欧姆接触的概念，整流接触的概念；条件；解释整流接触的过程21、红宝石激光器是几能级系统；四能级系统比三能级系统容易实现粒子数反转的原因，四能级系统的工作原理22、本征半导体的概念，与非本征半导体的区别，导电机理，能带特征，缺点23、超导材料的三个性能指标及两个超导态，高温超导体与常温超导体的区别。超导体完全抗磁性的原因24、量子论解释金属的比热25、金属材料是否具有光致发光效应？原因26、非本征半导体的主要导电原因，与温度的关系图可分为的区域27、异质结的概念，异质结太阳能电池工作原理，哪种材料朝向太阳更好，原因；28、激光二极管如何工作