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习题第一章半导体器件基础习题1、PN结加正向电压时，空间电荷区将___A____。A、变窄B、基本不变C、变宽D、不能确定2、如下图，二极管D是理想的，R=2KΩ，流过电阻的电流I=__A___。A、5mAB、0mAC、10mAD、不能确定3、三极管的发射结和集电结均处于正偏的情况下，则属于：Ａ、死区Ｂ、截止区Ｃ、放大区Ｄ、饱和区4、温度升高时，三极管的放大系数ß：A.增大B.减小C.不变D.无法判断5、工作在放大区的某三极管，当IB从20uA增大到40uA时，IC从1mA变成2mA，则它的ß值为：A．10B.50C.100D.5006、某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20uA，则集电极电流等于（）Ａ.0.98mAＢ.1.02mAＣ.0.8mAＤ.1.2mA7、半导体中，参与导电的载流子有____C___。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、不能确定8、___C_____能将电信号转换为光信号。A、稳压二极管B、阻尼二极管C、发光二极管D、整流二极管9、本征半导体中，自由电子的浓度___C___空穴的浓度。A、大于B、小于C、等于D、不能确定10、太阳能电池是利用半导体的B。A、热敏性B、光敏性C、参杂性D、以上都是11、N型半导体带电性为C。A、正电B、负电C、中性D、无法确定12、N型半导体中的多数载流子是：A．电子B.空穴C.正离子D.负离子13、本征半导体中掺入五价元素后成为：A．本征半导体B.N型半导体C．P型半导体D.无法确定14、PN结未加外部电压时，扩散电流（）漂移电流。A.大于B.小于C．等于D.无法判断15、硅二极管的导通电压为：A．0.7VB.0.1VC．0.3VD.0.5V16、稳压二极管稳压时，其工作在：A．死区B.正向导通区C.反向截止区D.反向击穿区17、三极管电流放大作用的外部条件是：Ａ、发射结加反向电压，集电结加反向电压Ｂ、发射结加正向电压，集电结加反向电压Ｃ、发射结加正向电压，集电结加正向电压Ｄ、发射结加反向电压，集电结加正向电压18、半导体三极管是一种（）器件。A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流19、杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。A、电压B、温度C、输入D、杂质浓度20、PN结反向偏置时，空间电荷区（）。A、不变B、变窄C、变宽D、不能确定21、二极管的最高反向工作电压是75V，则它的击穿电压是________。A、50VB、100VC、150VD、200V22、在本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。A、大于B、小于C、等于D、不等于23、PN结的主要特性（）。A、单向导电性B、双向导电C、正偏D、反偏24、稳压管的稳压区是其工作在C。A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、无法确定25、下面不属于模拟信号的是D？A、压力B、温度C、流量D、人数26、某放大电路中，晶体管三个电极的电流如下图所示，测出I1=1.8mA，I2=0.03mA，I3=－1.83mA，由此可知对应电极③是_____A___。A、发射极B、基极C、集电极D、不能确定27、双极型晶体管BJT具有放大作用的外部条件是_____D__。A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结反偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结正偏，集电结反偏28、NPN型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE。AA、B、C、=D、29、当双极型晶体管发射结和集电结都正偏时，双极型晶体管处于______B__。A、截止状态B、饱和状态C、放大状态D、无法确定30、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是__C_____。A、IB=IC+IEB、IC=IB+IEC、IE=IB+ICD、无法确定31、测量放大电路某三极管BJT的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为____B____。A、PNP锗三极管B、PNP硅三极管C、NPN锗三极管D、NPN硅三极管32、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到_____D___电压以前，通过的电流很小。A、死区B、最大C、短路D、击穿33、杂质半导体中，少子的浓度与___D_____有关。A、晶体缺陷B、掺杂工艺C、杂质浓度D、温度34、如图所示电路中，二极管D所处的状态是__C____。A、击穿状态B、截止状态C、导通状态D、无法确定35、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为____C____。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态36、工作在放大区的三极管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，其β值约为_____A___。A、50B、100C、500D、100037、如图2所示电路中，二极管D所处的状态是（）。图2A、击穿状态B、截止状态C、导通状态D、无法确定38、由理想二级管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压为（）。A、-12VB、+6VC、-6VD、+12V39、PNP型双极型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UC________UB________UE。A、B、C、=D、40、两个稳压二极管的稳压值分别为7V和9V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是20V，则输出电压U0为。A、7VB、9VC、0VD、8V41.使用万用表直流电压挡，测的电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图3所示，则该晶体管工作在______。A、饱和状态B、放大状态C、截止状态D、倒置状态图342、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。A．NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管如下图所示，已知三极管工作在放大状态，回答题43-44图443、该管脚Y为：A.发射极B.基极C.集电极D.无法判断44、该管子的类型为A.PNP锗管B.PNP硅管C.NPN锗管D.NPN硅管Ｔ1XYZ+3V+3.6V+9V已知如图5所示，回答题45-46.45.三极管剩下的管脚的电流为：A.3.9mA，方向向下B.3.9mA，方向向上C.4.1mA，方向向下D.4.1mA，方向向上46.最左边的管脚是：A.基极B.发射极C.集电极D.不一定图547、PN结的主要特性是___A_____。A、单向导电性B、双向导电C、正偏D、反偏48、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为____A_____。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管49、上题中，x、y、z代表的电极分别为A。A、b、c、eB、b、e、cC、e、b、cD、c、e、b50、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是___D____。A、IE和IB流入、IC流出B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出D、IB和IC流入、IE流出51、某晶体三极管集电极电流为1mA，基极电流为20μA，则发射极电流为_____B___mA。A、0.98B、1.02C、0.8D、1.252、半导体三极管是一种___A_____器件。A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流53、测得双极型晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为____D____。A、40B、50C、80D、6054、两个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V，将它们组成如图所示电路，设输入电压U1值是12V，则输出电压U0为__D______。A、10VB、12VC、9VD、8V55、P型半导体中多数载流子是______，少数载流子是________。A、自由电子正离子B、空穴负离子C、空穴自由电子D、自由电子空穴56、半导体三极管是一种器件。A、电流控制电流B、电流控制电压C、电压控制电压D、电压控制电流57、当二极管两端正向偏置电压大于时，二极管才能导通。A、反向击穿电压B、饱和电压C、正向导通压降D、门坎电压58、二极管电路如图所示，设二极管导通电压UD＝0.7V，则输出电压值为。A、2VB、0VC、1.3VD、-1.3V59、杂质半导体中，多子的浓度与有关。A、晶体缺陷B、掺杂工艺C、杂质浓度D、温度60、某放大电路中,晶体管三个电极的电流如图所示，测出，由此可知对应电极②是。A、发射极B、基极C、集电极D、不能确定61、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为。A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、击穿状态62、发射结正偏，集电结正偏，则晶体管工作在________。A、放大区B、截止区C、饱和区D、以上都不对63、测量放大电路某三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为______。A、PNP锗三极管B、PNP硅三极管C、NPN锗三极管D、NPN硅三极管64、某放大电路晶体管发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则集电极电流为mA。A、0.98B、1.02C、0.8D、1.265、二极管两端反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小A、死区B、最大C、短路D、击穿66、PN结反向偏置时，空间电荷区________。A、变宽B、变窄C、基本不变D、不能确定67、二极管的最高反向工作电压是50V，则它的击穿电压是。A、50VB、100VC、150VD、200V68、下面不属于模拟信号的是A、温度B、人数C、流量D、压力69、稳压管的稳压区是其工作在A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、无法确定70、下图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位如图所示，则该晶体管的类型为_________。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管71、上题中，x，y，z代表的电极分别为A、b、c、eB、b、e、cC、e、b、cD、c、e、b72、在N型半导体中，多数载流子为___B_____。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子73、在本征半导体中加入C元素可以获得P型半导体。A、五价B、四价C、三价D、任何杂质74、本征半导体中，自由电子的浓度__C______空穴的浓度。A、大于B、小于C、等于D、不能确定75、稳压二极管通常工作在____A___状态下，能够稳定电压。A、反向击穿区B、正向导通区C、反向截止区D、正向截止区76、当PN结反向加电时（反偏），下列结论正确的是__A______。A、外电场加强内电场，耗尽层变宽B、外电场加强内电场，耗尽层变窄C、外电场削弱内电场，耗尽层变窄D、外电场削弱内电场，耗尽层变宽77、半导体二极管的最主要特性是____A____。A、单向导电性B、温度特性C、击穿特性D、导通后管压降不变特性78、NPN型晶体管工作在放大状态时，各极电位关系为UE____UB___UC。（B）A、，B、，C、，=D、不能确定79、二极管电路如图所示，二极管D1和D2的工作状态是___A_____。A、D1、D2均截止B、D1、D2均导通C、D1导通、D2截止D、D2导通、D1截止80、如下图，硅稳压二极管VS的稳定电压是6V,则电路的输出电压为__B______。A、10VB、6VC、16VD、-6V81、IB、IC、IE分别表示晶体管三个极的电流，这三个电流之间的关系是_____C___。A、IB=IC+IEB、IC=IB+IEC、IE=IB+ICD、无法确定82、测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.08mA，4.8mA和4.88mA，则该管的β为__D______。A、40B、50C、80D、6083、NPN三极管放大工作状态时，电流的方向是__D______。A、IE和IB流入、IC流出B、IE流入、IB和IC流出C、IC流入、IE和IB流出D、IB和IC流入、IE流出84、测量某放大电路三极管的各电极电位为6V、11.3V、12V，则此三极管为__B______。A、PNP锗三极管B、PNP硅三极管C、NPN锗三极管D、NPN硅三极管85、下列不属于半